CN205545181U - 一种寄生导通效应消除电路 - Google Patents
一种寄生导通效应消除电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205545181U CN205545181U CN201620314495.XU CN201620314495U CN205545181U CN 205545181 U CN205545181 U CN 205545181U CN 201620314495 U CN201620314495 U CN 201620314495U CN 205545181 U CN205545181 U CN 205545181U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pole
- semiconductor
- oxide
- resistance
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
本实用新型特别涉及一种寄生导通效应消除电路。该寄生导通效应消除电路，包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管T1和T2，所述MOS管T1和T2的S极和D极之间分别通过二极管D1和D2单向连通；所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容C1，所述MOS管T1的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地；所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Q1，所述三级管Q1分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。该寄生导通效应消除电路，结构简单，通过将MOS管的G极与S极短路来消除寄生导通效应，这样流经米勒电容的电流将通过三极管旁路而不至于流向驱动器电路，有效的消除了IGBT的寄生导通效应。
Description
技术领域
本实用新型涉及UPS主机/电源模块设计技术领域，特别涉及一种寄生导通效应消除电路。
背景技术
米勒效应所产生的电容和峰值问题在日常工作中，属于一种比较常见的情况。在IGBT模块操作中，如果没有及时处理米勒电容问题，很容易造成IGBT损坏。
在日常的工作过程中，IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题，往往见于明显的在0到15V类型的门极驱动器，也就是工程师们常说的单电源驱动器。门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通，也就是门集电压尖峰，这对于IGBT乃至整机来说，都是一种潜在的危险。
通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，通常有三种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极电压驱动，第三个是改变门极电阻。如果使用第一方案，那么会使驱动电源功耗会增加，相同的门极驱动电阻情况下IGBT的开关损耗也会增加。第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题。第三种方法会增加开通损耗。本发明是一种有源米勒钳位的方法，解决IGBT米勒电容引起的寄生导通效应的问题。
基于上述问题，本实用新型提出了一种寄生导通效应消除电路。
发明内容
本实用新型为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单高效的寄生导通效应消除电路。
本实用新型是通过如下技术方案实现的：
一种寄生导通效应消除电路，其特征在于：包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述驱动器电路通过电阻R1连接到所述单电源驱动电路；所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管T1和T2，所述MOS管T1和T2的S极和D极之间分别通过二极管D1和D2单向连通；所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容C1，所述MOS管T1的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地；所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Q1，所述三极管Q1分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。
所述三极管Q1的E极和C极分别接MOS管T2的G极和S极，当MOS管T2的G极和S极的电压到达最大值VGSmax时，三极管Q1处于导通状态；三极管Q1的B极和C极分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1；所述MOS管T2的G极通过电阻R2连接到电阻R1。
所述三极管Q1为PNP型三极管。
所述MOS管T1和T2均为P型MOS管。
所述MOS管T1的G极接驱动器电路。
所述MOS管T2的G极和S极的电压最大值VGSmax为2.4V。
本实用新型的有益效果是：该寄生导通效应消除电路，结构简单，通过将MOS管的G极与S极短路来消除寄生导通效应，这样流经米勒电容的电流将通过三极管旁路而不至于流向驱动器电路，有效的消除了IGBT的寄生导通效应。
附图说明
附图1为本实用新型寄生导通效应消除电路结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行详细的说明。应当说明的是，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
该寄生导通效应消除电路，包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述驱动器电路通过电阻R1连接到所述单电源驱动电路；所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管T1和T2，所述MOS管T1和T2的S极和D极之间分别通过二极管D1和D2单向连通；所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容C1，所述MOS管T1的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地；所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Q1，所述三极管Q1分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。
所述三极管Q1的E极和C极分别接MOS管T2的G极和S极，当MOS管T2的G极和S极的电压到达最大值VGSmax时，三极管Q1处于导通状态；三极管Q1的B极和C极分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1；所述MOS管T2的G极通过电阻R2连接到电阻R1。
