CN205099782U - 一种单晶炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种安全隐患较低的单晶炉。该单晶炉，包括上炉膛、下炉膛，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，下炉膛内设置有保温筒，保温筒内设置有石墨坩埚，石墨坩埚内设有石英坩埚，石墨坩埚外侧设置有加热器，石墨坩埚底部设置有坩埚旋转顶升机构，所述石墨坩埚与坩埚旋转顶升机构设置有圆形的石墨托板，石墨托板的外表面设置有环形挡板，环形挡板的上表面设置有溢流毯，溢流毯的上表面安装有溢流丝，溢流丝与报警装置相连。一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液沿石墨托板的外表面先流到溢流毯上，高温的硅液在接触到设置在溢流毯上的溢流丝时会将溢流丝熔断，进而会使报警装置发生报警信号。适合在单晶生产设备领域推广应用。

Description

一种单晶炉

技术领域

本实用新型涉及单晶生产设备领域，尤其是一种单晶炉。

背景技术

21世纪，世界能源危机促进了光伏市场的发展，晶体硅太阳能电池是光伏行业的主导产品。随着世界各国对太阳能光伏产业的进一步重视，特别是发达国家制定了一系列的扶持政策，鼓励开发利用太阳能，另外，随着硅太阳能电池应用面的不断扩大，太阳能电池的需求量越来越大，硅单晶材料的需求量也就越来越大。

单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法使目前普遍采用的方法。

直拉法生长单晶硅的方法如下：将高纯度的多晶硅原料放入单晶炉的石英坩埚内，然后在低真空有流动惰性气体的保护下加热熔化，把一支有着特定生长方向的单晶硅(也叫做籽晶)装入籽晶夹持装置中，并使籽晶与硅溶液接触，调整熔融硅溶液的温度，使其接近熔点温度，然后驱动籽晶自上而下伸入熔融的硅溶液中并旋转，然后缓缓上提籽晶，此时，单晶硅进入锥体部分的生长，当锥体的直径接近目标直径时，提高籽晶的提升速度，使单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部生长阶段，在单晶硅体生长接近结束时，再提高籽晶的提升速度，单晶硅体逐渐脱离熔融硅，形成下锥体而结束生长。用这种方法生长出来的单晶硅，其形状为两段呈锥形的圆柱体，将该圆柱体切片，即得到单晶硅半导体原料，这种圆形单晶硅片就可以作为集成电路或太阳能的材料。

单晶硅拉制一般在单晶炉中进行，目前，所使用的单晶炉包括上炉膛、下炉膛，上炉膛设置在下炉膛上方且上炉膛通过隔离阀固定在下炉膛顶部，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，所述下炉膛内设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，石墨坩埚外侧设置有加热器，加热器位于保温筒内，所述加热器通过加热电极固定在下炉膛底部，下炉膛的顶部连接有氩气管，所述氩气管穿过下炉膛伸入到下炉膛内，所述下炉膛的下部设置有真空抽口，所述真空抽口上连接有排放管，排放管末端连接有真空泵，真空泵的进口与排放管的出口相连，所述石英坩埚上方设置有籽晶夹持装置，所述籽晶夹持装置通过传动杆与籽晶旋转提升机构相连，所述石墨坩埚底部设置有坩埚旋转顶升机构，所述石墨坩埚与坩埚旋转顶升机构设置有圆形的石墨托板，这种单晶炉在实际使用过程中存在以下问题：单晶炉在使用过程中，有时会发生硅液溢流的现象，一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液会沿石墨托板的边缘滴落到炉膛底部将炉膛烧穿发生事故，存在较大的安全隐患。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种安全隐患较低的单晶炉。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：该单晶炉，包括上炉膛、下炉膛，上炉膛设置在下炉膛上方且上炉膛通过隔离阀固定在下炉膛顶部，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，所述下炉膛内设置有保温筒，所述保温筒内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，石墨坩埚外侧设置有加热器，加热器位于保温筒内，所述加热器通过加热电极固定在下炉膛底部，下炉膛的顶部连接有氩气管，所述氩气管穿过下炉膛伸入到下炉膛内，所述下炉膛的下部设置有真空抽口，所述真空抽口上连接有排放管，排放管末端连接有真空泵，真空泵的进口与排放管的出口相连，所述石英坩埚上方设置有籽晶夹持装置，所述籽晶夹持装置通过传动杆与籽晶旋转提升机构相连，所述石墨坩埚底部设置有坩埚旋转顶升机构，所述石墨坩埚与坩埚旋转顶升机构设置有圆形的石墨托板，所述石墨托板的外表面设置有环形挡板，所述环形挡板的上表面设置有溢流毯，所述溢流毯的上表面安装有溢流丝，所述溢流丝围绕石墨托板且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连。

