CN204834580U - 一种托盘 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种托盘，所述托盘包括盘状本体，盘状本体的两侧盘面上均设置有用于承载晶片的沉槽。本实用新型通过在盘状本体的两侧盘面上均设置沉槽，使盘状本体的两侧盘面都能够承载晶片，提高了托盘的利用率。而当两侧盘面上的沉槽的尺寸不同时，则进一步提高了托盘的适用性，实现了托盘的一盘多用，减少了托盘的数量，并由此降低了晶片的生产成本，减少了平常机台维护的工作量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于放置晶片的托盘，尤其是一种适用于放置多种尺寸晶片的托盘。
背景技术
图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphireSubstrates)，是目前普遍采用的一种提高GaN基LED器件出光效率的方法。图形化蓝宝石衬底是采用干法刻蚀技术，对存在掩膜图形的蓝宝石衬底进行刻蚀，从而得到带有一定图形的蓝宝石衬底。
参见图1，在PSS刻蚀工艺中，为了提高产能，一般是多片蓝宝石片(下称晶片)同时刻蚀。工艺时，将装有晶片4的托盘3通过机械手传入工艺腔室1，然后放于等离子体刻蚀设备的静电卡盘(ESC)2上，通入刻蚀反应气体后，通过电感耦合的方式辉光放电，产生活性自由基、亚稳态粒子、原子等以及它们之间的化学相互作用，这些活性粒子与晶片4表面相互作用进行刻蚀，这样就会在晶片4表面刻蚀出所需要的图形。
图2所示为托盘3的盘面示意图，托盘3的盘面上排布有若干个与晶片4尺寸相对应的沉槽3-1，工艺时，晶片4一一放置在托盘3上的沉槽3-1中。
静电卡盘2是采用静电吸附方式固定晶片的一种方式，而为了提高等离子体加工设备的加工效率，常将尺寸较小的多片晶片4放置在尺寸较大的托盘3表面，再将托盘3放入等离子体处理腔室(工艺腔室1)中的静电卡盘2上表面进行加工处理。
工艺时，传输系统将装有晶片4的托盘3传到反应腔室1，静电卡盘2通过静电吸力将托盘3吸附固定在其表面上。托盘3和静电卡盘2二者相接合的表面加工有非常高的表面光洁度，当托盘3被吸附固定在静电卡盘2上后，二者接合面即形成良好密封，而将由气道2-1通入到托盘3与静电卡盘2接合面处的He气密封在二者接合面上的空隙或空腔中，并由He气将工艺中产生的热量由托盘3传递给静电卡盘2。
因为反应腔室内的工艺气体环境要求托盘的材料选择绝缘或者半导体材料，工艺过程产生大量的热又要求托盘具有极好的导热性，所以托盘的材料一般选用高阻抗的SiC。现有托盘的下表面是加工光洁度很高的密封面，上表面加工容纳晶片的沉槽，一个托盘适用一种尺寸的晶片。
目前市场上主流的晶片尺寸为2寸、4寸，相应地，所使用的托盘也包括两种，当出现其他尺寸的晶片时，则要制作适用新的尺寸晶片的托盘。由于SiC材料昂贵、加工难度大，因此，现有结构形式的托盘不仅增加了生产成本，也增加了平常机台维护的工作量。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种能承载多种尺寸晶片的托盘，以提高托盘的适应性，满足晶片尺寸较多场合的生产需求。
为实现上述目的，本实用新型技术方案如下：
一种托盘，所述托盘包括盘状本体，所述盘状本体的两侧盘面上均设置有用于承载晶片的沉槽。
进一步，所述盘状本体的两侧盘面上各自排布有若干个所述沉槽。
进一步，所述盘状本体同侧盘面上的所述沉槽的尺寸相同，不同侧盘面上的所述沉槽的尺寸不同。
进一步，所述托盘还包括保护环，所述保护环扣装在所述盘状本体上表面的边缘处，并将盘状本体上表面的边缘部分和盘状本体的部分或全部侧立面覆盖，所述沉槽位于所述保护环的里侧。
