CN205008303U - 一种多晶硅料清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种多晶硅料清洗装置,包括酸洗池,所述酸洗池的底面设置有放液口,还包括:设置于所述酸洗池中的装料篮,所述装料篮的底面设置有多个小孔;设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条;其中,一个多晶硅料的反应面与另一多晶硅料的反应面相背设置,且所述多晶硅料卡接于所述隔挡条之间。一方面保护多晶硅料的非反应面尽量不与酸反应,使多晶硅料反应面充分与酸反应,实现降低硅料的损失。另一方面通过对多晶硅料的清洗,去除硅料内部的碳化硅和氮化硅及金属杂质,减少了多晶铸锭投炉硅料的杂质,从而减少硅锭的杂质,提升硅锭的质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅技术领域,更具体地说,涉及一种多晶硅料清洗装置。
背景技术
在太阳能晶体硅的生产过程中,多晶硅料如边皮料和头尾料等硅料需要被再度熔化,而高温下的硅料容易与坩埚、杂质气体等发生反应,进而导致硅片制造过程中会有部分硅料被切除,特别是自2011年开始光伏领域寒流席卷全国,国内外不少光伏企业相继破产倒闭。为了降低生产成本,提高企业竞争力,现有企业一直选择将被切除的边皮料进行清洗处理后再进行铸锭或拉晶切片,从而使切除的边皮料能够被再次利用。
再次利用的边皮料都含有大量杂质,需要对其进行清洗,现有技术中的清洗方法是将边皮料先喷砂打磨,然后将边皮料浸泡在HF:HNO3=1:11的混酸溶液中15s至25s,去除最表面的金属杂质。现有的多晶硅料清洗装置只是一个简单的方框,清洗过程中边皮料是杂乱无章放在一起的,坩埚面(指定面)可能被其他边皮硅料覆盖,不能完全对硅料的指定面进行相对应的选择性极性腐蚀,同时没有杂质的一面也会暴露在酸液中,会对硅料不需要的一面进行腐蚀,无法保证与酸接触的都是含有大量杂质的坩埚面,造成不必要的硅料浪费,无法起到清洗的目的现有的边皮料的清洗方法造成不必要的浪费。不能去除镶嵌在坩埚面内部的杂质,除杂能力远远不够,且不能保护非坩埚面的硅料。
因此,由于现有的多晶硅料清洗装置过于简单,无法保证与酸接触的面都为需要反应的指定面,且硅料相互贴在一起,无法清洗到相应的指定面,同时现有的多晶硅料清洗方法只是用混酸将硅料表明的杂质清洗干净,无法清除镶嵌在多晶硅料指定面内部的杂质,导致多晶铸锭工艺硅锭杂质偏多,在底部容易形成阴影或者底部杂质层偏高,最终导致硅料表明和内部的杂质都无法清除,影响硅锭的成晶率及质量。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种多晶硅料清洗装置,不仅能够有效清除多晶硅料的指定反应面,而且能够有效清除镶嵌在多晶硅料指定面内部的杂质。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种多晶硅料清洗装置,包括酸洗池,所述酸洗池的底面设置有放液口,还包括:
设置于所述酸洗池中的装料篮,所述装料篮的底面设置有多个小孔;
设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条;
其中,一个多晶硅料的反应面与另一多晶硅料的反应面相背设置,且所述多晶硅料卡接于所述隔挡条之间。
优选的,在上述多晶硅料清洗装置中,多对隔挡条垂直于所述装料篮的宽度方向设置且位于所述装料篮长度方向的中部。
优选的,在上述多晶硅料清洗装置中,所述隔挡条之间的宽度等于两个多晶硅料的厚度和。
优选的,在上述多晶硅料清洗装置中,所述多晶硅料的一端固定于一对所述隔挡条之间。
优选的,在上述多晶硅料清洗装置中,还包括设置于所述酸洗池顶端的抽风环保系统。
优选的,在上述多晶硅料清洗装置中,所述放液口处设置有放液阀。
优选的,在上述多晶硅料清洗装置中,所述隔挡条为耐腐蚀材料隔挡条。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的一种多晶硅料清洗装置,包括酸洗池,所述酸洗池的底面设置有放液口,还包括:设置于所述酸洗池中的装料篮,所述装料篮的底面设置有多个小孔;设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条;其中,一个多晶硅料的反应面与另一多晶硅料的反应面相背设置,且所述多晶硅料卡接于所述隔挡条之间。由于多晶硅料的反应面相背设置,多晶硅料通常为片状,一面为反应面即需要与酸反应的一面,另一面为非反应面即不需要与酸反应的一面,两个多晶硅料的非反应面相互紧贴,同时反应面相背,将反应面全部暴露在酸中,而非反应面相互接触相互被保护起来,使得酸无法进入二者之间与之接触,而隔挡条能够将至少两片叠放在一起的多晶硅料固定在装料篮中,装料篮的底面开设有多个小孔,酸通过小孔进入装料篮中对多晶硅料装置进行清洗。本实用新型提供的多晶硅料清洗装置一方面保护多晶硅料的非反应面尽量不与酸反应,使多晶硅料反应面充分与酸反应,实现降低硅料的损失。另一方面通过对多晶硅料的清洗,去除硅料内部的碳化硅和氮化硅及金属杂质,减少了多晶铸锭投炉硅料的杂质,从而减少硅锭的杂质,提升硅锭的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料清洗装置示意图;