进一步的是，所述氩气管上设置有气体加热装置，所述气体加热装置包括柱状基体，所述柱状基体内设置有圆柱形的气体加热空腔，所述柱状基体上设置有与气体加热空腔连通的进气口与出气口，所述进气口通过气管与氩气源连通，所述出气口与氩气管连通，所述柱状基体的表面缠绕有加热丝，所述加热丝连接在电源上，所述加热丝与电源之间设置有温控表，所述气体加热空腔内设置有热电偶温度计，所述热电偶温度计与温控表相连接。

进一步的是，还包括放大电路，所述热电偶温度计与放大电路的输入端连接，放大电路的输出端与温控表相连，所述放大电路包括电阻第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、NMOS管第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6和第七NMOS管M7；热电偶温度计D的负极接第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的栅极，其正极接地；第一NMOS管M1的漏极通过第一电阻R1接电源VDD，其栅极接第二NMOS管M2的漏极，其源极通过第二电阻R2接地；第二NMOS管M2的漏极通过第三电阻R3接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的源极，其源极接地；第三NMOS管M3的漏极通过第四电阻R4接电源VDD，其栅极接第四NMOS管M4的漏极，其源极通过第五电阻R5接地；第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接电源VDD，其源极接地；第五NMOS管M5的漏极通过第七电阻R7接电源VDD，其栅极接第三NMOS管M3的漏极；第六NMOS管M6的漏极通过第八电阻R8接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的漏极；第五NMOS管M5和第六NMOS管M6的源极共同接第七NMOS管M7的漏极；第七NMOS管M7的栅极接第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的栅极，其源极接地；第八电阻R8与第六NMOS管M6的连接点为放大电路的输出端。

进一步的是，所述下炉膛内设置有环形布气板，所述环形布气板水平设置在石墨坩埚的上方，所述环形布气板为夹层结构，包括第一上层板与第一下层板，所述第一上层板与第一下层板之间密封形成第一夹层空间，所述氩气管与第一夹层空间连通，所述第一下层板上设置有多个第一透气孔，所述多个第一透气孔在第一下层板上均布设置。

进一步的是，所述下炉膛底部设置有吸气板，所述吸气板水平设置，所述吸气板为夹层结构，包括第二上层板与第二下层板，所述第二上层板与第二下层板之间密封形成第二夹层空间，所述真空抽口与第二夹层空间连通，所述第二上层板上设置有多个第二透气孔，所述多个第二透气孔在第二上层板上均布设置。

进一步的是，所述真空泵的进口与真空抽口之间设置有旁路管，所述旁路管上设置有用于使旁路管导通或关闭的旁通阀，所述排放管上设置有用于使排放管导通或关闭的工艺阀，所述旁路管的内径为排放管内径的1/3-1/2。

进一步的是，所述工艺阀、旁通阀均为电磁阀，所述工艺阀上连接有第一触发式开关，所述旁通阀上连接有第二触发式开关，所述下炉膛内设置有真空计，还包括控制器，所述第一触发式开关、第二触发式开关、真空计分别与控制器电连接。

进一步的是，所述坩埚旋转顶升机构包括固定在石墨托板底部的旋转轴，所述旋转轴上固定有旋转齿轮，所述旋转轴底部设置有底座，所述旋转轴通过轴承固定在底座上，所述底座上设置有驱动电机，所述驱动电机的输出轴上设置有驱动齿轮，所述驱动齿轮与旋转齿轮互相啮合，所述底座下方设置有用于使底座上下移动的升降装置。

