CN204607853U - 一种布置vad和ovd的设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种布置VAD和OVD的设备，其包括一个多楼层的厂房和由下到上贯穿于各个楼层的沉积塔架，所述沉积塔架的基座设置在所述厂房的一楼，所述沉积塔架的顶部达到所述厂房的楼顶但未接触到楼顶，所述沉积塔架在每个楼层的空间中挂装一个VAD或OVD的设备本体，所述设备本体从一楼至顶楼成螺旋状排布方式挂装到所述沉积塔架上；VAD或OVD的辅助设备安装在对应的VAD或OVD的设备本体的楼层上，且VAD或OVD的辅助设备环绕所述沉积塔架周围。本实用新型提高了沉积塔架的使用效率、提高了厂房的使用率、提高了厂房洁净空间的使用率、降低了成本。

Description

一种布置VAD和OVD的设备
技术领域
本实用新型属于光纤预制棒制造领域，尤其涉及一种布置VAD和OVD的设备。
背景技术
由于近今几年国内光纤预制棒制备技术的发展和扩展的速度都非常迅速，所以任何一家光纤预制棒的生产企业欲通过技术垄断的方式获取高额利润的可能性已经非常小。因此可以预见，在未来非常长的一段时间内，预制棒生产企业之间的竞争将会转变为以控制生产成本为主体的竞争。在预制棒制备的成本结构中，土地成本、厂房建设成本、固定设备投入以及维持生产区域温湿度和洁净度的运行成本等是其成本的重要组成部分。
目前比较通用的VAD或OVD的厂房结构为一层或二层式结构，由于预制棒生产过程中对环境变化非常敏感，所以厂房的温湿度和洁净度需要进行严格控制。VAD或OVD设备本体一般都挂装在沉积塔架上，目前一个沉积塔架上通常会挂装一台或两台设备本体。为了给VAD或OVD的配套设备(如气柜、蒸发柜、电柜等)预留一定的摆放空间和预留相应的生产物流通道，沉积塔架之间的距离也需布置的稍微远一点，配套设备可以分布在一个楼层或两个楼层。
这种设计厂房结构、设备分布等相对比较简单，所以前期的厂房施工和设备安装会比较容易，但是土地、厂房以及沉积塔架的使用效率不高，而且由于洁净区域的使用效率比较低，后期生产过程中洁净区域维护的单位成本也会比较高。所以这种设计最终会使土体、厂房、固定设备投入等分摊给预制棒的制造成本的比重相对较高。
因此，现在需要从布置VAD和OVD设备方面入手，通过合理的结构设计，能够最大程度的使用厂房内的洁净区域和沉积塔架，在预制棒产能设计相同的情况下，大幅摊薄了土地、厂房及塔架等固定资产的投入，同时也便于设备的维护和排查。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型通过VAD或OVD设备在沉积塔架上挂装位置的科学布置，以及对厂房设计的楼层进行合理设计，使单位厂房面积内能够安装更多的VAD或OVD设备本体，同时通过对每一楼层上VAD或OVD的辅助设备的摆放位置进行优化，可以尽量缩小沉积塔架之间的距离。这种设计可以使相同的厂房面积下安装更多的VAD或OVD设备，产出更多的光纤预制棒，从而降低了预制棒的生产成本。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
一种布置VAD和OVD的设备，其包括一个多楼层的厂房和由下到上贯穿于各个楼层的沉积塔架，所述沉积塔架的基座设置在所述厂房的一楼，所述沉积塔架的顶部达到所述厂房的楼顶但未接触到楼顶，所述沉积塔架在每个楼层的空间中挂装一个VAD或OVD的设备本体，所述设备本体从一楼至顶楼成螺旋状排布方式挂装到所述沉积塔架上；VAD或OVD的辅助设备安装在对应的VAD或OVD的设备本体的楼层上，且VAD或OVD的辅助设备环绕所述沉积塔架周围。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，所述设备本体从一楼至顶楼成螺旋状排布方式挂装到所述沉积塔架上。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，还包括提升旋转机构，每个设备本体对应一台提升旋转机构，每个所述提升旋转机构贯穿两层楼。