CN205528553U - 高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜 - Google Patents
高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。本实用新型应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
Description
技术领域：
本实用新型涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
背景技术：
技术
近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。尽管传统的铁电陶瓷有着超高的介电常数，但是其高加工温度，低击穿电压，高脆性和刚性限制了在电子行业的应用。因此，现在的材料很难满足灵活多变的需求。
聚偏氟乙烯（
PVDF
）由于其非凡的热性能和压电性能，在制动器和传感器方面的广泛应用，已经成为一种重要的介电功能材料。但是，聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，氧化锌作为高储能的半导体材料，广泛应于介电功能材料的改性方面。可以在保持较低的介电损耗的条件下，有效地提升材料的介电常数。
发明内容：
本实用新型的目的是提供一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
上述的目的通过以下的技术方案实现：
一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层，其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。
所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中氧化锌的形貌为棒状和莲花状。
所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的棒状氧化锌的长度为
10-20
μ
m
，直径为
700nm
，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的莲花状氧化锌的直径为
10
μ
m
。
本实用新型的有益效果：
1.
本实用新型高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料，可以有效的提高电容器的储电能力和半导体存储器件的存储功能，并且可以保持较低的介电损耗。
本实用新型高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，用掺杂铁粒子的氧化锌改性聚偏氟乙烯，在保持聚偏氟乙烯本身较低的介电损耗的同时，极大地提高了复合材料的介电常数。
本实用新型高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，掺杂的氧化锌粉体粒径小，为纳米级，且氧化锌在聚偏氟乙烯基体中分散良好，保持了聚偏氟乙烯的力学性能。保证了材料在其应用领域对力学性能的需求。
本实用新型高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，制备工艺简单，无污染，耗能低，成本低，安全系数高，适合工业化生产。
附图说明：
附图
1
是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式：
实施例
1
：
一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层
1
、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层
2
，其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。
实施例
2
：
根据实施例
1
所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中氧化锌的形貌为棒状和莲花状。
实施例
3
：
根据实施例
1
或
2
所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的棒状氧化锌的长度为
10-20
μ
m
，直径为
700nm
，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的莲花状氧化锌的直径为
10
μ
m
。
Claims (3)
1.一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层，其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置。
2.根据权利要求1所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其特征是：所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中氧化锌的形貌为棒状和莲花状。
3.根据权利要求1所述的高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其特征是：所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的棒状氧化锌的长度为10-20μm，直径为700nm，所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层中掺杂的莲花状氧化锌的直径为10μm。
Applications Claiming Priority (2)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205528553U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105235343A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-01-13 | 哈尔滨理工大学 | 高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法 |
| CN106432990A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-02-22 | 沈阳化工大学 | 一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法 |
-
2016
- 2016-01-19 CN CN201620048776.5U patent/CN205528553U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105235343A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-01-13 | 哈尔滨理工大学 | 高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法 |
| CN105235343B (zh) * | 2015-10-28 | 2018-10-12 | 哈尔滨理工大学 | 高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法 |
| CN106432990A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-02-22 | 沈阳化工大学 | 一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法 |
| CN106432990B (zh) * | 2016-09-13 | 2018-09-11 | 沈阳化工大学 | 一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法 |
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