进一步的是，所述升降装置为液压气缸。

进一步的是，所述保温筒与下炉膛的内壁之间设置有保温毡，所述保温筒的内壁上涂有热辐射反射层。

本实用新型的有益效果是：通过在石墨托板的外表面设置有环形挡板，在环形挡板的上表面设置有溢流毯，溢流毯的上表面安装有溢流丝，溢流丝围绕石墨托板且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连，在单晶炉的使用过程中，一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液沿石墨托板的外表面先流到溢流毯上，高温的硅液在接触到设置在溢流毯上的溢流丝时会将溢流丝熔断，进而会使报警装置发生报警信号，及时提醒操作人员进行相关操作，避免硅液将炉膛烧穿发生事故，可以使安全隐患大大降低。

附图说明

图1是本实用新型单晶炉的结构示意图；

图2是本实用新型所述放大电路的电路结构示意图；

图中标记为：上炉膛1、下炉膛2、隔离阀3、籽晶旋转提升机构4、保温筒5、石墨坩埚6、石英坩埚7、加热器8、加热电极9、氩气管10、真空抽口11、排放管12、真空泵13、籽晶夹持装置14、传动杆15、坩埚旋转顶升机构16、旋转轴161、旋转齿轮162、底座163、驱动电机164、驱动齿轮165、升降装置166、石墨托板17、环形布气板20、第一上层板201、第一下层板202、第一夹层空间203、第一透气孔204、吸气板21、第二上层板211、第二下层板212、第二夹层空间213、第二透气孔214、旁路管22、旁通阀23、工艺阀24、第一触发式开关25、第二触发式开关26、真空计27、控制器28、气体加热装置29、柱状基体291、气体加热空腔292、氩气源293、加热丝294、电源295、温控表296、热电偶温度计297、放大电路298、保温毡30、热辐射反射层31、环形挡板32、溢流毯33。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步说明。

如图1、2所示，该单晶炉，包括上炉膛1、下炉膛2，上炉膛1设置在下炉膛2上方且上炉膛1通过隔离阀3固定在下炉膛2顶部，所述上炉膛1顶部设置有籽晶旋转提升机构4，所述下炉膛2内设置有保温筒5，所述保温筒5内设置有石墨坩埚6，所述石墨坩埚6内设有石英坩埚7，石墨坩埚6外侧设置有加热器8，加热器8位于保温筒5内，所述加热器8通过加热电极9固定在下炉膛2底部，下炉膛2的顶部连接有氩气管10，所述氩气管10穿过下炉膛2伸入到下炉膛2内，所述下炉膛2的下部设置有真空抽口11，所述真空抽口11上连接有排放管12，排放管12末端连接有真空泵13，真空泵13的进口与排放管12的出口相连，所述石英坩埚7上方设置有籽晶夹持装置14，所述籽晶夹持装置14通过传动杆15与籽晶旋转提升机构4相连，所述石墨坩埚6底部设置有坩埚旋转顶升机构16，所述石墨坩埚6与坩埚旋转顶升机构16设置有圆形的石墨托板17，所述石墨托板17的外表面设置有环形挡板32，所述环形挡板32的上表面设置有溢流毯33，所述溢流毯33的上表面安装有溢流丝，所述溢流丝围绕石墨托板17且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连。通过在石墨托板17的外表面设置环形挡板32，在环形挡板32的上表面设置有溢流毯33，并且在溢流毯33的上表面安装有溢流丝，溢流丝围绕石墨托板17且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连，在单晶炉的使用过程中，一旦发生硅液溢流，溢流出的硅液沿石墨托板17的外表面先流到溢流毯33上，高温的硅液在接触到设置在溢流毯33上的溢流丝时会将溢流丝熔断，进而会报警装置发生报警信号，及时提醒操作人员进行相关操作，避免硅液将炉膛烧穿发生事故，可以使安全隐患大大降低。

