CN204570032U - 化学气相沉积设备的喷淋装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种化学气相沉积设备的喷淋装置，主要包括上层喷淋进气口、下层喷淋进气口、冷却水进口、冷却水出口、上层喷淋腔、下层喷淋腔、冷却水腔、喷淋底平面、上层喷淋管、下层喷淋管、上层喷淋出气口和下层喷淋出气口等，其特征在于上层喷淋出气口和下层喷淋出气口凸出喷淋底平面，并且可能与喷淋底平面距离不一致。本实用新型利用两层喷淋出气口凸出喷淋，有利于辐射热场反射的均匀，另外利用与喷淋底平面距离不一致来减少气体在喷淋底平面附近的混合，使气体的有效混合和反应尽量发生在载片盘表面的薄层中，以有效减少喷淋底平面上的预沉积和喷淋孔堵塞。
Description
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积设备，尤其是涉及化学气相沉积设备的喷淋装置。
技术背景
化学气相沉积（CVD）技术集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的高端半导体材料、光电子器件制造专用设备。化学气相沉积设备作为化合物半导体材料外延生长的理想方法，具有质量高、稳定性好、重复性好、工艺灵活、能规模化量产等特点，已经成为业界生产半导体光电器件和微波器件的关键核心设备，具有广阔的应用前景和产业化价值。
为了减少反应气体的提前混合和预反应，气相沉积设备通常采用多层喷淋向反应腔体输入反应气体，现有技术中多层喷淋的喷淋出气口是和喷淋底平面齐平的，并且是光滑的平面，这样一方面对于反应衬底过来的热辐射场，存在镜面反射，如果在工艺过程中，沉积颗粒造成不同地方的反射不一致，而造成盘面上的温度受喷淋顶面的表面状况的影响比较大，造成生长盘面的温度不均匀；另外一个方面就是反应气体容易在喷淋底平面混合发生预反应，造成喷淋底平面预沉积和喷淋孔堵塞，尤其是载片盘与喷淋底平面距离比较小或高温生长条件下，这种现象尤为严重，导致化学气相沉积工艺生长质量不高，且沉积污染也不容易清洁。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种化学气相沉积设备的喷淋装置，解决喷淋底平面漫反射和反应预沉积等问题。
本专利采用的技术方案是，一种化学气相沉积设备的喷淋装置，主要包括上层喷淋进气口（1）、下层喷淋进气口（2）、冷却水进口（3）、冷却水出口（4）、上层喷淋腔（5）、下层喷淋腔（6）、冷却水腔（7）、喷淋底平面（8）、上层喷淋管（9）、下层喷淋管（10）、上层喷淋出气口（11）和下层喷淋出气口（12）等，其中上层喷淋进气口（1）通过上层喷淋腔（5）、上层喷淋管（9）到喷淋底平面（8）和反应腔体连通，上层喷淋腔（5）下方设有下层喷淋腔（6），下层喷淋进气口（2）通过下层喷淋腔（6）、下层喷淋管（10）到喷淋底平面（8）和反应腔体连通，下层喷淋腔（6）下方设有冷却水腔（7），冷却水进口（3）通过冷却水腔（7）与冷却水出口（4）连通，其特征在于上层喷淋出气口（11）和下层喷淋出气口（12）均凸出喷淋底平面（8），由于喷淋底平面（8）上致密而凸出的出气口，造成对生长表面过来的热辐射形成一个接近漫反射的效果，这样对生长表面的温度场分布是非常有利的。
优选地，其特征在于所述下层喷淋出气口（12）与上层喷淋出气口（11）凸出喷淋底平面（8）为1-5毫米，而且相对于喷淋底平面（8）凸出的距离一致，凸出距离一致可以实现更为均匀的漫反射。
优选地，其特征在于上层喷淋出气口（11）和下层喷淋出气口（12）凸出喷淋底平面（8）的距离不一致，利用两层喷淋出气口与喷淋底平面距离不一致来减少气体在喷淋底平面附近的混合，使气体的有效混合和反应尽量发生在载片盘表面的薄层中，以有效减少喷淋底平面(8)上的预沉积和喷淋孔堵塞。
附图说明
图1为本实用新型一个实施例的化学气相沉积设备喷淋装置的示意图。
图2为本实用新型另一个实施例的化学气相沉积设备喷淋装置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本实用新型的实施例，图1和图2是根据本实用新型的实施方式装置的结构示意性图示。应理解，本实用新型公开的图1和图2重点示意了根据本实用新型实施方式装置的元部件，也就是说，这些附图并不意在示意出本实用新型装置中的每一个单独的元部件。