所述三极管Q1为PNP型三极管。
所述MOS管T1和T2均为P型MOS管。
所述MOS管T1的G极接驱动器电路。
所述MOS管T2的G极和S极的电压最大值VGSmax为2.4V。
Claims (5)
1.一种寄生导通效应消除电路，其特征在于：包括驱动器电路和单电源驱动电路，所述驱动器电路通过电阻R1连接到所述单电源驱动电路；所述单电源驱动电路包括串连在一起的MOS管T1和T2，所述MOS管T1和T2的S极和D极之间分别通过二极管D1和D2单向连通；所述MOS管T2的D极和G极之间连接有电容C1，所述MOS管T1的D极连接高压直流电源，所述MOS管T2的S极接地；所述MOS管T2的G极与S极之间连接三极管Q1，所述三极管Q1分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1。
2.根据权利要求1所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于：所述三极管Q1的E极和C极分别接MOS管T2的G极和S极，当MOS管T2的G极和S极的电压到达最大值VGSmax时，三极管Q1处于导通状态；三极管Q1的B极和C极分别通过电阻R3和R4连接到电阻R1；所述MOS管T2的G极通过电阻R2连接到电阻R1。
3.根据权利要求1或2所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于：所述三极管Q1为PNP型三极管。
4.根据权利要求2所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于：所述MOS管T2的G极和S极的电压最大值VGSmax为2.4V。
5.根据权利要求1所述的寄生导通效应消除电路，其特征在于：所述MOS管T1和T2均为P型MOS管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620314495.XU CN205545181U (zh) | 2016-04-15 | 2016-04-15 | 一种寄生导通效应消除电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620314495.XU CN205545181U (zh) | 2016-04-15 | 2016-04-15 | 一种寄生导通效应消除电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205545181U true CN205545181U (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=56792576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620314495.XU Expired - Fee Related CN205545181U (zh) | 2016-04-15 | 2016-04-15 | 一种寄生导通效应消除电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205545181U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110474522A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-19 | 阳光电源股份有限公司 | 一种i字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路 |
-
2016
- 2016-04-15 CN CN201620314495.XU patent/CN205545181U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110474522A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-19 | 阳光电源股份有限公司 | 一种i字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路 |
| CN110474522B (zh) * | 2019-08-19 | 2020-11-10 | 阳光电源股份有限公司 | 一种i字形多电平模拟驱动电路及其软关断电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104883038A (zh) | 一种应用负压关断半桥电路驱动器的半桥电路及其方法 | |
| CN103825436B (zh) | 一种高速大电流的功率场效应管驱动电路 | |
| CN206332447U (zh) | 直流输入防浪涌电压电路 | |
| CN108462163B (zh) | 满足负向浪涌要求的直流防反接电路 | |
| EP2698911A1 (en) | Power electronic circuit | |
| CN109004813A (zh) | 一种抑制驱动电压尖峰的mos管驱动电路 | |
| CN102545868A (zh) | 一种ORing Fet阻断电路及电源系统 | |
| CN202372918U (zh) | 一种故障隔离电路 | |
| CN101674001A (zh) | 带有死区控制的桥式驱动电路 | |
| CN103036226A (zh) | 低成本低功耗供电反接保护电路及其保护方法 | |
| CN103023470B (zh) | 三电极单向导通场效应管 | |
| CN205545181U (zh) | 一种寄生导通效应消除电路 | |
| CN104052337B (zh) | 电机驱动电路 | |
| CN105846665A (zh) | 一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路 | |
| CN205622211U (zh) | 一种电源保护电路 | |
| CN105322948B (zh) | 半桥驱动电路 | |
| CN102738781B (zh) | 一种过压保护电路、ic芯片及过压保护方法 | |
| CN108199456B (zh) | 一种锂电池快速充电电路及充电方法 | |
| CN218569902U (zh) | 一种省耗电源的智能切换电路 | |
| CN207368744U (zh) | 电源供电切换电路 | |
| CN105811819B (zh) | 一种电机控制用mos管驱动电路 | |
| CN205666809U (zh) | Igbt驱动保护电路 | |
| CN210807066U (zh) | 门极驱动电路、充电装置 | |
| CN103683883A (zh) | 一种单电源供电抑制igbt米勒电容效应的电路 | |
| CN211046793U (zh) | 一种同步整流电路及无线充电装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160831 Termination date: 20180415 |