CN204967784U - 高速pin开关 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高速PIN开关，包括PIN二极管、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第二电感L2，所述第一电容C1的一端与输入电压连接，另一端连接至PIN二极管的阳极，PIN二极管的阴极与第二电容C2的一端连接；第一电感L1的一端连接至PIN二极管的阳极，另一端接有交流电压；第二电感L2的一端与PIN二极管的阴极连接，另一端接地。本申请既解决了直流通路的问题，同时避免了电感在高频的谐振，更有利于产品在高频段的工作。并且，本申请还大大缩短了开关时间。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高速PIN开关。
背景技术
PIN开关利用PIN管在直流正-反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用。PIN开关的开关速度主要取决于PIN二极管的开关速度，由于PIN二极管中有个较宽的I层，它在从反偏换到正偏时，需要驻存大量载流子，以达到低阻抗状态；当从正偏换到反偏时，又需要逸出贮存的载流子以达到高阻抗状态。这两个过程都需要一定的时间才能达到稳定状态。这个从起始状态达到稳定状态的时间就是开关时间。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高速PIN开关，可缩短其开关时间。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种高速PIN开关，包括第一电感L1，第二电感L2，一端与输入电压连接第一电容C1，其阳极与所述第一电容C1的另一端连接的PIN二极管，以及一端与PIN二极管的阴极连接的第二电容C2；第一电感L1的一端连接至PIN二极管的阳极，另一端接有交流电压；第二电感L2的一端与PIN二极管的阴极连接，另一端接地。
PIN二极管包括PIN二极管本体，PIN二极管本体包括P型半导体层、N型半导体层以及位于两者之间的本征半导体层；本征半导体层的厚度等于N型半导体层的厚度；P型半导体层和N型半导体层分别对外焊接有一根引出导线；二极管塑封在环氧树脂管内。
进一步地，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出PIN二极管本体工作参数的涂层，涂层为紫外光固化油墨。
本实用新型的有益效果为：
1、本申请在PIN二极管的两端分别设有一个由隔直电容和偏置接地电感构成级LC高通滤波器，既解决了直流通路的问题，同时避免了电感在高频的谐振，更有利于产品在高频段的工作。
2、本申请的PIN二极管本体的本征半导体层的厚度等于N型半导体层的厚度，由于本征半导体层变薄，其中贮存的载流子数量大大减少，因此在电流一定的情况下开关时间也将大大缩短。
3、本申请中的PIN二极管本体塑封在环氧树脂管内可确保其电气特性不受影响，环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体工作参数的涂层，方便正确使用。
附图说明
图1为本实用新型最佳实施例的结构示意图；
图2为本实用新型最佳实施例的PIN二极管本体的结构示意图。
其中：1、PIN二极管本体；2、P型半导体层；3、N型半导体层；4、本征半导体层；5、引出导线；6、环氧树脂管；7、涂层。
具体实施方式
下面对本实用新型的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。
如图1所示的高速PIN开关，包括PIN二极管、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第二电感L2，所述第一电容C1的一端与输入电压连接，另一端连接至PIN二极管的阳极，PIN二极管的阴极与第二电容C2的一端连接；第一电感L1的一端连接至PIN二极管的阳极，另一端接有交流电压；第二电感L2的一端与PIN二极管的阴极连接，另一端接地。
本申请通过在PIN二极管的两端分别设有一个由隔直电容和偏置接地电感构成级LC高通滤波器，既解决了直流通路的问题，同时避免了电感在高频的谐振，更有利于产品在高频段的工作。
如图2所示，PIN二极管包括PIN二极管本体1，PIN二极管本体1包括P型半导体层、N型半导体层以及位于两者之间的本征半导体层4；本征半导体层4的厚度等于N型半导体层3的厚度；P型半导体层和N型半导体层分别对外焊接有一根引出导线5；二极管塑封在环氧树脂管6内。由于本征半导体层4变薄，其中贮存的载流子数量大大减少，因此在电流一定的情况下开关时间也将大大缩短。并且，由于PIN二极管本体1塑封在环氧树脂管6内可确保其电气特性不受影响。
根据本申请的一个实施例，环氧树脂管6外涂覆有一层可以清楚显示出PIN二极管本体1工作参数的涂层7，涂层7为紫外光固化油墨，可方便操作员正确使用。
Claims (2)
1.一种高速PIN开关，其特征在于，包括第一电感L1，第二电感L2，一端与输入电压连接第一电容C1，其阳极与所述第一电容C1的另一端连接的PIN二极管，以及一端与所述PIN二极管的阴极连接的第二电容C2；所述第一电感L1的一端连接至所述PIN二极管的阳极，另一端接有交流电压；所述第二电感L2的一端与所述PIN二极管的阴极连接，另一端接地；
所述PIN二极管包括PIN二极管本体，所述PIN二极管本体包括P型半导体层、N型半导体层以及位于两者之间的本征半导体层；所述本征半导体层的厚度等于N型半导体层的厚度；所述P型半导体层和N型半导体层分别对外焊接有一根引出导线；所述二极管塑封在环氧树脂管内。
2.根据权利要求1所述的高速PIN开关，其特征在于，所述环氧树脂管外涂覆有一层可以清楚显示出PIN二极管本体工作参数的涂层，所述涂层为紫外光固化油墨。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520707296.0U CN204967784U (zh) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 高速pin开关 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520707296.0U CN204967784U (zh) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 高速pin开关 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204967784U true CN204967784U (zh) | 2016-01-13 |
Family
ID=55062821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201520707296.0U Active CN204967784U (zh) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 高速pin开关 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN204967784U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105656459A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-08 | 安徽四创电子股份有限公司 | 改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置及其改善方法 |
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2015
- 2015-09-14 CN CN201520707296.0U patent/CN204967784U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105656459A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-08 | 安徽四创电子股份有限公司 | 改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置及其改善方法 |
| CN105656459B (zh) * | 2016-03-28 | 2019-09-20 | 安徽四创电子股份有限公司 | 改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置及其改善方法 |
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