图2为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料装料篮示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1和图2,图1为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料清洗装置示意图;图2为本实用新型实施例提供的一种多晶硅料装料篮示意图。
在一种具体实施方式中,提供了一种多晶硅料清洗装置,包括酸洗池01,所述酸洗池01的底面设置有放液口06,还包括:设置于所述酸洗池01中的装料篮02,所述装料篮02的底面设置有多个小孔;设置于所述装料篮02中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条04;其中,一个多晶硅料03的反应面与另一多晶硅料03的反应面相背设置,且所述多晶硅料03卡接于所述隔挡条04之间。
具体的,本实用新型中,隔挡条04是用来固定多晶硅料03的反应面,将隔挡条04固定在带有密集小孔的装料篮02中,将一个片状多晶硅料03和另一个片状多晶硅料03的非反应面相对,并且贴在一起放入两个间隔条04之间,将反应面充分暴露在混酸液中,非反应面贴在一起,尽可能的不让非反应面进行反应,减少硅料的损失。最后将装料篮02放入酸洗池01中,即可对多晶硅料03的反应面即坩埚面进行清洗。混酸将多晶硅料03表面的杂质清洗干净,并且清除镶嵌在多晶硅料03反应面内部的杂质,提高硅锭的成晶率及质量。
进一步的,多对隔挡条04垂直于所述装料篮02的宽度方向设置且位于所述装料篮02长度方向的中部。隔挡条04之间的宽度等于两个多晶硅料03的厚度和。多晶硅料03的一端固定于一对隔挡条之间。多对隔挡条04在与装料篮02长度方向平行的方向整齐排列成一排,考虑到多晶硅料03的长度,将隔挡条04放置与装料篮02长度方向的中部位置,两片多晶硅料03叠放在一起,非反应面紧贴,反应面暴露在空气中,两片多晶硅料03的一端卡接于一对隔挡条04之间,固定好之后在装置中加入混酸,对反应面进行腐蚀。
需要指出的是,隔挡条04的形状、个数、厚度以及间隔距离和在装料篮02中的放置位置不受限定,只要满足隔挡条04之间能够将多晶硅料03进行固定即可,均在保护范围之内。
进一步的,为了将装置中的多晶硅料03与酸反应的废气排出装置,多晶硅料清洗装置还包括设置于所述酸洗池顶端的抽风环保系统05。
进一步的,多晶硅料03的放液口06将反应完毕的液体排出装置外部,在放液口处设置有放液阀。放液阀能够控制废液的流出。
进一步的,隔挡条04为耐腐蚀材料隔挡条。需要说明的是,多晶硅清洗装置的所有材质均采用聚四氟乙烯等具有耐强酸碱腐蚀材料制成,为了避免酸对装置的腐蚀。材料可以为PPN、PP(聚丙烯)、PVDF(聚四氟乙烯)、SUS(耐腐蚀钢材)等一系列耐化学腐蚀的材料,提高多晶硅清洗装置的安全性、便捷性。
本实用新型提供的多晶硅料清洗装置一方面保护多晶硅料03的非反应面尽量不与酸反应,使多晶硅料03反应面充分与酸反应,实现降低硅料的损失。另一方面通过对多晶硅料03的清洗,去除硅料内部的碳化硅和氮化硅及金属杂质,减少了多晶铸锭投炉硅料的杂质,从而减少硅锭的杂质,提升硅锭的质量。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种多晶硅料清洗装置,包括酸洗池,所述酸洗池的底面设置有放液口,其特征在于,还包括:
设置于所述酸洗池中的装料篮,所述装料篮的底面设置有多个小孔;
设置于所述装料篮中的至少一对用于固定多晶硅料的隔挡条;
其中,一个多晶硅料的反应面与另一多晶硅料的反应面相背设置,且所述多晶硅料卡接于所述隔挡条之间。
2.如权利要求1所述的多晶硅料清洗装置,其特征在于,多对隔挡条垂直于所述装料篮的宽度方向设置且位于所述装料篮长度方向的中部。
3.如权利要求2所述的多晶硅料清洗装置,其特征在于,所述隔挡条之间的宽度等于两个多晶硅料的厚度和。
4.如权利要求3所述的多晶硅料清洗装置,其特征在于,所述多晶硅料的一端固定于一对所述隔挡条之间。
5.如权利要求1至4任一项所述的多晶硅料清洗装置,其特征在于,还包括设置于所述酸洗池顶端的抽风环保系统。
6.如权利要求5所述的多晶硅料清洗装置,其特征在于,所述放液口处设置有放液阀。
7.如权利要求6所述的多晶硅料清洗装置,其特征在于,所述隔挡条为耐腐蚀材料隔挡条。
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