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，所述设备本体为VAD设备的沉积腔体。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，所述厂房有四个楼层，一楼到三楼每个楼层的高度比所述沉积腔体高50cm。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，顶楼的高度至少5m，其它楼层的高度为3m。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，每层楼层的楼板均设有预留洞口，所述预留洞口恰好供所述沉积塔架穿过。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，所述VAD或OVD的辅助设备包括以下一种或几种：气柜、SiCl4和GeCl4蒸发柜、电柜和操作计算机柜。
在本实用新型的一个较佳实施例中，进一步包括，所述SiCl4和GeCl4蒸发柜设置在VAD或OVD的设备本体相邻的位置。
本实用新型的有益效果是:
其一、本实用新型的设备提高了单位面积土地的使用效率，由于本实用新型中设备本体的布置思路从常规的横向布置转换为了纵向布置的设计，所以单位土地面积上可以安装的设备数量得到大幅度的增加，从而提高了土地的使用效率，最终降低的预制棒的生产成本。
其二、本实用新型的设备提高了沉积塔架的使用效率，降低了一次性固定资产的投入。由于同一台沉积塔架上挂装了多台VAD和OVD设备；而且，在塔架的一部分长度范围内，一个侧面上挂装了一台设备的本体，另一个侧面则挂装了另一台设备的提升机构，大幅度提高了沉积塔架的使用效率，降低了在沉积塔架方面的固定资产投入。
其三、本实用新型的设备提高了厂房楼面的使用效率。通过合理配置，VAD和OVD设备本体及其辅助设备相对均匀的环绕分布在沉积塔架的周围，这样可以减少沉积塔架之间的距离，从而提高厂房楼面的使用效率。同时，由于VAD和OVD设备本体及其辅助设备安装在同一楼层，既节约了设备之间连接管道、通信线缆等材料的使用，也便于后期设备问题的排查及维护。
其四、本实用新型的设备提高了洁净区域的使用效率。因为VAD和OVD设备必须在严格控制的洁净度、温度和湿度环境下进行生产，所以洁净区域的运行和维护费用很高。本实用新型通过设备本体的纵向布置设计及辅助设备在对应楼层的合理分布，最大可能性的使用了洁净区域的有效空间，从而降低的预制棒的生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1本实用新型设备和厂房楼层的纵向分布示意图(a为前视图，b为立体图)。
图2本实用新型某一楼层的设备平面分布示意图。
其中，1-沉积塔架，2-楼板，3-提升旋转机构，4-沉积腔体(VAD或OVD的设备本体)，5-预留洞口，6-气柜，7-SiCl4和GeCl4蒸发柜，8-电柜。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
如图1中所示，本实施例中公开了一种布置VAD和OVD的设备，其设计方案主要为：一个多楼层的厂房和由下到上贯穿于各个楼层的沉积塔架1，上述沉积塔架1的基座设置在上述厂房的一楼，上述沉积塔架1的顶部达到上述厂房的楼顶但未接触到楼顶，上述沉积塔架1在每个楼层的空间中挂装一个VAD或OVD的设备本体4，上述设备本体4从一楼至顶楼成螺旋状排布方式挂装到上述沉积塔架1上；VAD或OVD的辅助设备安装在对应的VAD或OVD的设备本体的楼层上，且VAD或OVD的辅助设备环绕上述沉积塔架1周围。
上述厂房的每个楼层的温度、湿度和洁净度需要进行严格控制。考虑到VAD或OVD设备在沉积过程中用于提升疏松体预制棒的机构需要一定的高度空间，所以顶楼的高度需要设计为5m以上；其他楼层的高度设计为3m左右。并且，每层楼层的楼板2均设有预留洞口5，上述预留洞口5恰好供上述沉积塔架1穿过。
沉积塔架1必须具备足够的高度，从一楼依次穿过各个楼板2的预留洞口5并最终达到厂房楼顶附近；沉积塔架1必须有足够的强度以防止VAD或OVD设备本体挂装后沉积塔架1变形。
