CN205645854U - 一种垂直结构发光二极管 - Google Patents
一种垂直结构发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205645854U CN205645854U CN201620351092.2U CN201620351092U CN205645854U CN 205645854 U CN205645854 U CN 205645854U CN 201620351092 U CN201620351092 U CN 201620351092U CN 205645854 U CN205645854 U CN 205645854U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- reflection mirror
- bragg reflection
- cellular
- mirror layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn - After Issue
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种垂直结构发光二极管，涉及发光二极管生产技术领域。在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。本实用新型可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光二极管生产技术领域。
背景技术
现有工业化生产的高压芯片是由多个正装芯片排列组合形成的，目前的芯片大部分是横向结构，这种结构在通较大电流的情况下会存在电流堵塞，散热差的缺点，这也是导致高功率发光二极管光衰而不利于广泛应用的原因。
实用新型内容
本实用新型目的是提出一种能提高电流的扩展能力，增强光效，提高散热能力的垂直结构发光二极管。
本实用新型在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，各元胞分别由金属反射层、ITO层、P-GaN层、量子阱层和N-GaN层组成，所述各元胞的金属反射层、ITO层、P-GaN层、量子阱层和N-GaN层依次设置在布拉格反射镜层的同一侧；在所述元胞中的一个元胞的N-GaN层上设置N电极，在所述元胞中的另一个元胞的ITO层上设置P电极；每两个相邻的元胞之间通过中部设置在沟槽内的金属层相互串联，所述金属层的一端连接在该两个相邻的元胞中的一个元胞的ITO层上，所述金属层的另一端连接在该两个相邻的元胞中的另一个元胞的N-GaN层上，其特点是：在沟槽内的金属层与N-GaN层、量子阱层、P-GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。
本实用新型以上垂直结构的高压产品，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
附图说明
图1至图6为本实用新型的制作过程图。
图7为本实用新型的一种结构示意图。
具体实施方式
一、制作工艺：
1、在一临时衬底1的同侧依次外延生长形成缓冲层2、N-GaN层3、量子阱层4和P-GaN层5。
2、在P-GaN层5表面采用SPUTTER工艺溅射一层厚度为600 Å～900Å的ITO层6，然后再蒸镀8000 Å～10000 Å的金属反射层7，制成的外延片如图1所示。
3、采用黄光光刻工艺，利用感应偶和等离子（ICP）图形化地刻蚀掉部分金属反射层和ITO层，使各元胞之间以第一沟槽相互隔离，结果如图2所示。
4、在金属反射层7表面和第一沟槽中蒸镀第一布拉格反射镜层（DBR）8，结果如图3所示。在金属反射层7表面蒸镀的DBR厚度大约在30000Å～50000Å。
5、采用激光剥离技术剥离去除临时衬底1和缓冲层2，直至N-GaN层3完全暴露，再在第一布拉格反射镜层8的表面沉积厚度为10000
Å的金属键合层9，然后采用晶圆键合的方式将永久衬底10键合在金属键合层9的一侧，结果如图4所示。可采用的永久衬底如硅等材料。
6、在N-GaN层的表面通过黄光工艺，通过调节刻蚀气体BCl3
和Cl2的比例，刻蚀去除各元胞之间的N-GaN层、量子阱层和P-GaN层，直至露出各元胞的部分ITO层7和第一布拉格反射镜层8，使各元胞之间以第二沟槽相互隔离，结果如图5所示。
7、在相邻的元胞之间的第二沟槽中，于其中一个元胞的N-GaN层、量子阱层和P-GaN层的同一侧蒸镀厚度大约为2000Å～3000Å的第二布拉格反射镜层11，结果如图6所示。
然后采用常规方法，在第二沟槽中的ITO层6、第一布拉格反射镜层8和第二布拉格反射镜层11及制有第二布拉格反射镜层11的元胞的N-GaN层3的外表面制作形成金属层12，使相邻的两个元胞形成串联。
8、采用常规方法，在各个串联的元胞的一个元胞的N-GaN层3上方制作N电极13，在另一个元胞的ITO层6上方制作P电极14。结果如图7所示。
二、产品结构特点：
如图7所示，在永久衬底10的一侧通过金属键合层9连接布拉格反射镜层8，在布拉格反射镜层8的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，各元胞分别由金属反射层7、ITO层6、P-GaN层5、量子阱层4和N-GaN层3组成，各元胞的金属反射层7、ITO层6、P-GaN层5、量子阱层4和N-GaN层3依次设置在布拉格反射镜层8的同一侧。
在一个元胞的N-GaN层3上设置N电极13，在另一个元胞的ITO层6上设置P电极14。
每两个相邻的元胞之间通过中部设置在沟槽内的金属层12相互串联，金属层12的一端连接在该两个相邻的元胞中的一个元胞的ITO层6上，金属层12的另一端连接在该两个相邻的元胞中的另一个元胞的N-GaN层3上。
在沟槽内的金属层12与N-GaN层3、量子阱层4、P-GaN层5之间分别设置侧向布拉格反射镜层11，侧向布拉格反射镜层11在沟槽内端与布拉格反射镜层8相连。
Claims (1)
1.一种垂直结构发光二极管，在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，各元胞分别由金属反射层、ITO层、P-GaN层、量子阱层和N-GaN层组成，所述各元胞的金属反射层、ITO层、P-GaN层、量子阱层和N-GaN层依次设置在布拉格反射镜层的同一侧；在所述元胞中的一个元胞的N-GaN层上设置N电极，在所述元胞中的另一个元胞的ITO层上设置P电极；每两个相邻的元胞之间通过中部设置在沟槽内的金属层相互串联，所述金属层的一端连接在该两个相邻的元胞中的一个元胞的ITO层上，所述金属层的另一端连接在该两个相邻的元胞中的另一个元胞的N-GaN层上，其特征在于：在沟槽内的金属层与N-GaN层、量子阱层、P-GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620351092.2U CN205645854U (zh) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 一种垂直结构发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620351092.2U CN205645854U (zh) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 一种垂直结构发光二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205645854U true CN205645854U (zh) | 2016-10-12 |
