CN2051395U - 优质内偏激磁线圈 - Google Patents
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Abstract
陶瓷管状结构的内偏激磁线圈，是一种用于电子
显示器件中磁偏转系统的内偏转激磁部件，采用圆筒
状陶瓷管作为绝缘介质，在其表面涂敷螺旋状导电
带，或在陶瓷管表面上刻制的螺纹槽内涂敷导电材
料，并经高温烧结或真空镀膜等工艺制成导电线圈。
它具有结构简单、制作方便和一致性好等优点，克服
了现有内偏转线圈因漆包线高温性能不良对电子显
示器件的影响，提高了器件的真空性能和绝缘性能，
适合于机械化大生产。
Description
本实用新型是一种新型结构的内偏转激磁线圈，属于电子显示器件中磁偏转系统的内偏转激磁部件。
将磁偏转系统放在显示管内的结构称为内偏转结构。现有内偏转系统中所用的激磁线圈，都是仿照外偏转系统，采用耐高温漆包线绕制而成。由于漆包线外层的耐高温漆易在受高温烘烤后使绝缘特性下降，因而限制了内偏线圈高温去气的温度，不利于提高真空性能，影响了电子器件、显示器件和显象管的质量。
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种新型结构的内偏激磁线圈，以便提高电子显示器件的真空性能。
本实用新型由绝缘骨架和导线组成，其特点是绝缘骨架采用圆筒状的陶瓷管，导线为采用涂覆或真空镀膜的方法形成的导电带，导电带在陶瓷管表面构成螺纹状的线圈。为了保护导电带和避免导电带构成线圈的短路，圆筒状陶瓷管的表面可以刻有螺纹槽，螺纹可以是三角形、梯形、矩形或圆弧形。陶瓷管的材料可以是75瓷、95瓷、99瓷或可切削氮化硼陶瓷及其他绝缘介质材料。对于用在彩色显象管中的内偏激磁线圈，其陶瓷管的内径可为φ2～φ10mm，外径为φ5～φ15mm，长度为5～20mm，螺距可以为0.3～2mm。导电线圈采用在圆筒状陶瓷管表面上涂覆螺纹状导电带，或者在表面刻有螺纹槽的陶瓷管的螺纹槽内涂覆导电材料，经高温烧结而成，也可以采用真空镀膜技术等制成。导电材料可以是银、铜铜、金或其它金属及合金材料。导电线圈可以在陶瓷管的内壁或外壁壁上加工形成，也可以在陶瓷管的内外壁上同时加工形成。对于陶瓷瓷管内外壁均有螺旋状导电带构成的内偏激磁线圈，其内外导电带间设有导电联接层。内偏装磁线圈可以采用一个陶瓷管制成，也可以采用不同直径的2～3个陶瓷管套制而成，此时的导电带通常采用陶瓷管外壁设置螺旋状导电带结构。
由于本实用新型采用的陶瓷管具有较好的耐高温特性，在真空条件下绝缘性能具有稳定性，导电带避免了现有技术中漆包线高温性能不良而对显示器件带来真空性能的影响，因而有利于提高电子显示器件的可靠性。本实用新型具有结构简单、制作方便等优点，可以用作各种电子显示器件的内偏转激磁部件。
图1为圆筒状陶瓷管外壁上涂覆导电带的结构示意图；图2为陶瓷管表面刻有螺纹槽的结构示意图1为导电带，2为陶瓷管。
本实用新型可采用如下实施例的方式实现：
实施例1：如图1所示，采用99瓷制成圆筒状陶瓷管，其内径为2mm，外径为5mm，外壁涂覆螺距为0.8mm的氧化银涂层，经500℃高温烧结形成银导电带的线圈。
实施例2：采用95真空陶瓷制成如图2所示的螺旋状陶瓷管，其内径为3mm，外径为6mm，外壁刻有螺距为0.5mm的螺纹40～80圈，螺纹槽内涂有氧化银，经500℃高温烧结后形成螺纹状银导电带的线圈。
实施例3：如图2所示，采用可切削氮化硼陶瓷棒，经机械加工形成螺纹槽，其尺寸可与实施例2相同，用钛银铜合金焊料涂在螺纹槽内，经900℃左右高温烧结形成内偏激磁线圈。
Claims (5)
1、一种用于电子显示器件的内偏转激磁线圈，由绝缘骨架和导线组成，其特征在于绝缘骨架采用圆筒状的陶瓷管，导线为采用涂覆或真空镀膜的方法形成的导电带，导电带在陶瓷管表面构成螺纹状的线圈。
2、根据权利要求1所述的内偏转激磁线圈，其特征在于圆筒状陶瓷管的表面可以刻有螺纹管，螺纹可以是三角形、梯形、矩形或圆弧形。
3、根据权利要求1或2所述的内偏转激磁线圈，其特征在于由75瓷、95瓷、99瓷或可切削氮化硼陶瓷及其他绝缘介质材料制成的陶瓷管的内径可为φ2～φ10mm，外径为φ5～φ15mm，长度为5～20mm，螺距可以为0.3～2mm。
4、根据权利要求1或2所述的内偏转激磁线圈，其特征在于采用在圆筒状陶瓷管表面构成的螺纹状线圈可以在陶瓷管的内壁或外壁上，也可以在陶瓷管的内外壁上构成。
5、根据权利要求4所述的内偏转激磁线圈，其特征在于可以由一个陶瓷管制成，也可以采用外壁设置螺旋状导电带的不同直径的2～3个陶瓷管套制而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 89205319 CN2051395U (zh) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 优质内偏激磁线圈 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 89205319 CN2051395U (zh) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 优质内偏激磁线圈 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2051395U true CN2051395U (zh) | 1990-01-17 |
Family
ID=4862511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 89205319 Withdrawn CN2051395U (zh) | 1989-08-19 | 1989-08-19 | 优质内偏激磁线圈 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2051395U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100492023C (zh) * | 2006-11-24 | 2009-05-27 | 中国计量科学研究院 | 一种涡流屏滤波器及其设计方法 |
| CN101956156B (zh) * | 2009-07-16 | 2013-04-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构 |
-
1989
- 1989-08-19 CN CN 89205319 patent/CN2051395U/zh not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100492023C (zh) * | 2006-11-24 | 2009-05-27 | 中国计量科学研究院 | 一种涡流屏滤波器及其设计方法 |
| CN101956156B (zh) * | 2009-07-16 | 2013-04-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C15 | Extension of patent right duration from 15 to 20 years for appl. with date before 31.12.1992 and still valid on 11.12.2001 (patent law change 1993) | ||
| RN01 | Renewal of patent term | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |