CN203522155U - 新型反激变换器输入过压保护电路 - Google Patents

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陈华聪
覃周
陈忠富
卢志飞
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Abstract

一种新型反激变换器输入过压保护电路,包括:变压器、MOS管、限流电阻、辅助线圈、PNP型三极管及NPN型三极管,辅助线圈依次经电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极,电压输入端Vin+经过一过压检测电阻R1连接至NPN型三极管Q3的基极。本实用新型中自振荡反激式变换器通过在电压输入端增加过压检测电阻,当电压输入端电压不断变高的情况下,通过过压检测电阻流进NPN型三极管基极的电流也不断变大,从而使得NPN型三极管持续导通,MOS管的栅极电压维持低电平,使整个模块无电压输出,有效的保证了电路安全工作,而且电路工作稳定,可靠性高。

Description

新型反激变换器输入过压保护电路
技术领域
本实用新型涉及开关电源技术领域,具体涉及一种新型反激变换器输入过压保护电路。 
背景技术
自振荡反激变换器包括耦合变压器、场效应管、振荡晶极管,当输入电压端加上电压后,并产生自激振荡工作后,电路会进行反激。现有的自振荡反激变换器在输入电压端的电压较高时,尤其是电压刚输入的瞬间,在电压输入端上容易产生一个很大的瞬时电流尖峰,使晶体管瞬时导通,这一瞬时电流尖峰就有可能使晶体管被击穿,同时加在管子上的过高电压也会使晶体管损坏,也就会造成产品启动不良的问题。 
实用新型内容
本实用新型提供一种新型反激变换器输入过压保护电路,能够解决上述问题。 
本实用新型实施例提供的一种新型反激变换器输入过压保护电路,包括:变压器T1、MOS管及限流电阻R9,电压输入端Vin+依次经过变压器T1的原边线圈、MOS管的漏极和源极、限流电阻R9接地,变压器T1副边线圈上的耦合能量依次经过整流管D2及储能滤波电容C10向电压输出端Vo输出,电压输入端Vin+还经过一分压电路向MOS管的栅极供电,还包括:与变压器T1耦合的辅助线圈T2、PNP型三极管Q2及NPN型三极管Q3,辅助线圈一端接地另一端依次经一电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极,MOS管栅极依次经过一电阻R6、一电阻R7、NPN型三极管Q3的集电极和发射极接地,辅助线圈的所述另一端经过一电容C5连接NPN型三极管Q3的基极,NPN型三极管Q3的基极通过一电阻R8连接MOS管的源极,PNP型三极管的发射极连接MOS管的栅极,PNP型三极管的集电极连接MOS管的源极,PNP型三极管Q2的基极连接在电阻R6和电阻R7的连接点上,MOS管的源极与NPN型三极管Q3之间连接一电容C6,电压输入端Vin+经过一过压检测电阻R1连接至NPN型三极管Q3的基极。 
优选地,所述分压电路包括:依次串联的电阻R2、电阻R3和电阻R4,电压输入端Vin+依次经过电阻R2、电阻R3和电阻R4接地,电阻R3和电阻R4的连接点连接至MOS管的栅极。 
优选地,电压输入端Vin+经过一电容C1接地。 
优选地,储能滤波电容C10经过一电感L1向电压输出端Vo输出。 
优选地,还包括一光耦反馈回路,光耦反馈回路检测储能滤波电容C10上的电压并反馈至NPN型三极管Q3的基极。 
上述技术方案可以看出,本实用新型实施例中自振荡反激式变换器通过在电压输入端增加过压检测电阻,当电压输入端电压不断变高的情况下,通过过压检测电阻流进NPN型三极管Q3基极的电流也不断变大,从而使得NPN型三极管Q3持续导通,MOS管Q1的栅极电压维持低电平,使整个模块无电压输出,有效的保证了电路安全工作,而且电路工作稳定,可靠性高。 
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。 
图1是本实用新型实施例中电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。 
实施例: 
本实用新型实施例提供一种新型反激变换器输入过压保护电路,如图1所示,包括:变压器T1、MOS管Q1及限流电阻R9,电压输入端Vin+依次经过变压器T1的原边线圈、MOS管Q1的漏极和源极、限流电阻R9接地,变压器T1副边线圈上的耦合能量依次经过整流管D2及储能滤波电容C10向电压输出端Vo输出,电压输入端Vin+还经过一分压电路向MOS管Q1的栅极供电,本实施例中新型反激变换器输入过压保护电路还包括:与变压器T1耦合的辅助线圈T2、PNP型三极管Q2及NPN型三极管Q3,辅助线圈T2一端接地另一端依次经一电容C3和电阻R5连接至MOS管Q1的栅极,MOS管Q1栅极依次经过一电阻R6、一电阻R7、NPN型三极管Q3的集电极和发射极接地,辅助线圈T2的所述另一端经过一电容C5连接NPN型三极管Q3的基极,NPN型三极管Q3的基极通过一电阻R8连接MOS管Q1的源极,PNP型三极管Q2的发射极连接MOS管Q1的栅极,PNP型三极管Q2的集电极连接MOS管Q1的源极,PNP型三极管Q2的基极连接在电阻R6和电阻R7的连接点上,MOS管Q1的源极与NPN型三极管Q3之间连接一电容C6,电压输入端Vin+经过一过压检测电阻R1连接至NPN型三极管Q3的基极。
为了增加本实施例电路的兼容性,NPN型三极管Q3的基极经过一电阻R10连接到一用于向开关电源提供反馈信号的的反馈控制端CTRL。 
为了进一步对减少输入端的干扰,电压输入端Vin+经过一电容C1接地。在MOS管Q1的栅极与PNP型三极管Q2的基极之间连接一电容C4。 
通过在电压输入端增加过压检测电阻,当电压输入端电压不断变高的情况下,通过过压检测电阻流进NPN型三极管Q3基极的电流也不断变大,从而使得NPN型三极管Q3持续导通,MOS管Q1的栅极电压维持低电平,使整个模块无电压输出,有效的保证了电路安全工作,而且电路工作稳定,可靠性高。 
为了减小电路输出信号的稳定,减小干扰,储能滤波电容C10经过一电感L1向电压输出端Vo输出。 
本实用新型实施例中所述分压电路包括:依次串联的电阻R2、电阻R3和电阻R4,电压输入端Vin+依次经过电阻R2、电阻R3和电阻R4接地,电阻R3和电阻R4的连接点连接至MOS管Q1的栅极。电阻R3和电阻R4构成的串联支路的两端并联一电容C2,以减小干扰信号。 
本实用新型实施例中的自振荡反激变换器还包括一光耦反馈回路,光耦反馈回路检测储能滤波电容C10上的电压并反馈至NPN型三极管Q3的基极。具体地,光耦反馈回路包括:光耦芯片U1、二极管D1、基准源芯片IC1,其中光耦芯片U1内的光电二极管的阳极经过一电阻R11连接到储能滤波电容C10上,用于检测储能滤波电容C10上的电压,进而对输出电压进行反馈检测,光耦芯片U1内的光电二极管的阴极连接基准源芯片IC1的阴极连接端,基准源芯片U1的阳极连接端接地,电压输出端Vo依次经过电阻R13和电阻R14连接电源地,电源地与大地之间连接一电容C9,基准源芯片IC1的基准压连接端连接至电阻R13与电阻R14的连接点,光耦芯片U1内的光电二极管的阳极与阴极之间连接一电阻R12,为了减小干扰,使反馈检测更加精准,光耦芯片U1内的光电二极管的阴极通过一电容C12连接至电阻R13和电阻R14的连接点上,电阻R13上并联一电容C13,电阻R14上并联一电阻R15。在反馈回路中增加了基准源芯片IC1能够进一步增加反馈的精度,提升电路的工作效率。 
以上对本实用新型实施例所提供的新型反激变换器输入过压保护电路进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。 