本实施例中，沉积塔架1在一个楼层之间的空间只挂装一个VAD或OVD设备本体，各个楼层之间的设备本体挂装位置为螺旋式上升；并且每个设备本体对应一台提升旋转机构3，由于VAD或OVD设备本体的预制棒提升机构需要占用一定的高度空间，所以其提升旋转机构3会贯穿两个楼层。上述提升旋转机构3为电机和链条配合的机构，其能够实现提升和旋转的功能，在其它实施例中，不限于形式。
上述VAD或OVD的辅助设备包括以下几种：气柜6、SiCl4和GeCl4蒸发柜7、电柜8和操作计算机柜。
上述VAD或OVD的辅助设备安装在对应VAD或OVD设备本体的同一楼层，并环绕分布在主体设备之外的三个方位。考虑到各种原材料和工艺气体所需的工艺条件不同，一般SiCl4和GeCl4蒸发柜7需要安装在与设备本体较近的位置，普通的工艺气体的气柜6可以安装在与设备本体较远的位置。
实际上，本实施例的布置VAD和OVD的方法，包括以下流程：
第一步：设计一个多楼层的厂房，沉积塔架的基座安装在厂房一楼，塔架从下到上依次穿过各个楼层的预留洞口并最终达到厂房楼顶附近。
第二步：沉积塔架对应一个楼层之间的空间只挂装一个VAD或OVD的设备本体，设备本体从一楼至顶楼成螺旋状依次挂装到沉积塔架上。
第三步：VAD和OVD的辅助设备安装在对应的设备本体的楼层并环绕在沉积塔架周围。
在本具体实施方式中，仅以一台塔架挂装四台VAD设备配置设计方式为例进行说明。
在厂房设计时，将厂房设计成四个楼层，一楼到三楼每个楼层高度设计为比VAD沉积腔体4高50cm左右。比如，如果沉积腔体4高度为250cm，则楼层高度设计为300cm。顶楼(四楼)由于在竖直方向上需要同时布置第四台VAD设备的沉积腔体4和预制棒提升旋转机构3，所以其楼层高度需要设计为700cm左右。
在设备安装过程中，沉积塔架1安装在一楼的塔架基础上，然后从下至上依次穿过各个楼层楼板2的预留洞口5直至四楼楼顶附近。每台沉积塔架1在各楼层的空间内只挂装一台VAD设备的沉积腔体4，各个沉积腔体4的安装方位从一楼到四楼成螺旋状分布。
如一楼沉积腔体4安装在沉积塔架1的东面，二楼安装在北面，三楼安装在西面，四楼安装在南面。VAD设备的预制棒提升旋转机构3需要穿过各楼层楼板2的预留洞口5，预留洞口5的直径必须大于30cm，以便沉积结束后疏松体预制棒能够从洞口5取出。
VAD设备沉积腔体4占用沉积塔架1的一个方位，其辅助设备成u型分布在沉积塔架1的其他三个方位，但辅助设备不能安装在塔架1上，只能安装在楼层楼板2上。一般而言，比较重要的SiCl4和GeCl4蒸发柜7需要安装在与沉积腔体4相邻的位置，工体气体气柜6和电柜8可以安装在较远的位置。由于这种设计合理的使用了楼面空间，所以各塔架之间的距离(图2)可以设计的比较紧凑，如500cm左右。
本实用新型的这种设计，在实际生产过程中各台VAD设备的生产及设备维护活动相互独立，不会产生干扰。例如，一楼的VAD设备在进行疏松体预制棒的沉积过程中，二楼的VAD设备可以进行其设备维护工作。由于沉积塔架1的刚度和强度设计的足够高，所以在二楼维护沉积腔体4和预制棒提升旋转机构3时其不会产生过大的晃动和振动，也就不会对一楼的沉积活动产生影响。
实施例2
如图1中所示，本实施例中公开了一种布置VAD和OVD的设备及其方法，其设计方案主要为：一个多楼层的厂房和由下到上贯穿于各个楼层的沉积塔架1，上述沉积塔架1的基座设置在上述厂房的一楼，上述沉积塔架1的顶部达到上述厂房的楼顶但未接触到楼顶，上述沉积塔架1在每个楼层的空间中挂装一个VAD或OVD的设备本体4，上述设备本体4从一楼至顶楼成斜对称排布方式挂装到上述沉积塔架1上；VAD或OVD的辅助设备安装在对应的VAD或OVD的设备本体的楼层上，且VAD或OVD的辅助设备环绕上述沉积塔架1周围。
还设置有用于预制棒沉积过程中提升预制棒的提升旋转机构3，每个设备本体对应一台提升旋转机构，每个上述提升旋转机构贯穿两层楼；在本实施例中，上述设备本体为VAD设备的沉积腔体4。
实施例2与实施例1中一样，以四层楼厂房为例，其中，一楼到三楼每个楼层的高度比上述沉积腔体高50cm；顶楼的高度至少5m，其它楼层的高度为3m；每层楼层的楼板均设有预留洞口，上述预留洞口恰好供上述沉积塔架穿过。
