CN205300838U - 扩散硅压力传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种传感器，具体涉及一种扩散硅压力传感器，包括基座，基座上设置凹槽，所述凹槽内设置填充物，所述填充物为圆柱体，填充物中部设有通孔，所述通孔四周环形排列有多个圆形阶梯孔。本实用新型在保证传感器体积不变的情况下，尽量增大填充物的体积，减小传感器的充油量，从而提高传感器的零位温漂性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种传感器，具体涉及一种扩散硅压力传感器。
背景技术
压力变送器用于感测液体、气体的压力，将不易直接感知的压力信号转变成易于测量的4-20mADC标准工业信号，便于远距离传输，测量和控制。压力变送器广泛应用于各种工业自控环境，涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。
压力变送器中均设置压力传感器，用来将压力信号转化为可识别信号。使用时，压力传感器会出现零位温漂现象，提高压力传感器零位温漂性能的几个方式有：增大膜片面积、减小膜片厚度、减少充油量、减小油密度等。其中，中量程传感器(300KPa以上的)因其灵敏度低，改变以上四个因素的某因素后，对其零位温漂的影响量比较小，效果并不明显。
然而对于灵敏度较高的低量程压力传感器(35KPa),改变以上四个因素中的其中某一因素，对传感器的零位温漂的影响量较为明显。其中，减少充油量可通过在传感器中设置填充物来实现，现有技术中，通常使用圆柱体型的陶瓷盖帽作为填充物，如图1所示，然而由于现有填充物结构简单，填充体积小，对于传感器的零位温漂性能影响较小。
实用新型内容
本实用新型提供一种提高零位温漂性能的、量程较低的扩散硅压力传感器。
本实用新型采用如下技术方案：
一种扩散硅压力传感器，包括基座，基座上设置凹槽，所述凹槽内设置填充物，所述填充物为圆柱体，填充物中部设有通孔，所述通孔四周环形排列有多个圆形阶梯孔。
所述扩散硅压力传感器包括芯片，所述芯片设置在通孔内，芯片上连接有引线。
所述扩散硅压力传感器包括膜片，所述膜片设置在基座上部，通过膜片的形变传递压力信号。
所述扩散硅压力传感器包括压环，所述压环设置在基座的上部。
所述通孔一侧还设置有圆形安装孔，用来固定填充物的位置。
所述填充物为陶瓷材质。
本实用新型的优点及有益效果为：
本实用新型在保证传感器体积不变的情况下，尽量增大填充物的体积，减小传感器的充油量，从而提高传感器的零位温漂性能。
附图说明
图1为现有技术填充物的结构示意图；
图2为本实用新型填充物的结构示意图；
图3为图2的A-A剖视图；
图4为本实用新型的结构示意图。
其中，1-基座，2-填充物，3-引线，4-芯片，5-膜片，6-压环，7-阶梯孔，8-通孔，9-安装孔。
具体实施方式
如图4所示，一种扩散硅压力传感器，包括基座1、填充物2、引线3、芯片4、膜片5、压环6，基座1上设置凹槽，所述凹槽内设置填充物2。所述膜片5设置在基座1上部，压环6设置在基座1的顶部。
如图2、图3所示，所述填充物2为陶瓷制成的圆柱体，填充物2中部设有通孔8，芯片4设置在通孔8内，芯片4通过引线3与系统连接。所述通孔8四周环形排列有多个圆形阶梯孔7。通孔8一侧还设置有圆形安装孔9，用来固定填充物。
Claims (6)
1.一种扩散硅压力传感器，包括基座，基座上设置凹槽，其特征是，所述凹槽内设置填充物，所述填充物为圆柱体，填充物中部设有通孔，所述通孔四周环形排列有多个圆形阶梯孔。
2.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器，其特征是，包括芯片，所述芯片设置在通孔内。
3.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器，其特征是，包括膜片，所述膜片设置在基座上部。
4.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器，其特征是，包括压环，所述压环设置在基座的上部。
5.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器，其特征是，所述通孔一侧还设置有圆形安装孔。
6.根据权利要求1所述的扩散硅压力传感器，其特征是，所述填充物为陶瓷材质。
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2015
- 2015-12-31 CN CN201521140436.7U patent/CN205300838U/zh not_active Expired - Fee Related
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