Claims (5)

1.新型反激变换器输入过压保护电路,包括:变压器T1、MOS管及限流电阻R9,电压输入端Vin+依次经过变压器T1的原边线圈、MOS管的漏极和源极、限流电阻R9接地,变压器T1副边线圈上的耦合能量依次经过整流管D2及储能滤波电容C10向电压输出端Vo输出,电压输入端Vin+还经过一分压电路向MOS管的栅极供电,其特征在于,还包括:与变压器T1耦合的辅助线圈T2、PNP型三极管Q2及NPN型三极管Q3,辅助线圈一端接地另一端依次经一电容C3和电阻R5连接至MOS管的栅极,MOS管栅极依次经过一电阻R6、一电阻R7、NPN型三极管Q3的集电极和发射极接地,辅助线圈的所述另一端经过一电容C5连接NPN型三极管Q3的基极,NPN型三极管Q3的基极通过一电阻R8连接MOS管的源极,PNP型三极管的发射极连接MOS管的栅极,PNP型三极管的集电极连接MOS管的源极,PNP型三极管Q2的基极连接在电阻R6和电阻R7的连接点上,MOS管的源极与NPN型三极管Q3之间连接一电容C6,电压输入端Vin+经过一过压检测电阻R1连接至NPN型三极管Q3的基极。
2.如权利要求1所述的新型反激变换器输入过压保护电路,其特征在于,所述分压电路包括:依次串联的电阻R2、电阻R3和电阻R4,电压输入端Vin+依次经过电阻R2、电阻R3和电阻R4接地,电阻R3和电阻R4的连接点连接至MOS管的栅极。
3.如权利要求1或2所述的新型反激变换器输入过压保护电路,其特征在于,电压输入端Vin+经过一电容C1接地。
4.如权利要求1或2所述的新型反激变换器输入过压保护电路,其特征在于,储能滤波电容C10经过一电感L1向电压输出端Vo输出。
5.如权利要求1或2所述的新型反激变换器输入过压保护电路,其特征在于,还包括一光耦反馈回路,光耦反馈回路检测储能滤波电容C10上的电压并反馈至NPN型三极管Q3的基极。
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