一种用于微处理器芯片的离线供电电路
技术领域
本实用新型涉及一种用于微处理器芯片的离线供电电路,属于芯片供电技术领域。
背景技术
在电子产品的常用微处理器芯片的VDDRTC管脚电压为1.8V~3.6V是为防止主电源掉电后丢失处理器内部的数据,一般需要采用纽扣电池来实现外部VDDRTC管脚的供电,保证微处理器芯片在失去主电压仍能够继续保持运行,但是,选用常规的3V纽扣电池,如何设计微处理器芯片的离线供电电路,是当前需要解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是常用微处理器芯片的VDDRTC管脚电压为1.8V~3.6V,选用常规的3V纽扣电池,如何设计微处理器芯片的离线供电电路,是当前需要解决的问题。本实用新型的用于微处理器芯片的离线供电电路,采用通用型3V纽扣电池给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电,电路简单,容易实现,成本低廉,具有良好的应用前景。
为了达到上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:
一种用于微处理器芯片的离线供电电路,其特征在于:包括MOS管Q1、3V供电的纽扣电池BT1、二极管D1,所述纽扣电池BT1的正极与MOS管Q1的源极相连接,所述MOS管Q1的栅极、二极管D1的正极共同与微处理器芯片的主供电电压端相连接,所述MOS管Q1的栅极还通过限流电阻R1接地,所述MOS管Q1的漏极与二极管D1的负极相连接,所述二极管D1的负极与微处理器芯片的主供电电压端相连接,所述二极管D1的负极做为离线供电电路的电压输出端与微处理器芯片的VDDRTC管脚相连接。
前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路,其特征在于:所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路,其特征在于:所述二极管D1为肖特基二极管。
前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路,其特征在于:所述限流电阻R1的阻值为100KΩ。
前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路,其特征在于:所述微处理器芯片的主供电电压端的输出电压为3.3V。
前述的一种用于微处理器芯片的离线供电电路,其特征在于:微处理器芯片的主供电电压端掉电时,二极管D1的负极的电压输出为3V。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的用于微处理器芯片的离线供电电路,采用通用型3V纽扣电池,用于给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电,电路简单,容易实现,成本低廉,具有良好的应用前景。
附图说明
图1是本实用新型的用于微处理器芯片的离线供电电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图,对本实用新型作进一步说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示,一种用于微处理器芯片的离线供电电路,包括MOS管Q1、3V供电的纽扣电池BT1、二极管D1,所述纽扣电池BT1的正极与MOS管Q1的源极相连接,所述MOS管Q1的栅极、二极管D1的正极共同与微处理器芯片的主供电电压端相连接,MOS管Q1的栅极还通过限流电阻R1接地,MOS管Q1的漏极与二极管D1的负极相连接,二极管D1的负极与微处理器芯片的主供电电压端相连接,二极管D1的负极做为离线供电电路的电压输出端与微处理器芯片的VDDRTC管脚相连接。
上述电路的MOS管Q1为P沟道MOS管,二极管D1为肖特基二极管,限流电阻R1的阻值为100KΩ,微处理器芯片的主供电电压端的输出电压为3.3V,二极管D1的负极的电压输出为3V,其的工作过程如下,当微处理器芯片的主供电电压端VRTC33正常供电时,MOS管Q1的栅极电压Ug>源极电压Us,MOS管Q1处于截止状态,直接通过二极管D1供电到微处理器芯片的VDDRTC管脚;当微处理器芯片的主供电电压端VRTC33掉电时,MOS管Q1的栅极电压Ug<源极电压Us,MOS管Q1处于导通状态,纽扣电池BT1供电,同时二极管D1又起到了反向截止的作用,二极管D1的负极的电压输出为3V,从而满足给微处理器芯片的VDDRTC管脚的供电,是为防止主电源掉电后丢失处理器内部的数据,保证微处理器芯片在失去主电压仍能够继续保持运行。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。