如图1所示，一种化学气相沉积设备的喷淋装置，主要包括上层喷淋进气口1、下层喷淋进气口2、冷却水进口3、冷却水出口4、上层喷淋腔5、下层喷淋腔6、冷却水腔7、喷淋底平面8、上层喷淋管9、下层喷淋管10、上层喷淋出气口11和下层喷淋出气口12等，其中上层喷淋进气口1通过上层喷淋腔5、上层喷淋管9到喷淋底平面8和反应腔体连通，上层喷淋腔5下方设有下层喷淋腔6，下层喷淋进气口2通过下层喷淋腔6、下层喷淋管10到喷淋底平面8和反应腔体连通，下层喷淋腔6下方设有冷却水腔7，冷却水进口3通过冷却水腔7与冷却水出口4连通，其特征在于上层喷淋出气口11和下层喷淋出气口12均凸出喷淋底平面8，由于喷淋底平面8上致密而凸出的出气口，造成对生长表面过来的热辐射形成一个接近漫反射的效果，这样对生长表面的温度场分布是非常有利的。
优选地，其特征在于所述下层喷淋出气口12与上层喷淋出气口11凸出喷淋底平面8为1-5毫米，而且相对于喷淋底平面8凸出的距离一致，凸出距离一致可以实现更为均匀的漫反射。
优选地，如图2所示，其特征在于上层喷淋出气口11和下层喷淋出气口12凸出喷淋底平面8的距离不一致，利用两层喷淋出气口与喷淋底平面8距离不一致来减少气体在喷淋底平面附近的混合，使气体的有效混合和反应尽量发生在载片盘表面的薄层中，以有效减少喷淋底平面8上的预沉积和喷淋孔堵塞。
以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员的理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可根据上述揭示内容做出变更、修饰或等效，但都将落入本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.一种化学气相沉积设备的喷淋装置，主要包括上层喷淋进气口（1）、下层喷淋进气口（2）、冷却水进口（3）、冷却水出口（4）、上层喷淋腔（5）、下层喷淋腔（6）、冷却水腔（7）、喷淋底平面（8）、上层喷淋管（9）、下层喷淋管（10）、上层喷淋出气口（11）和下层喷淋出气口（12）等，其中上层喷淋进气口（1）通过上层喷淋腔（5）、上层喷淋管（9）到喷淋底平面（8）和反应腔体连通，上层喷淋腔（5）下方设有下层喷淋腔（6），下层喷淋进气口（2）通过下层喷淋腔（6）、下层喷淋管（10）到喷淋底平面（8）和反应腔体连通，下层喷淋腔（6）下方设有冷却水腔（7），冷却水进口（3）通过冷却水腔（7）与冷却水出口（4）连通，其特征在于上层喷淋出气口（11）和下层喷淋出气口（12）均凸出喷淋底平面（8）。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备的喷淋装置，其特征在于所述上层喷淋出气口（11）与下层喷淋出气口（12）凸出喷淋底平面（8）为1-5毫米，且相对于喷淋底平面（8）凸出的距离一致。
3.如权利要求1所述的化学气相沉积设备的喷淋装置，其特征在于上层喷淋出气口（11）和下层喷淋出气口（12）凸出喷淋底平面（8）的距离不一致。
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|---|---|---|---|
| CN201520222713.2U CN204570032U (zh) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | 化学气相沉积设备的喷淋装置 |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN108531886A (zh) * | 2017-03-01 | 2018-09-14 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 | 一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置 |
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2015
- 2015-04-14 CN CN201520222713.2U patent/CN204570032U/zh active Active
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| CN108531886A (zh) * | 2017-03-01 | 2018-09-14 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 | 一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置 |
| CN108531886B (zh) * | 2017-03-01 | 2020-09-25 | 广东众元半导体科技有限公司 | 一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置 |
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