所述氩气管10上设置有气体加热装置29，所述气体加热装置29包括柱状基体291，所述柱状基体291内设置有圆柱形的气体加热空腔292，所述柱状基体291上设置有与气体加热空腔292连通的进气口与出气口，所述进气口通过气管与氩气源293连通，所述出气口与氩气管10连通，所述柱状基体291的表面缠绕有加热丝294，所述加热丝294连接在电源295上。通过在氩气管10上设置气体加热装置29，气体加热装置29可以对进入下炉膛2内的氩气进行加热，避免温度较低的氩气进入下炉膛2内对下炉膛2内的温度造成较大的影响，在单晶炉工作的过程中，可以保证下炉膛2内的温度保持在一个稳定的范围内，避免对晶棒的生长造成较大的影响，保证最后长成的晶棒质量达到较高的质量水平，另外，利用加热丝294可以快速加热，而且气体加热空腔292为圆柱形，因而，可以保证氩气有足够的加热时间，可以使得所有的氩气被加热到同样的温度，加热效果较好。进一步的是，所述加热丝294与电源295之间设置有温控表296，所述气体加热空腔292内设置有热电偶温度计297，所述热电偶温度计297与温控表296相连接，通过温控表296可以调整气体加热空腔292内的温度，使得惰性气体的温度能够根据不同情况自由调整，使用非常方便。

另外，还包括放大电路298，所述热电偶温度计297与放大电路298的输入端连接，放大电路298的输出端与温控表296相连，所述放大电路298包括电阻第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、NMOS管第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6和第七NMOS管M7；热电偶温度计D的负极接第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的栅极，其正极接地；第一NMOS管M1的漏极通过第一电阻R1接电源VDD，其栅极接第二NMOS管M2的漏极，其源极通过第二电阻R2接地；第二NMOS管M2的漏极通过第三电阻R3接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的源极，其源极接地；第三NMOS管M3的漏极通过第四电阻R4接电源VDD，其栅极接第四NMOS管M4的漏极，其源极通过第五电阻R5接地；第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接电源VDD，其源极接地；第五NMOS管M5的漏极通过第七电阻R7接电源VDD，其栅极接第三NMOS管M3的漏极；第六NMOS管M6的漏极通过第八电阻R8接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的漏极；第五NMOS管M5和第六NMOS管M6的源极共同接第七NMOS管M7的漏极；第七NMOS管M7的栅极接第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的栅极，其源极接地；第八电阻R8与第六NMOS管M6的连接点为放大电路的输出端。通过在热电偶温度计297与温控表296之间设置放大电路298，由于热电偶温度计297是将热能转换为电能的一种温度计，可以通过测量其电压变化反应温度温度，即使热电偶温度计297的电压发生很小的变化，利用放大电路298便可以将该很小的电压变化放大，进而温控表296接收的电压变化值就会较大，可以使温控表296及时快速的控制电源295的输出功率，从而对氩气的加热温度进行调控，这样便可以使氩气被加热至一个恒定的温度，避免氩气的温度忽高忽低对下炉膛2内的温度造成较大的影响，在单晶炉工作的过程中，可以保证下炉膛2内的温度保持在一个稳定的范围内，避免对晶棒的生长造成较大的影响，保证最后长成的晶棒质量达到较高的质量，另外，放大电路中，电阻R1、R2、R3和NMOS管M1、M2组成第一级放大电路，电阻R4、R5、R6和NMOS管M3、M4组成镜像电路，电阻R7、R8和NMOS管M7、M8、M9组成第二级放大电路，本实用新型的电路通过二级放大电路对信号进行有效的放大，同时还通过镜像电路使第一级放大电路和第二级放大电路的工作点保持一致，从而避免放大信号出现误差，保证了信号的有效性。

