CN205595326U - 一种引线电极、引线电极与ic的连接结构及oled - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种引线电极、引线电极与IC的连接结构及OLED。该引线电极上预设有IC连接区域，所述引线电极包括第一电极和设在所述第一电极上的第二电极，所述第一电极从所述IC连接区域外走线至所述IC连接区域的边缘，所述第二电极从所述IC连接区域外走线至所述IC连接区域内；在该引线电极与IC连接时，所述IC直接与第二电极连接，减小IC连接时引线电极与IC出现相对偏位的情况，易于实现，无需增加额外的物料、制程和设备，提高OLED的良品率。

Description

一种引线电极、引线电极与 IC 的连接结构及 OLED

技术领域

本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种引线电极、引线电极与IC的连接结构及OLED。

背景技术

OLED已被视为未来的显示及照明之星，然而高成本、低良率的现状制约其市场份额的扩大，解决该难题势在必行。

现有技术中，OLED的 AA区向外引出有引线电极，用以连接驱动IC，所述引线电极包括ITO电极和辅助电极，辅助电极的结构一般为Mo/Al/Mo（简称MAM）。实际生产中，由于MAM的模具对位精度、模具的热胀冷缩、显影条件及其他制程中的偶然因素等原因，MAM与ITO容易出现相对偏位。

绑定IC时，IC以MAM为对位基准，由于IC对位有一定的精度（一般5μm左右），必然会出现IC相对MAM偏位的现象，此时，若IC和MAM的接触面积足够大，则对导电影响不大；但若MAM与ITO也出现相对偏位的情况，则会出现IC与MAM的相对接触面积减小的情况，导致OLED器件亮度低，情况严重的还会出现IC与相邻ITO出现短接的情况。

为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供引线电极、引线电极与IC的连接结构和OLED。该引线电极的第一电极在IC连接区域内采用避空设计，在该引线电极与IC连接时，所述IC直接与第二电极连接，减小IC连接时引线电极与IC出现相对偏位的情况，易于实现，无需增加额外的物料、制程和设备，提高OLED的良品率。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种引线电极，所述引线电极上预设有IC连接区域，所述引线电极包括第一电极和设在所述第一电极上的第二电极，所述第一电极从所述IC连接区域外走线至所述IC连接区域的边缘，所述第二电极从所述IC连接区域外走线至所述IC连接区域内。

进一步地，所述第一电极为ITO电极，所述第二电极为辅助电极。

进一步地，所述辅助电极为金属电极或者多叠层电极。

进一步地，所述多叠层电极的CAP层的厚度为800-4000Å

一种引线电极与IC的连接结构，所述引线电极为上述的引线电极，所述IC连接在所述引线电极上预设的IC连接区域上。

进一步地，所述引线电极与所述IC的连接方式为COG绑定或柔性OLED IC绑定。

一种OLED，包括上述的引线电极与IC的连接结构。

进一步地，所述OLED为PMOLED或者AMOLED。

本实用新型具有如下有益效果：

（1）该引线电极的第一电极在IC连接区域内采用避空设计，在该引线电极与IC连接时，所述IC直接与第二电极连接，减小IC连接时引线电极与IC出现相对偏位的情况，易于实现，无需增加额外的物料、制程和设备，提高OLED的良品率；

（2）ITO电极采用避空设计，IC直接与辅助电极连接，所述辅助电极的电阻较小，不会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，因此，本实用新型适用于高亮度、或高功率效率的电子设备。

附图说明

图1为本实用新型提供的显示面板的示意图；

图2为图1所示引线电极的B-B剖面图；

图3为图1所示引线电极的C-C剖面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。

实施例一

如图1-3所示，一种引线电极1，所述引线电极1上预设有IC连接区域2，所述引线电极1包括第一电极11和设在所述第一电极11上的第二电极12，所述第一电极11从所述IC连接区域2外走线至所述IC连接区域2的边缘，所述第二电极12从所述IC连接区域2外走线至所述IC连接区域2内，其中，图2和3中还包括IC 3和基板4。