进一步，所述保护环上还设置有贯通其内侧面和外侧面的侧向气孔。
进一步，所述侧向气孔的轴线沿所述保护环的径向延伸。
进一步，所述保护环上均布有若干个所述侧向气孔。
进一步，所述盘状本体由SiC制成，所述保护环由陶瓷或者石英制成。
进一步，所述陶瓷包括Al2O3，所述石英包括SiO2。
本实用新型通过在盘状本体的两侧盘面上均设置沉槽，使盘状本体的两侧盘面都能够承载晶片，提高了托盘的利用率。而当两侧盘面上的沉槽的尺寸不同时，则进一步提高了托盘的适用性，实现了托盘的一盘多用，减少了托盘的数量，并由此降低了晶片的生产成本，减少了平常机台维护的工作量。
本实用新型通过设置保护环，使保护环所覆盖的盘状本体上表面的边缘部分及其侧立面不被腐蚀性气体刻蚀，保证了上表面边缘部分的完好无损，保证了上表面作为底面使用时，其边缘部分能够与工艺腔室中的静电卡盘的表面紧密接合而形成密封面，从而将He气密封在盘状本体与静电卡盘之间的狭小空隙或空腔里。因而，在盘状本体上设置保护环，为盘状本体的翻转使用以及延长使用寿命进一步提供了技术保障。
附图说明
图1为现有技术提供的PSS刻蚀工艺设备的结构示意图；
图2为图1中序号3所示托盘的俯视图；
图3为本实用新型提供的盘状本体一侧盘面的示意图；
图4为本实用新型提供的盘状本体与图3盘面相对的另一侧盘面的示意图；
图5为本实用新型提供的保护环的立体示意图；
图6为图5所示立体示意图中的局部放大图；
图7为本实用新型提供的托盘的使用状态示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型进行说明。
本实用新型提供的托盘可应用于PSS刻蚀工艺，也可应用于物理气相沉积或化学气相沉积，并在工艺中用于承载晶片，该托盘包括盘状本体，盘状本体的两侧盘面上均设置有用于承载晶片的沉槽。工艺时，操作者根据所加工晶片的尺寸，将相适配沉槽所在的盘面作为盘状本体的上表面，而盘状本体的另一侧盘面则作为底面。
当盘状本体的两侧盘面上各自排布有若干个沉槽时，同侧盘面上采用相同尺寸的沉槽，盘状本体的两侧盘面上最好采用不同尺寸的沉槽，当然也可以采用相同尺寸的沉槽。如此，使得一个托盘能够适用多种尺寸的晶片，大大提高托盘的适应性，减少托盘的数量。
图3—图7中所示为本实用新型托盘的优选实施例，该托盘包括盘状本体5和保护环6。
参见图3、图4，盘状本体5的同侧盘面上均排布相同尺寸的沉槽，盘状本体5的不同侧盘面上的所述沉槽的尺寸不同。其中，一侧盘面上设置的沉槽5-1用于承载4寸晶片，另一侧盘面上设置的沉槽5-2则用于承载2寸晶片。这样，当加工4寸晶片时，盘状本体5以沉槽5-1所在盘面为上表面，沉槽5-2所在盘面为底面。当加工2寸晶片时，将盘状本体5翻转使用即可。
参见图5、图6、图7，保护环6为环形，其断面带有L形下表面。同时，保护环6上还设置有侧向通孔6-1，所述侧向通孔6-1贯穿保护环6的内侧面和外侧面。
优选的，侧向通孔6-1的轴线沿保护环6的径向延伸，即侧向通孔6-1的轴线与保护环6与晶片上表面的接触面平行。
作为进一步的优选，侧向通孔6-1的个数为多个，多个侧向通孔6-1沿保护环6的周向均布。
以将该托盘应用于PSS刻蚀工艺为例，工艺时，参见图7，保护环6从上向下扣装在盘状本体5上表面的边缘处，保护环6的L形下表面的两个侧边分别覆盖盘状本体5上表面的边缘部分和盘状本体5的侧立面上，保护环6上的侧向通孔6-1联通保护环6的内侧和外侧空间，沉槽5-1或5-2位于保护环6的里侧。
在PSS刻蚀工艺中，因保护环6将盘状本体5上表面的边缘部分和盘状本体5的部分或全部侧立面覆盖，因而在刻蚀工艺过程中能够保护所覆盖的盘状本体5上表面的边缘部分和盘状本体5侧立面不被腐蚀性气体刻蚀，保证盘状本体5上表面边缘部分的完好无损。这样，当将盘状本体5翻转使用时，已变成底面的先前上表面的边缘部分能够与工艺腔室中的静电卡盘2的表面紧密接合而形成密封面，从而将He气密封在盘状本体5与静电卡盘2之间的狭小空隙或空腔里。
