CN205081199U - 一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器 - Google Patents
一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，包括底座、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片、微带电路和永磁体，尖晶石铁氧体基片的厚度为0.15-0.20mm，微带电路设置在所述尖晶石铁氧体基片上表面，永磁体设置在所述微带电路上，永磁体的中心与微带电路的圆盘中心保持一致，尖晶石铁氧体基片的下表面固定在金属底座上。本实用新型具有结构简单、体积小、重量轻，适用频率更高，适合表面贴装和微电路集成等特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种微波通信领域的信号环形器，尤其是涉及一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环形器。
背景技术
环形器是一种使电磁波单向环形传输的器件，在近代雷达和微波多路通信系统中都要用单方向环行特性的器件，其原理是磁场偏置铁氧体材料各向异性特性，是微波通讯中不可缺少的多端口传输器件。现有的微波结构环行器有微带式、波导式、带状线和同轴式，其中以微带三端环行器用的最多，用铁氧体材料作介质，上置导带结构，加恒定磁场，就具有环行特性，但其存在着工作频率范围低的缺陷，不能完全满足更高频率范围的需求。
实用新型内容
实用新型针对现有技术的不足，旨在提供一种结构简单、体积小、适用于表面贴装和微电路集成、并且满足更高频率范围的工作要求，主要为50-70GHz频率段高频微带基片式环行器。
本实用新型所述的一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，其技术方案如下：包括底座1、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片2、微带电路3和永磁体4，所述尖晶石铁氧体基片2的厚度为0.15-0.20mm，所述微带电路3设置在所述尖晶石铁氧体基片2上表面，所述永磁体4设置在所述微带电路3上，所述永磁体4的中心与微带电路3的圆盘中心保持一致，所述尖晶石铁氧体基片2的下表面固定在底座1上。
进一步地，所述微带电路3通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片2上表面。
进一步地，所述永磁体4为钐钴永磁体。所述底座1由磁性金属材料加工制成，优选为铁或铁的合金。
进一步地，所述永磁体4通过环氧树脂胶合在所述微带电路3上。
进一步地，所述尖晶石铁氧体基片2通过焊锡膏焊接在底座1上。
进一步地，所述尖晶石铁氧体基片2的厚度优选为为0.15mm。
上述技术方案保证了永磁体纵向磁化尖晶石铁氧体基片，尖晶石铁氧体基片边缘磁化均匀，接地良好，并且由于底座与尖晶石铁氧体基片的热膨胀系数相当，能够在焊接时保护尖晶石铁氧体基片，降低了由于焊接而导致尖晶石铁氧体基片开裂的风险，提高了产品的可靠性。
本实用新型与现有技术相比，其有益效果是：结构简单、体积小、重量轻，适用于表面贴装和微电路集成，频率范围更高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的组装后的示意图。
其中：1、底座，2、尖晶石铁氧体基片，3、微带电路，4、永磁体。
具体实施方式
下面结合附图，对如何具体实施本实用新型进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
如图1和2所示，一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，包括铁镍合金底座1、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片3、微带电路2和钐钴永磁体4，所述尖晶石铁氧体基片3的厚度为0.15mm，所述微带电路2通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片3上表面，所述钐钴永磁体4通过环氧树脂胶合在所述微带电路2上，所述钐钴永磁体4的中心与微带电路2的圆盘中心轴线相重叠，所述尖晶石铁氧体基片3通过焊锡膏焊接在铁镍合金底座1上。本实施例中，尖晶石铁氧体基片3的厚度还可以选取0.17mm、0.20mm。
本实施例中，饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片3居里温度高，温度稳定性好，同时减薄基片的厚度能够隔离器在更高频范围内工作，高频微带基片式环形器适用于表面贴装技术，并通过金丝键合技术与微波电路相连接。
上述环形器的主要技术指标如下：
频率范围：50-70GHz
正向损耗：≤1.2dB
反向隔离：≥18dB
驻波系数：≤1.6
温度范围：-30℃～＋70℃
接头形式：W→W→W
外形尺寸：3.5×2×3.5mm
如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型，但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
Claims (5)
1.一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，其特征是：包括底座(1)、尖晶石铁氧体基片(2)、微带电路(3)和永磁体(4)，所述尖晶石铁氧体基片(2)的饱和磁矩为5000Gs，所述尖晶石铁氧体基片(2)的厚度为0.15-0.20mm，所述微带电路(3)设置在所述尖晶石铁氧体基片(2)的上表面，所述永磁体(4)设置在所述微带电路(3)上，所述永磁体(4)的中心轴线与微带电路(3)的圆盘中心保持一致，所述尖晶石铁氧体基片(2)的下表面固定在底座(1)上。
2.根据权利要求1所述的一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述尖晶石铁氧体基片(2)的厚度为0.15mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述微带电路(3)通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片(2)上表面。
4.根据权利要求1或2所述的一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述永磁体(4)通过环氧树脂胶合在所述微带电路(3)上。
5.根据权利要求1或2所述的一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述尖晶石铁氧体基片(2)通过焊锡焊接在底座(1)上。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201520757825.8U CN205081199U (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种适用于50-70GHz的高频微带基片式环行器 |
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| CN205081199U true CN205081199U (zh) | 2016-03-09 |
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2015
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