IC连接区域2内的引线电极1采用避空第一电极11的设计，无需增加任何物料、制程或设备，就能保证IC 3连接时，将IC 3与IC连接区域2内的引线电极1的偏位风险降低，IC 3与引线电极1有足够大的接触面积、且不发生短路，可以从根本上规避IC 3连接的偏位风险，弥补了因制程因素及设备精度不足产生的不良影响，解决了因第二电极12与第一电极11相对偏位、第二电极12与IC 3相对偏位导致的绑定不良问题。

所述第一电极11为ITO电极；所述第二电极12为辅助电极，所述辅助电极为金属电极或者多叠层电极，所述金属电极优选但不限定为纯金属Cu、Ag、Al等或者合金Cr-Cu、Cu-Ni、Mo-Nb等，所述多叠层电极优选但不限定为Cr-Cu/Cu/Cr-Cu、Cr-Ni/Cu/Cr-Ni、Mo-Nb/Al/Mo-Nb、ITO/Ag/ITO等；所述多叠层电极中的CAP层加厚，所述CAP层的厚度优选为800-4000Å，以防止所述多叠层电极中的金属导电层可能产生的针孔危害。

本实施例中，因所述ITO电极采用避空设计，IC 3直接与辅助属电极连接，辅助电极的电阻较小，不会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，因此本实施例适用于高亮度、或高功率效率的OLED；本实施例中的引线电极1也可以采用第二电极12避空设计，即辅助电极避空设计，但第一电极11一般采用ITO材质，ITO的方阻较大，若采用辅助电极避空设计，则会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，效果不如采用第一电极11避空设计的方案。

实施例二

如图1-3所示，一种引线电极1与IC 3的连接结构，包括引线电极1和与所述引线电极1连接的IC 3；所述引线电极1上预设有IC连接区域2，所述引线电极1包括第一电极11和设在所述第一电极11上的第二电极12，所述第一电极11从所述IC连接区域2外走线至所述IC连接区域2的边缘，所述第二电极12从所述IC连接区域2外走线至所述IC连接区域2内；所述IC 3连接在所述引线电极1上预设的IC连接区域2上，具体的，本实施例中的IC 3连接在所述引线电极1的第二电极12上，其中，图2和3中还包括基板4。

IC 连接区域2内的引线电极1采用避空第一电极11的设计，无需增加任何物料、制程或设备，就能保证IC 3连接时，将IC 3与IC连接区域2内的引线电极1的偏位风险降低，IC 3与引线电极1有足够大的接触面积、且不发生短路，可以从根本上规避IC 3连接的偏位风险，弥补了因制程因素及设备精度不足产生的不良影响，解决了因第二电极12与第一电极11相对偏位、第二电极12与IC 3偏位导致的绑定不良问题。

所述第一电极11为ITO电极；所述第二电极12为辅助电极，所述辅助电极为金属电极或者多叠层电极，所述金属电极优选但不限定为纯金属Cu、Ag、Al等或者合金Cr-Cu、Cu-Ni、Mo-Nb等，所述多叠层电极优选但不限定为Cr-Cu/Cu/Cr-Cu、Cr-Ni/Cu/Cr-Ni、Mo-Nb/Al/Mo-Nb、ITO/Ag/ITO等；所述多叠层电极中的CAP层加厚，所述CAP层的厚度优选为800-4000Å，以防止所述多叠层电极中的金属导电层可能产生的针孔危害。

本实施例中，因所述ITO电极采用避空设计，IC 3直接与辅助电极连接，辅助电极的电阻较小，不会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，因此本实施例适用于高亮度、或高功率效率的OLED；本实施例中的引线电极1也可以采用第二电极12避空设计，即辅助电极避空设计，但第一电极11一般采用ITO材质，ITO的方阻较大，若采用辅助电极避空设计，则会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，效果不如采用第一电极11避空设计的方案。