Family
ID=57063338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620351092.2U Withdrawn - After Issue CN205645854U (zh) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 一种垂直结构发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205645854U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105762246A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-07-13 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制作方法 |
| CN107731972A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-02-23 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法 |
| CN108281517A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-07-13 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管的制作方法 |
| CN112768583A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-05-07 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制备方法 |
-
2016
- 2016-04-25 CN CN201620351092.2U patent/CN205645854U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105762246A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-07-13 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种垂直结构发光二极管及其制作方法 |
| CN107731972A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-02-23 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法 |
| CN108281517A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-07-13 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管的制作方法 |
| CN108281517B (zh) * | 2018-01-26 | 2020-06-16 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光二极管的制作方法 |
| CN112768583A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-05-07 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种倒装led芯片及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Han et al. | Improvement of light extraction efficiency of flip-chip light-emitting diode by texturing the bottom side surface of sapphire substrate | |
| CN205645854U (zh) | 一种垂直结构发光二极管 | |
| KR100682877B1 (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| US8299479B2 (en) | Light-emitting devices with textured active layer | |
| TWI433353B (zh) | 包含紋路化基板的裝置及形成半導體裝置的方法 | |
| JP2003197967A (ja) | 螺旋形電極を有するｉｉｉ−ニトリドｌｅｄ | |
| CN103996772B (zh) | 发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN102969422B (zh) | 高出光率倒装结构led的制作方法 | |
| TWI816970B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| CN102569541B (zh) | 半导体发光芯片制造方法 | |
| KR20150138977A (ko) | 발광 소자 및 그의 제조방법 | |
| US20200006595A1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| CN103579433A (zh) | 具有底切结构的发光二极管及其制造方法 | |
| CN104993031B (zh) | 高压倒装led芯片及其制造方法 | |
| JP2009059851A (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| CN101861662B (zh) | 发光器件 | |
| US20120168797A1 (en) | Light emitting diode chip and method for manufacturing the same | |
| CN105762246B (zh) | 一种垂直结构发光二极管及其制作方法 | |
| CN105226157A (zh) | 一种大尺寸发光二极管制作工艺 | |
| JP5495061B2 (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| CN105489722B (zh) | 发光二极管封装结构、发光二极管晶粒及其制造方法 | |
| CN109037267B (zh) | 金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法 | |
| KR20090001231A (ko) | 수직형 발광 다이오드와 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광다이오드 | |
| CN205428930U (zh) | 一种高压led | |
| TWI479691B (zh) | 發光二極體模組及其製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20161012 Effective date of abandoning: 20171128 |