所述下炉膛2内设置有环形布气板20，所述环形布气板20水平设置在石墨坩埚6的上方，所述环形布气板20为夹层结构，包括第一上层板201与第一下层板202，所述第一上层板201与第一下层板202之间密封形成第一夹层空间203，所述氩气管10与第一夹层空间203连通，所述第一下层板202上设置有多个第一透气孔204，所述多个第一透气孔204在第一下层板202上均布设置。通过在下炉膛2内设置有环形布气板20，氩气先融入环形布气板20的夹层空间内，然后再从第一下层板202上设置的多个第一透气孔204喷出，由于环形布气板20水平设置在石墨坩埚6的上方，氩气经过环形布气板20的均布后，整个下炉膛2的的上部都有向下喷出的氩气，这样氩气在向下流动的过程中就会将下炉膛2内产生的废气及时裹带走，避免一氧化碳废气长期滞留对设备造成腐蚀，可以延长设备的使用寿命。

进一步的是，所述下炉膛2底部设置有吸气板21，所述吸气板21水平设置，所述吸气板21为夹层结构，包括第二上层板211与第二下层板212，所述第二上层板211与第二下层板212之间密封形成第二夹层空间213，所述真空抽口11与第二夹层空间213连通，所述第二上层板211上设置有多个第二透气孔214，所述多个第二透气孔214在第二上层板211上均布设置。通过在下炉膛2底部设置吸气板21，由于真空抽口11与吸气板21的第二夹层空间213连通，因此，在第二夹层空间213内会形成吸力，将位于下炉膛2内的氩气以及废气从第二上层板211的第二透气孔214内吸入第二夹层空间213内，进而再将其从真空抽口11内抽出，吸气板21可以很容易的将整个下炉膛2底部所有的氩气和废气全部吸收，避免一氧化碳废气长期滞留对设备造成腐蚀，可以延长设备的使用寿命。

另外，所述真空泵13的进口与真空抽口11之间设置有旁路管22，所述旁路管22上设置有用于使旁路管22导通或关闭的旁通阀23，所述排放管12上设置有用于使排放管12导通或关闭的工艺阀24，所述旁路管22的内径为排放管12内径的1/3-1/2。通过设置旁路管22，使得真空泵13的进口与真空抽口11之间形成两条通道，在进行拉晶工艺之前需要先利用下炉膛2内抽至一定的真空度时，将旁通阀23关闭，将工艺阀24打开，这样可以将下炉膛2内快速的抽至一定的真空度，当抽真空完毕后进入拉晶工艺阶段时，将工艺阀24关闭并将旁通阀23打开，在拉晶工艺过程中，真空泵13一直工作其目的是为了保证下炉膛2内保持一定的真空度，由于旁路管22的内径较小只有排放管12内径的三分之一至二分之一左右，这样真空泵13在工作时，抽取的气体量就大大减小，这样只需通入少量的氩气即可使下炉膛2内保持一定浓度的氩气，减少了氩气的需求量较大，降低了生产成本。

再者，为了使工艺阀24、旁通阀23能够自动控制，实现无人操作，所述工艺阀24、旁通阀23均为电磁阀，所述工艺阀24上连接有第一触发式开关25，所述旁通阀23上连接有第二触发式开关26，所述下炉膛2内设置有真空计27，还包括控制器28，所述第一触发式开关25、第二触发式开关26、真空计27分别与控制器28电连接。当真空泵13开始工作时，控制器28控制第一触发式开关25使旁通阀23关闭旁路管22闭合，控制第二触发式开关26使工艺阀24打开排放管12导通，真空泵13持续工作，真空计27用来测量炉体内的真空度并将测得的真空值传递给控制器28，当控制器28检测到真空计27的数值达到规定要求时，控制器28控制第一触发式开关25使旁通阀23打开旁路管22导通，控制第二触发式开关26使工艺阀24关闭排放管12闭合，此时进入拉晶工艺阶段，整个过程无需人工对工艺阀24和旁通阀23进行控制，实现了无人操作。