所述引线电极1与所述IC 3的连接方式为COG绑定或柔性OLED IC绑定，但不局限于此。

实施例三

如图1-3所示，一种OLED，从所述OLED的AA区向外引出有引线电极1，所述引线电极1连接有IC 3；所述引线电极1上预设有IC连接区域2，所述引线电极1包括第一电极11和设在所述第一电极11上的第二电极12，所述第一电极11从所述IC连接区域2外走线至所述IC连接区域2的边缘，所述第二电极12从所述IC连接区域2外走线至所述IC连接区域2内；所述IC 3连接在所述引线电极1上预设的IC连接区域2上，具体的，本实施例中的IC 3连接在所述引线电极1的第二电极12上，其中，图2和3中还包括基板4。

IC3连接区域2内的引线电极1采用避空第一电极11的设计，无需增加任何物料、制程或设备，就能保证IC 3连接时，将IC 3与IC连接区域2内的引线电极1的偏位风险降低，IC 3与引线电极1有足够大的接触面积、且不发生短路，可以从根本上规避IC 3连接的偏位风险，弥补了因制程因素及设备精度不足产生的不良影响，解决了因第二电极12与第一电极11相对偏位、第二电极12与IC 3偏位导致的绑定不良问题。

所述第一电极11为ITO电极；所述第二电极12为辅助电极，所述辅助电极为金属电极或者多叠层电极，所述金属电极优选但不限定为纯金属Cu、Ag、Al等或者合金Cr-Cu、Cu-Ni、Mo-Nb等，所述多叠层电极优选但不限定为Cr-Cu/Cu/Cr-Cu、Cr-Ni/Cu/Cr-Ni、Mo-Nb/Al/Mo-Nb、ITO/Ag/ITO等；所述多叠层电极中的CAP层加厚，所述CAP层的厚度优选为800-4000Å，以防止所述多叠层电极中的金属导电层可能产生的针孔危害。

本实施例中，因所述ITO电极采用避空设计，IC 3直接与辅助电极连接，辅助电极的电阻较小，不会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，因此本实施例适用于高亮度、或高功率效率的OLED； 本实施例中的引线电极1也可以采用第二电极12避空设计，即辅助电极避空设计，但第一电极11一般采用ITO材质，ITO的方阻较大，若采用辅助电极避空设计，则会对电子器件的亮度及功率效率产生影响，效果不如采用第一电极11避空设计的方案。

所述引线电极1与所述IC 3的连接方式为COG绑定或柔性OLED IC绑定，但不局限于此；所述第二电极12往AA区方向，优选但不限定于0.3mm的距离开始避空设计所述第一电极11，即所述第二电极12从所述IC连接区域2的边缘进入所述IC连接区域2内的长度优选但不限定于0.3mm。

所述OLED为PMOLED或者AMOLED。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种引线电极，所述引线电极上预设有IC连接区域，其特征在于，所述引线电极包括第一电极和设在所述第一电极上的第二电极，所述第一电极从所述IC连接区域外走线至所述IC连接区域的边缘，所述第二电极从所述IC连接区域外走线至所述IC连接区域内。

2.根据权利要求1所述的引线电极，其特征在于，所述第一电极为ITO电极，所述第二电极为辅助电极。

3.根据权利要求2所述的引线电极，其特征在于，所述辅助电极为金属电极或者多叠层电极。

4.根据权利要求3所述的引线电极，其特征在于，所述多叠层电极的CAP层的厚度为800-4000Å。

5.一种引线电极与IC的连接结构，其特征在于，所述引线电极为权利要求1-4中任一所述的引线电极，所述IC连接在所述引线电极上预设的IC连接区域上。

6.根据权利要求5所述的引线电极与IC的连接结构，其特征在于，所述引线电极与所述IC的连接方式为COG绑定。

7.一种OLED，其特征在于，包括权利要求5或6中任一所述的引线电极与IC的连接结构。

8.根据权利要求7所述的OLED，其特征在于，所述OLED为AMOLED、或者PMOLED。