CN205450358U - 一种提高探测器饱和光功率的结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及光电通信技术领域，提出了一种提高探测器饱和光功率的结构，所述结构包括TO底座101、探测器芯片103和适配器106，具体的：所述TO底座101上安装有探测器芯片103，所述探测器芯片103与适配器106之间设置有衰减片202。本实用新型实施例中所涉及的探测器的饱和光功率可根据实际需求情况，通过更改衰减片的衰减量自行选择，不影响探测器芯片及跨阻放大器的选择，灵活性更强。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电通信技术领域，尤其涉及一种提高探测器饱和光功率的结构。
背景技术
目前在光电通信领域中，对于探测器组件100，也称之为光接收次组件(ReceiverOpticalSubassembly，简写为：ROSA)，如图1所示，主要包括以下部件：TO底座101，垫块102，探测器芯片103，目前通常是PIN芯片，跨阻放大器芯片104，TO帽105，通常会带有水滴透镜或球透镜，和适配器106组成。其中TO(TransistorOutline)底座101，垫块102，探测器芯片103，跨阻放大器芯片104以及TO帽105通常先行封装成一个整体为TO-Can，TO-Can再与适配器106通过粘胶或焊接工艺组装成一个探测器组件。对于光探测功能是通过以下步骤实现的：待探测的信号光先通过适配器106，后经TO帽105上的透镜汇聚至探测器芯片103实现光电转换，转换后的电信号通过跨阻放大器芯片104来实现信号的放大。目前绝大多数跨阻放大器芯片104允许的最大输入信号电流为1mA，按照0.9A/W的响应度计算探测器的饱和光功率为0.46dBm。光功率超过该最大输入信号电流值，则容易出现光信号误判(误码)甚至元件的损伤。
因此有必要设计一种提高探测器饱和光功率的结构，以克服上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之光功率超过该最大输入信号电流值，则容易出现光信号误判(误码)甚至元件的损伤，而通过选取允许的最大输入信号电流更大的跨阻放大器芯片，这样又会造成选型困难且饱和光功率的改善有限的问题。为了解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种提高探测器饱和光功率的结构。
本实用新型是这样实现的：
一方面本实用新型提供了一种提高探测器饱和光功率的结构，所述结构包括TO底座101、探测器芯片103和适配器106，具体的：
所述TO底座101上安装有探测器芯片103，所述探测器芯片103与适配器106之间设置有衰减片202。
优选的，所述结构还包括垫块102、跨阻放大器芯片104：
垫块102和跨阻放大器芯片104贴装在TO底座101上；探测器芯片103贴装于垫块102上，所述探测器芯片103和所述跨阻放大器芯片104之间由金丝键合。
优选的，所述结构还包括高阻小硅块201，具体的：
所述垫块102上粘贴有高阻小硅块201，所述高阻小硅块201上粘贴所述衰减片202。
优选的，所述结构还包括：
所述TO底座101上封装有TO帽105，所述TO帽105中心对准所述探测器芯片103中心处设置有透镜；
所述TO帽105之外封装有所述适配器106。
优选的，所述探测器芯片103的光接收面与TO底座101按照同轴心方式贴装于垫块102上。
另一方面，本实用新型实施例还提供了一种提高探测器饱和光功率的结构，所述结构包括TO底座101、TO帽105和适配器106，具体的：
所述TO底座101上安装有探测器芯片103，所述TO帽105固定在所述TO底座101上，所述适配器106套接在所述TO帽105上；
所述TO帽105和所述适配器106之间设置有衰减片202。
优选的，所述结构还包括垫块102、跨阻放大器芯片104：
垫块102和跨阻放大器芯片104贴装在TO底座101上；探测器芯片103贴装于垫块102上，所述探测器芯片103和所述跨阻放大器芯片104之间由金丝键合。
优选的，所述结构还包括金属支架203，具体的：
所述金属支架203固定在所述TO帽105上，所述金属支架203上粘贴所述衰减片202。
优选的，所述结构还包括：
所述TO底座101上封装有TO帽105，所述TO帽105中心对准所述探测器芯片103中心处设置有透镜，由所述探测器芯片103、透镜和适配器106的进光口构成的光路通过所述衰减片202。
优选的，所述探测器芯片103的光接收面与TO底座101按照同轴心方式贴装于垫块102上。
本实用新型具有以下有益效果：本实用新型实施例中所涉及的探测器的饱和光功率可根据实际需求情况，通过更改衰减片的衰减量自行选择，不影响探测器芯片及跨阻放大器的选择，灵活性更强。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本实用新型实施例提供的现有技术中使用的一种光功率探测器组件的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的一种提高探测器饱和光功率的结构示意图；
图3为本实用新型实施例提供的一种提高探测器饱和光功率的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
探测器的饱和光功率受制于跨阻放大器芯片104允许的最大输入信号电流。目前绝大多数跨阻放大器芯片104允许的最大输入信号电流为1mA，按照0.9A/W的响应度计算探测器的饱和光功率为0.46dBm。光功率超过该值容易出现光信号误判(误码)甚至元件的损伤。主要的解决措施为选取允许的最大输入信号电流更大的跨阻放大器芯片，这样会造成选型困难且饱和光功率的改善有限。
实施例一：
如图2所示，本实用新型实施例提供一种提高探测器饱和光功率的结构200，所述结构200包括TO底座101、探测器芯片103和适配器106，具体的：
所述TO底座101上安装有探测器芯片103，所述探测器芯片103与适配器106之间设置有衰减片202。
本实用新型实施例中所涉及的探测器的饱和光功率可根据实际需求情况，通过更改衰减片的衰减量自行选择，不影响探测器芯片及跨阻放大器的选择，灵活性更强。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述结构还包括垫块102、跨阻放大器芯片104：
垫块102和跨阻放大器芯片104贴装在TO底座101上；探测器芯片103贴装于垫块102上，所述探测器芯片103和所述跨阻放大器芯片104之间由金丝键合。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述结构还包括高阻小硅块201，具体的：
所述垫块102上粘贴有高阻小硅块201，所述高阻小硅块201上粘贴所述衰减片202。
其中，所述高阻小硅块201可以是单块方式存在，也可以是基于探测器芯片103所在位置对称方式存在。此外，所述高阻小硅块201可以呈立方体结构的方式呈现，也可以是围绕着所述探测器芯片103呈扇形结构的方式呈现。上述几种高阻小硅块的实现方式以及在此基础上做的组合或类似方案都属于本实用新型的保护范围。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述结构还包括：