为了能够实现坩埚的旋转速度和上升速度单独控制，所述坩埚旋转顶升机构16包括固定在石墨托板17底部的旋转轴161，所述旋转轴161上固定有旋转齿轮162，所述旋转轴161底部设置有底座163，所述旋转轴161通过轴承固定在底座163上，所述底座163上设置有驱动电机164，所述驱动电机164的输出轴上设置有驱动齿轮165，所述驱动齿轮165与旋转齿轮162互相啮合，所述底座163下方设置有用于使底座163上下移动的升降装置166。该坩埚旋转顶升机构16的工作过程如下：石墨坩埚6的旋转是靠驱动电机164来控制，具体的，驱动电机164使设置在输出轴上的驱动齿轮165旋转，驱动齿轮165会带动旋转齿轮162旋转，由于旋转齿轮162固定在旋转轴161上，因而会带动旋转轴161旋转，旋转轴161固定在石墨托板17底部，因而会带动石墨托板17旋转，石墨坩埚6放置在石墨托板17上，石墨托板17转动会带动石墨坩埚6转动，由于旋转轴161是通过轴承固定在底座163上，因而旋转轴161转动时，底座163是不动的，底座163的上下移动通过升降装置166实现，底座163向上移动时会带动旋转轴161向上移动，进而会带动石墨托板17上升，从而实现石墨坩埚6的上升，因此，石墨坩埚6的上升与旋转式单独控制的，其上升速度和旋转速度分别通过驱动电机164和升降装置166控制，二者单独控制给拉晶工艺的参数控制带来了极大的便利。

进一步的是，所述升降装置166为可以为电动推杆、气缸等，作为优选的方式是：所述升降装置166为液压气缸，液压气缸具有较大的顶升力且控制方便。

为了减少热量损失，节约能源，降低能耗，所述保温筒5与下炉膛2的内壁之间设置有保温毡30，所述保温筒5的内壁上涂有热辐射反射层31。

Claims (10)

1.一种单晶炉，包括上炉膛(1)、下炉膛(2)，上炉膛(1)设置在下炉膛(2)上方且上炉膛(1)通过隔离阀(3)固定在下炉膛(2)顶部，所述上炉膛(1)顶部设置有籽晶旋转提升机构(4)，所述下炉膛(2)内设置有保温筒(5)，所述保温筒(5)内设置有石墨坩埚(6)，所述石墨坩埚(6)内设有石英坩埚(7)，石墨坩埚(6)外侧设置有加热器(8)，加热器(8)位于保温筒(5)内，所述加热器(8)通过加热电极(9)固定在下炉膛(2)底部，下炉膛(2)的顶部连接有氩气管(10)，所述氩气管(10)穿过下炉膛(2)伸入到下炉膛(2)内，所述下炉膛(2)的下部设置有真空抽口(11)，所述真空抽口(11)上连接有排放管(12)，排放管(12)末端连接有真空泵(13)，真空泵(13)的进口与排放管(12)的出口相连，所述石英坩埚(7)上方设置有籽晶夹持装置(14)，所述籽晶夹持装置(14)通过传动杆(15)与籽晶旋转提升机构(4)相连，所述石墨坩埚(6)底部设置有坩埚旋转顶升机构(16)，所述石墨坩埚(6)与坩埚旋转顶升机构(16)之间设置有圆形的石墨托板(17)，其特征在于：所述石墨托板(17)的外表面设置有环形挡板(32)，所述环形挡板(32)的上表面设置有溢流毯(33)，所述溢流毯(33)的上表面安装有溢流丝，所述溢流丝围绕石墨托板(17)且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连。

2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于：所述氩气管(10)上设置有气体加热装置(29)，所述气体加热装置(29)包括柱状基体(291)，所述柱状基体(291)内设置有圆柱形的气体加热空腔(292)，所述柱状基体(291)上设置有与气体加热空腔(292)连通的进气口与出气口，所述进气口通过气管与氩气源(293)连通，所述出气口与氩气管(10)连通，所述柱状基体(291)的表面缠绕有加热丝(294)，所述加热丝(294)连接在电源(295)上，所述加热丝(294)与电源(295)之间设置有温控表(296)，所述气体加热空腔(292)内设置有热电偶温度计(297)，所述热电偶温度计(297)与温控表(296)相连接。

