CN205319705U - 一种无功功率补偿电容投切开关 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电容投切开关，属于电力设备领域，具体涉及一种无功功率补偿电容投切开关。包括：第一断路器、第二断路器、第三断路器，其中：三相电源的A相、B相、C相分别通过第一断路器、第二断路器、第三断路器和无功功率补偿电容器组相连，所述第二断路器和第三断路器分别并联有可控硅组，所述可控硅组的触发端连接有用于控制所述可控硅组导通或切除的控制电路。因此，本实用新型具有如下优点：1.设计合理，结构简单，经济且完全实用；2.电容器投入时不会产生涌流，投切均不会拉弧。从而取消或减少串联电抗，保护无功补偿电容；3.可控硅组只作为电路投入和切除元件，能量损耗小。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电容投切开关，属于电力设备领域，具体涉及一种无功功率补偿电容投切开关。
背景技术
目前工业用10kV无功补偿电容器的投切开关常采用断路器作为电容器的投切开关，由于电容器的容量很大，断路器闭合瞬间电源电压可能会很高，投入电容器时主回路可能会产生很大涌流。为了限制涌流，常在电容主回路串联电抗器。串联电抗器不仅损失补偿容量，而且可能引发震荡，并且串联电抗器体积大，价格较高。如果在断路器断口并联可控硅组，作为电容器的投切开关，利用可控硅组投切相位的精确可控性，降低主回路导通瞬间的电源电压，进而大大降低涌流。由于可控硅组运行时会产生能量损耗，温度升高，必须加装大功率散热器，技术经济都不合适。
实用新型内容
本实用新型主要是解决现有技术所存在的容易产生涌流，功耗大等技术问题，提供了一种无功功率补偿电容投切开关。该无功功率补偿电容投切开关采用断路器触头和可控硅组并联的电路结构，配合由软件控制的投切策略和投切时机选择，使得在电容器投入时不会产生涌流，投切均不会拉弧。从而取消或减少串联电抗，保护无功补偿电容。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种无功功率补偿电容投切开关，包括：第一断路器、第二断路器、第三断路器，其中：三相电源的A相、B相、C相分别通过第一断路器、第二断路器、第三断路器和无功功率补偿电容器组相连，所述第二断路器和第三断路器分别并联有可控硅组，所述可控硅组的触发端连接有用于控制所述可控硅组导通或切除的控制电路。
优化的，上述的一种无功功率补偿电容投切开关，所述控制电路包括：中央处理器CPU、放大电路及触发信号产生电路。
优化的，上述的一种无功功率补偿电容投切开关，所述可控硅组包括两个并联的并且接向相反的二极管，所述控制电路分别与二极管的阴极相连。
优化的，上述的一种无功功率补偿电容投切开关，所述电容器组包括电容C1、电容C2、电容C3，其中：所述电容C1连接第一断路器的输出端和第三断路器的输出端，所述电容C2连接第一断路器的输出端和第二断路器的输出端，所述电容C3连接第二断路器的输出端和第三断路器的输出端。
因此，本实用新型具有如下优点：1.设计合理，结构简单，经济且完全实用；2.电容器投入时不会产生涌流，投切均不会拉弧。从而取消或减少串联电抗，保护无功补偿电容；3.可控硅组只作为电路投入和切除元件，能量损耗小。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：
一种无功功率补偿电容投切开关，包括：第一断路器、第二断路器、第三断路器，其中：三相电源的A相、B相、C相分别通过第一断路器、第二断路器、第三断路器和无功功率补偿电容器组相连，第二断路器和第三断路器分别并联有可控硅组，可控硅组的触发端连接有用于控制可控硅组导通或切除的控制电路。
本实施例中，可控硅组包括两个并联的并且接向相反的二极管，控制电路分别与二极管的阴极相连。其中，与第二断路器并联的两个二极管分别与控制电路的输出端CTL_B1和CTL_B2相连；与第三断路器并联的两个二极管分别与控制电路的输出端CTL_C1和CTL_C2相连。
电容器组包括电容C1、电容C2、电容C3，其中：电容C1连接第一断路器的输出端和第三断路器的输出端，电容C2连接第一断路器的输出端和第二断路器的输出端，电容C3连接第二断路器的输出端和第三断路器的输出端。
控制电路由中央处理器CPU、放大电路及触发信号产生电路构成，其中中央处理器CPU的数据输入输出端与系统PT,CT的输出端相连，中央处理器CPU采集到系统数据，经过计算处理后，适时发出可控硅组导通命令或切除命令。
采用上述结构后，本实施用新型的工作过程如下：
(1)合闸过程：该开关的三相主触头分别独立。当开关接到合闸命令后，首先闭合A相，然后检测B相电压，在B相电压过零时刻，B相可控硅的触发电路向可控硅发出触发信号，可控硅导通。当B相可控硅可靠导通后，B相开关主触头闭合，可控硅退出运行。C相合闸过程与B相相同。
(2)分闸过程：当开关接到分闸命令后，首先投入可控硅(B,C相触发脉冲)，然后断开B,C向开关主触头，然后停止B,C相触发脉冲。B,C相电流会在过零时自然关断。最后断开A相主触头。
由于电压较高，电流较大，可控硅优选采用串并联方式，图1中只画出一组。并且，控制可控硅触发的控制电路与可控硅之间要采取隔离措施。
由于本发明采用断路器触头和可控硅组并联的电路结构，配合由软件控制的投切策略和投切时机选择，使得在电容器投入时不会产生涌流，投切均不会拉弧，从而取消或减少串联电抗，保护无功补偿电容。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (4)
1.一种无功功率补偿电容投切开关，包括：第一断路器、第二断路器、第三断路器，其中：三相电源的A相、B相、C相分别通过第一断路器、第二断路器、第三断路器和无功功率补偿电容器组相连，其特征在于，所述第二断路器和第三断路器分别并联有可控硅组，所述可控硅组的触发端连接有用于控制所述可控硅组导通或切除的控制电路。
2.根据权利要求1所述的一种无功功率补偿电容投切开关，其特征在于，所述控制电路包括：中央处理器CPU、放大电路及触发信号产生电路。
3.根据权利要求1所述的一种无功功率补偿电容投切开关，其特征在于，所述可控硅组包括两个并联的并且接向相反的二极管，所述控制电路分别与二极管的阴极相连。
4.根据权利要求1所述的一种无功功率补偿电容投切开关，其特征在于，所述电容器组包括电容C1、电容C2、电容C3，其中：所述电容C1连接第一断路器的输出端和第三断路器的输出端，所述电容C2连接第一断路器的输出端和第二断路器的输出端，所述电容C3连接第二断路器的输出端和第三断路器的输出端。
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2016
- 2016-01-07 CN CN201620009343.9U patent/CN205319705U/zh not_active Expired - Fee Related
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