上述VAD或OVD的辅助设备包括以下几种：气柜6、SiCl4和GeCl4蒸发柜7、电柜8和操作计算机。并且，上述SiCl4和GeCl4蒸发柜7设置在VAD或OVD的设备本体相邻的位置。
实施例2中其它与实施例中一致。
本实用新型的方法提高了单位面积土地的使用效率，由于本实用新型中设备本体的布置思路从常规的横向布置转换为了纵向布置的设计，所以单位土地面积上可以安装的设备数量得到大幅度的增加，从而提高了土地的使用效率，最终降低的预制棒的生产成本。
本实用新型的方法提高了沉积塔架的使用效率，降低了一次性固定资产的投入。由于同一台沉积塔架上挂装了多台VAD和OVD设备；而且，在塔架的一部分长度范围内，一个侧面上挂装了一台设备的本体，另一个侧面则挂装了另一台设备的提升机构，大幅度提高了沉积塔架的使用效率，降低了在沉积塔架方面的固定资产投入。
本实用新型的方法提高了厂房楼面的使用效率。通过合理配置，VAD和OVD设备本体及其辅助设备相对均匀的环绕分布在沉积塔架的周围，这样可以减少沉积塔架之间的距离，从而提高厂房楼面的使用效率。同时，由于VAD和OVD设备本体及其辅助设备安装在同一楼层，既节约了设备之间连接管道、通信线缆等材料的使用，也便于后期设备问题的排查及维护。
本实用新型的方法提高了洁净区域的使用效率。因为VAD和OVD设备必须在严格控制的洁净度、温度和湿度环境下进行生产，所以洁净区域的运行和维护费用很高。本实用新型通过设备本体的纵向布置设计及辅助设备在对应楼层的合理分布，最大可能性的使用了洁净区域的有效空间，从而降低的预制棒的生产成本。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种布置VAD和OVD的设备，其包括一个多楼层的厂房和由下到上贯穿于各个楼层的沉积塔架，所述沉积塔架的基座设置在所述厂房的一楼，所述沉积塔架的顶部达到所述厂房的楼顶但未接触到楼顶，其特征在于，所述沉积塔架在每个楼层的空间中挂装一个VAD或OVD的设备本体，所述设备本体从一楼至顶楼成螺旋状排布方式挂装到所述沉积塔架上；VAD或OVD的辅助设备安装在对应的VAD或OVD的设备本体的楼层上，且VAD或OVD的辅助设备环绕所述沉积塔架周围。
2.根据权利要求1所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，所述设备本体从一楼至顶楼成螺旋状排布方式挂装到所述沉积塔架上。
3.根据权利要求2所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，还包括提升旋转机构，每个设备本体对应一台提升旋转机构，每个所述提升旋转机构贯穿两层楼。
4.根据权利要求3所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，所述设备本体为VAD设备的沉积腔体。
5.根据权利要求4所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，所述厂房有四个楼层，一楼到三楼每个楼层的高度比所述沉积腔体高50cm。
6.根据权利要求5所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，顶楼的高度至少5m，其它楼层的高度为3m。
7.根据权利要求6所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，每层楼层的楼板均设有预留洞口，所述预留洞口恰好供所述沉积塔架穿过。
8.根据权利要求1所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，所述VAD或OVD的辅助设备包括以下一种或几种：气柜、SiCl4和GeCl4蒸发柜、电柜和操作计算机柜。
9.根据权利要求8所述的一种布置VAD和OVD的设备，其特征在于，所述SiCl4和GeCl4蒸发柜设置在VAD或OVD的设备本体相邻的位置。
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