因侧向通孔6-1将保护环6的里侧和外侧空间相连通，因而，工艺过程中，侧向通孔6-1能够将工艺产生的残余气体从晶片上方排走，从而消除或降低残余气体对刻蚀速率的不利影响。
盘状本体5由SiC制成，保护环6由陶瓷或者石英或者其他适用的绝缘材料制成。优选的，所述陶瓷主要包括Al2O3，所述石英主要包括SiO2。
需要指出的是，通过在盘状本体的两侧盘面同时设置沉槽而使其实现两面使用的功能，而并不以同时设置保护环6为前提，因此，在本实用新型托盘中，保护环只是优选部件。
另外，现有技术中通常利用盖板对晶片之外的托盘盘面进行保护，盖板上加工有与托盘盘面上的沉槽一一对应的通孔。本实用新型利用保护环来保护盘状本体盘面的边缘部分完好无损，并利用盘面的边缘部分与静电卡盘相接合形成环形密封面来保证工艺的正常进行。本实用新型中的保护环与现有技术中的盖板相比，不仅结构简单，加工成本低，而且，有助于盘状本体的盘面上排布更多的沉槽。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种托盘，其特征在于，所述托盘包括盘状本体，所述盘状本体的两侧盘面上均设置有用于承载晶片的沉槽。
2.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述盘状本体的两侧盘面上各自排布有若干个所述沉槽。
3.如权利要求2所述的托盘，其特征在于，所述盘状本体同侧盘面上的所述沉槽的尺寸相同，不同侧盘面上的所述沉槽的尺寸不同。
4.如权利要求1至3任一项所述的托盘，其特征在于，所述托盘还包括保护环，所述保护环扣装在所述盘状本体上表面的边缘处，并将盘状本体上表面的边缘部分和盘状本体的部分或全部侧立面覆盖，所述沉槽位于所述保护环的里侧。
5.如权利要求4所述的托盘，其特征在于，所述保护环上还设置有贯通其内侧面和外侧面的侧向气孔。
6.如权利要求5所述的托盘，其特征在于，所述侧向气孔的轴线沿所述保护环的径向延伸。
7.如权利要求5所述的托盘，其特征在于，所述保护环上均布有若干个所述侧向气孔。
8.如权利要求4所述的托盘，其特征在于，所述盘状本体由SiC制成，所述保护环由陶瓷或者石英制成。
9.如权利要求8所述的托盘，其特征在于，所述陶瓷包括Al2O3，所述石英包括SiO2。
Priority Applications (1)
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| CN201520411273.5U CN204834580U (zh) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | 一种托盘 |
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| CN204834580U true CN204834580U (zh) | 2015-12-02 |
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Family Applications (1)
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2015
- 2015-06-15 CN CN201520411273.5U patent/CN204834580U/zh active Active
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