所述TO底座101上封装有TO帽105，所述TO帽105中心对准所述探测器芯片103中心处设置有透镜；
所述TO帽105之外封装有所述适配器106。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述探测器芯片103的光接收面与TO底座101按照同轴心方式贴装于垫块102上。
实施例二：
本实用新型实施例还提供了一种提高探测器饱和光功率的结构300，如图3所示，所述结构300包括TO底座101、TO帽105和适配器106，具体的：
所述TO底座101上安装有探测器芯片103，所述TO帽105固定在所述TO底座101上，所述适配器106套接在所述TO帽105上；
所述TO帽105和所述适配器106之间设置有衰减片202。
本实用新型实施例中所涉及的探测器的饱和光功率可根据实际需求情况，通过更改衰减片的衰减量自行选择，不影响探测器芯片及跨阻放大器的选择，灵活性更强。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述结构还包括垫块102、跨阻放大器芯片104：
垫块102和跨阻放大器芯片104贴装在TO底座101上；探测器芯片103贴装于垫块102上，所述探测器芯片103和所述跨阻放大器芯片104之间由金丝键合。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述结构还包括金属支架203，具体的：
所述金属支架203固定在所述TO帽105上，所述金属支架203上粘贴所述衰减片202。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述结构还包括：
所述TO底座101上封装有TO帽105，所述TO帽105中心对准所述探测器芯片103中心处设置有透镜，由所述探测器芯片103、透镜和适配器106的进光口构成的光路通过所述衰减片202。
结合本实用新型实施例，存在一种优选的方案，其中，所述探测器芯片103的光接收面与TO底座101按照同轴心方式贴装于垫块102上。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种提高探测器饱和光功率的结构，其特征在于，所述结构包括TO底座(101)、探测器芯片(103)和适配器(106)，具体的：
所述TO底座(101上安装有探测器芯片(103)，所述探测器芯片(103)与适配器(106)之间设置有衰减片(202)。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构还包括垫块(102)、跨阻放大器芯片(104)：
垫块(102)和跨阻放大器芯片(104)贴装在TO底座(101)上；探测器芯片(103)贴装于垫块(102)上，所述探测器芯片(103)和所述跨阻放大器芯片(104)之间由金丝键合。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述结构还包括高阻小硅块(201)，具体的：
所述垫块(102)上粘贴有高阻小硅块(201)，所述高阻小硅块(201)上粘贴所述衰减片(202)。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构还包括：
所述TO底座(101)上封装有TO帽(105)，所述TO帽(105)中心对准所述探测器芯片(103)中心处设置有透镜；
所述TO帽(105)之外封装有所述适配器(106)。
5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述探测器芯片(103)的光接收面与TO底座(101)按照同轴心方式贴装于垫块(102)上。
6.一种提高探测器饱和光功率的结构，其特征在于，所述结构包括TO底座(101)、TO帽(105)和适配器(106)，具体的：
所述TO底座(101)上安装有探测器芯片(103)，所述TO帽(105)固定在所述TO底座(101)上，所述适配器(106)套接在所述TO帽(105)上；
所述TO帽(105)和所述适配器(106)之间设置有衰减片(202)。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述结构还包括垫块(102)、跨阻放大器芯片(104)：
垫块(102)和跨阻放大器芯片(104)贴装在TO底座(101)上；探测器芯片(103)贴装于垫块(102)上，所述探测器芯片(103)和所述跨阻放大器芯片(104)之间由金丝键合。
8.根据权利要求6或7所述的结构，其特征在于，所述结构还包括金属支架(203)，具体的：
所述金属支架(203)固定在所述TO帽(105)上，所述金属支架(203)上粘贴所述衰减片(202)。
9.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述结构还包括：
所述TO底座(101)上封装有TO帽(105)，所述TO帽(105)中心对准所述探测器芯片(103)中心处设置有透镜，由所述探测器芯片(103)、透镜和适配器(106)的进光口构成的光路通过所述衰减片(202)。
10.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述探测器芯片(103)的光接收面与TO底座(101)按照同轴心方式贴装于垫块(102)上。
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| CN201520851046.4U CN205450358U (zh) | 2015-10-29 | 2015-10-29 | 一种提高探测器饱和光功率的结构 |
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| CN201520851046.4U CN205450358U (zh) | 2015-10-29 | 2015-10-29 | 一种提高探测器饱和光功率的结构 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107357008A (zh) * | 2017-07-01 | 2017-11-17 | 武汉电信器件有限公司 | 一种开放式高速率组件及其设计方法 |
| CN107357006A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-11-17 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种基于平窗型to封装的透镜耦合装置、结构和方法 |
| CN114883419A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-09 | Nano科技(北京)有限公司 | 一种提升探测器高功率工作特性的封装结构 |
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