CN204928584U - 应用内置mos管芯片的开关电源 - Google Patents

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王刚
岁金占
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    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Abstract

本实用新型公开了一种应用内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆、变压器、PWM芯片、三端可调分流基准源、光耦合器；所述PWM芯片型号为G1555；桥堆的输出端与第一电容的一端、第一电阻的一端、变压器原边的结束端连接，第一电容的另一端接地，第一电阻的另一端与PWM芯片的VDD管脚连接，PWM芯片的Drain管脚与变压器原边的起始端连接，PWM芯片的GND管脚接地，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第二电容的一端、PWM芯片的VDD管脚分别连接，第二电容的另一端及变压器副边绕组的结束端分别接地。本实用新型开关电源内置MOS管，体积较小；且在相同功率下、待机功耗较低，并且PWM芯片振荡频率高，使得相同的变压器Ae值可以做的功率更大。

Description

应用内置MOS管芯片的开关电源
[技术领域]
本实用新型涉及一种应用内置MOS管芯片的开关电源。
[背景技术]
现有技术中，开关电源里的MOS管一般都是外置，占空间比较大，使得整机产品体积较大，而且如果用到12W以下的电源上，在相同功率下、待机功耗都比较高；另外，PWM芯片的振荡频率低，一般振荡频率为50Khz，使得相同的变压器Ae值可做的功率较小。
[实用新型内容]
本实用新型提供了一种应用内置MOS管芯片的开关电源，其内置MOS管，体积较小；且在相同功率下、待机功耗较低，并且PWM芯片振荡频率高，使得相同的变压器Ae值可以做的功率更大。
本实用新型的技术方案是：
一种应用内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆、变压器，其还包括：PWM芯片、三端可调分流基准源、光耦合器；所述PWM芯片型号为G1555；
桥堆的输出端与第一电容的一端、第一电阻的一端、变压器原边的结束端连接，第一电容的另一端接地，第一电阻的另一端与PWM芯片的VDD管脚连接，PWM芯片的Drain管脚与变压器原边的起始端连接，PWM芯片的GND管脚接地，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第二电容的一端、PWM芯片的VDD管脚分别连接，第二电容的另一端及变压器副边绕组的结束端分别接地；PWM芯片的CS管脚通过第二电阻接地；
变压器输出端的正极端分别与第三电阻的一端、第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端通过第六电阻接地，第三电阻的另一端通过第四电阻分别与三端可调分流基准源的阴极端K、第七电阻的一端连接，第七电阻的另一端通过第三电容连接在第五电阻和第六电阻之间，三端可调分流基准源的阳极端A接地，三端可调分流基准源的参考端R连接在第五电阻和第六电阻之间；光耦合器的发光二极管的两端分别与第四电阻的两端连接，光耦合器的感光三极管的集电极与PWM芯片的FB管脚连接，光耦合器的感光三极管的发射极接地。
本实用新型的开关电源，MOS管内置在PWM芯片里，占空间比较小，使得整机产品体积较小；并且PWM芯片通过光耦合器采集变压器输出端的电流，根据采集的电流大小保持几个不同的工作状态，在没有负载或负载较小时，PWM芯片停止工作，降低待机功耗；且PWM芯片振荡频率高，高达65Khz，使得相同的变压器Ae值可以做的功率更大。
[附图说明]
图1是本实用新型开关电源的电路原理图。
[具体实施方式]
为了使本实用新型的目的、技术方案以及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
下面结合附图对本实用新型的具体实施例做一详细的阐述。
请参照图1，本实用新型的应用内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆BD1、变压器T1、PWM芯片、三端可调分流基准源D3、光耦合器D2；其中PWM芯片型号为G1555，为市场上可以购买得到的芯片，具体生产厂家为环球半导体有限公司、英文名为GLOBALSEMICONDUCTORLIMITED；
桥堆BD1的输出端与第一电容C1的一端、第一电阻R1的一端、变压器T1原边的结束端连接，第一电容C1的另一端接地，第一电阻R1的另一端与PWM芯片的VDD管脚连接，PWM芯片的Drain管脚与变压器T1原边的起始端连接，PWM芯片的GND管脚接地，变压器T1副边绕组的起始端与第一二极管D1的正极连接，第一二极管D1的负极与第二电容C2的一端、PWM芯片的VDD管脚分别连接，第二电容C2的另一端及变压器副边绕组的结束端分别接地；PWM芯片的CS管脚通过第二电阻R2接地；
变压器T1输出端的正极端分别与第三电阻R3的一端、第五电阻R5的一端连接，第五电阻R5的另一端通过第六电阻R6接地，第三电阻R3的另一端通过第四电阻R4分别与三端可调分流基准源D3的阴极端K、第七电阻R7的一端连接，第七电阻R7的另一端通过第三电容C3连接在第五电阻R5和第六电阻R6之间，三端可调分流基准源D3的阳极端A接地，三端可调分流基准源D3的参考端R连接在第五电阻R5和第六电阻R6之间；光耦合器D2的发光二极管的两端分别与第四电阻R4的两端连接，光耦合器D2的感光三极管的集电极与PWM芯片的FB管脚连接，光耦合器D2的感光三极管的发射极接地。
本实用新型的开关电源，MOS管内置在PWM芯片里，占空间比较小，使得整机产品体积较小；并且PWM芯片通过光耦合器采集变压器输出端的电流，根据采集的电流大小保持几个不同的工作状态，在没有负载或负载较小时，PWM芯片停止工作，降低待机功耗；且PWM芯片振荡频率高，高达65Khz，使得相同的变压器Ae值可以做的功率更大。
以上所述的本实用新型实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。

Claims (1)

1.一种应用内置MOS管芯片的开关电源，包括桥堆、变压器，其特征在于，还包括：PWM芯片、三端可调分流基准源、光耦合器；所述PWM芯片型号为G1555；
桥堆的输出端与第一电容的一端、第一电阻的一端、变压器原边的结束端连接，第一电容的另一端接地，第一电阻的另一端与PWM芯片的VDD管脚连接，PWM芯片的Drain管脚与变压器原边的起始端连接，PWM芯片的GND管脚接地，变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与第二电容的一端、PWM芯片的VDD管脚分别连接，第二电容的另一端及变压器副边绕组的结束端分别接地；PWM芯片的CS管脚通过第二电阻接地；
变压器输出端的正极端分别与第三电阻的一端、第五电阻的一端连接，第五电阻的另一端通过第六电阻接地，第三电阻的另一端通过第四电阻分别与三端可调分流基准源的阴极端K、第七电阻的一端连接，第七电阻的另一端通过第三电容连接在第五电阻和第六电阻之间，三端可调分流基准源的阳极端A接地，三端可调分流基准源的参考端R连接在第五电阻和第六电阻之间；光耦合器的发光二极管的两端分别与第四电阻的两端连接，光耦合器的感光三极管的集电极与PWM芯片的FB管脚连接，光耦合器的感光三极管的发射极接地。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108494227A (zh) * 2018-04-17 2018-09-04 深圳市金威源科技股份有限公司 一种开关电源

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