CN204644458U - 一种匀强磁场沉积台 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电磁装置，具体涉及一种匀强磁场沉积台，应用在磁控溅射设备中。所述沉积台与底座中间位置设置平行直导线。本实用新型有益效果：在沉积台表面获得匀强磁场，磁场强度由电流强弱来控制。并且，该装置的工作不受沉积材料的影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及电磁装置，具体涉及一种匀强磁场沉积台，应用在磁控溅射设备中。
背景技术
磁控溅射或者其它离子束溅射沉积方法，在金属表面生长中有广泛的应用。实验样品基底通常放在沉积台表面，溅射离子在基底上成长，最后成为表面膜层。针对磁性材料成膜，特别是铁、钴、镍等磁性材料，在外加匀强磁场作用下，成膜效果要好。
物理学中平面增加匀强磁场的方法有三种，分别是亥姆霍兹线圈中心位置；通电直导线周围磁场；磁体NS极之间区域。常规方法采用磁体获得的匀强磁场，磁场强度低，特别是在暴露的真空溅射装置作用下，磁体表面很快沉积一层金属薄膜，从而影响磁场强度。
实用新型内容
本实用新型为了解决的上述技术问题，提出一种工作装置。
一种匀强磁场沉积台，包括沉积台、支架和底座，其特征在于：沉积台与底座中间位置设置平行直导线。
所述沉积台为非磁化材料。
本实用新型有益效果：在沉积台表面获得匀强磁场，磁场强度由电流强弱来控制。并且，该装置的工作不受沉积材料的影响。
附图说明
图1为本实用新型结构图。
具体实施方式
样品置于沉积台1的上表面，开启磁控溅射装置，磁性材料粒子溅射到样品表面。匀强磁场沉积台工作时如图1所示，平行直导线4通电流，在沉积台1的上表面产生匀强磁场，匀强磁场的方向是平行于沉积台1的上表面。沉积台1通过支架2与底座3相连，构成完整的中空结构，因此避免了溅射离子在平行直导线4上的沉积。为了避免沉积台的磁化，所述沉积台1为非磁化材料，一般选用合金材料。
Claims (2)
1.一种匀强磁场沉积台，包括沉积台(1)、支架(2)和底座(3)，其特征在于：沉积台(1)与底座(3)中间位置设置平行直导线(4)。
2.根据权利要求1所述一种匀强磁场沉积台，其特征在于：沉积台(1)为非磁化材料。
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2015
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