3.如权利要求2所述的单晶炉，其特征在于：还包括放大电路(298)，所述热电偶温度计(297)与放大电路(298)的输入端连接，放大电路(298)的输出端与温控表(296)相连，所述放大电路(298)包括电阻第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、NMOS管第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6和第七NMOS管M7；热电偶温度计D的负极接第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的栅极，其正极接地；第一NMOS管M1的漏极通过第一电阻R1接电源VDD，其栅极接第二NMOS管M2的漏极，其源极通过第二电阻R2接地；第二NMOS管M2的漏极通过第三电阻R3接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的源极，其源极接地；第三NMOS管M3的漏极通过第四电阻R4接电源VDD，其栅极接第四NMOS管M4的漏极，其源极通过第五电阻R5接地；第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接电源VDD，其源极接地；第五NMOS管M5的漏极通过第七电阻R7接电源VDD，其栅极接第三NMOS管M3的漏极；第六NMOS管M6的漏极通过第八电阻R8接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的漏极；第五NMOS管M5和第六NMOS管M6的源极共同接第七NMOS管M7的漏极；第七NMOS管M7的栅极接第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的栅极，其源极接地；第八电阻R8与第六NMOS管M6的连接点为放大电路的输出端。

4.如权利要求3所述的单晶炉，其特征在于：所述下炉膛(2)内设置有环形布气板(20)，所述环形布气板(20)水平设置在石墨坩埚(6)的上方，所述环形布气板(20)为夹层结构，包括第一上层板(201)与第一下层板(202)，所述第一上层板(201)与第一下层板(202)之间密封形成第一夹层空间(203)，所述氩气管(10)与第一夹层空间(203)连通，所述第一下层板(202)上设置有多个第一透气孔(204)，所述多个第一透气孔(204)在第一下层板(202)上均布设置。

5.如权利要求4所述的单晶炉，其特征在于：所述下炉膛(2)底部设置有吸气板(21)，所述吸气板(21)水平设置，所述吸气板(21)为夹层结构，包括第二上层板(211)与第二下层板(212)，所述第二上层板(211)与第二下层板(212)之间密封形成第二夹层空间(213)，所述真空抽口(11)与第二夹层空间(213)连通，所述第二上层板(211)上设置有多个第二透气孔(214)，所述多个第二透气孔(214)在第二上层板(211)上均布设置。

6.如权利要求5所述的单晶炉，其特征在于：所述真空泵(13)的进口与真空抽口(11)之间设置有旁路管(22)，所述旁路管(22)上设置有用于使旁路管(22)导通或关闭的旁通阀(23)，所述排放管(12)上设置有用于使排放管(12)导通或关闭的工艺阀(24)，所述旁路管(22)的内径为排放管(12)内径的1/3-1/2。

7.如权利要求6所述的单晶炉，其特征在于：所述工艺阀(24)、旁通阀(23)均为电磁阀，所述工艺阀(24)上连接有第一触发式开关(25)，所述旁通阀(23)上连接有第二触发式开关(26)，所述下炉膛(2)内设置有真空计(27)，还包括控制器(28)，所述第一触发式开关(25)、第二触发式开关(26)、真空计(27)分别与控制器(28)电连接。

8.如权利要求7所述的单晶炉，其特征在于：所述坩埚旋转顶升机构(16)包括固定在石墨托板(17)底部的旋转轴(161)，所述旋转轴(161)上固定有旋转齿轮(162)，所述旋转轴(161)底部设置有底座(163)，所述旋转轴(161)通过轴承固定在底座(163)上，所述底座(163)上设置有驱动电机(164)，所述驱动电机(164)的输出轴上设置有驱动齿轮(165)，所述驱动齿轮(165)与旋转齿轮(162)互相啮合，所述底座(163)下方设置有用于使底座(163)上下移动的升降装置(166)。

9.如权利要求8所述的单晶炉，其特征在于：所述升降装置(166)为液压气缸。

10.如权利要求9所述的单晶炉，其特征在于：所述保温筒(5)与下炉膛(2)的内壁之间设置有保温毡(30)，所述保温筒(5)的内壁上涂有热辐射反射层(31)。