CN204479498U - 一种ct探测装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种CT探测装置，所述探测装置包括高能探测层和低能探测层，在高能探测层与低能探测层之间设有金属过滤片，在高能探测层与低能探测层上若干个高能探测器与低能探测器分别被排列成若干排，且高能探测器排与排之间的间距与低能探测器排与排之间的间距不等；在每排的探测器与低能探测器中分别设有若干个高能探测器与低能探测器，且每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距与每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距不等；高能探测器与高能PCB电路板连接，低能探测器与低能PCB电路板连接，CB电路板与控制电路连接。采用本实用新型所述的一种CT探测装置可以大幅降低探测器的成本，以高能稀疏为例，预计降幅在30％以上。
Description
技术领域
本实用新型涉及采用X射线进行安全检查技术领域，具体涉及一种CT探测装置。
背景技术
在现有技术中针对爆炸物的检测，X射线技术由于其自身特有的优势是目前应用最为广泛的安全检查技术。X射线安全检查技术主要包括单能透视技术、双能透视技术、多视角技术、背散射技术、CT技术等。通常X射线CT技术又可分为单能谱CT技术和多能谱CT技术，单能谱CT技术可以获取物质的衰减系数信息(通过转化相当于物质的密度)，该技术只能获取物质的密度信息，因此仍然具有一定的局限性。而多能谱CT技术中的X射线双能CT技术由于能够同时获得物质的原子序数和密度信息，在X射线安全检查技术中具有最高的探测精度，因此在安全检查中得到了越来越多的应用。通常能采用以下几种模式实现双能CT成像，一是通过射线源的高压切换得到两个高压下的投影数据，这种方式通常要对物体扫描两次。二是采用两个射线源，两个探测器，两个射线源设置不同的管电压，采用这种探测方法设备成本很高。三是通过射线源的快速切换，采用这种方法对射线源的要求比较高。上述三种情况均为真双能成像。四是采用双层探测器，即伪双能成像，探测器的成本相对较高。五是采用光子计数探测器，进行能谱成像，然而该技术当前还处于实验室研究阶段，探测器的成本还非常高。针对行李检测的双能CT系统通常需要采用双层探测器，即采用伪双能成像模式。在这种成像模式下，探测器成本相对较高。
为了降低探测装置成本，中国ZL：专利：201220496589.5公开了一种CT系统和用于CT系统的探测装置，该探测装置包括：低能探测器组件；以及设置在所述低能探测器组件之下的高能探测器组件，其中所述高能探测器组件包括；多排高能探测器，所述高能探测器之间具有预定间距。该探测装置减少了探测器和数据采集单元，既获得了高分辨率的三维CT图像，又实现了高准确度的危险品报警。在保证高的系统性能下，降低了系统的制造成本。该装置只将高能探测器排之间设置了预定间距。
实用新型内容
本实用新型目的在于，克服现有技术中的不足，提供一种对物品探测效果好，成本低廉的CT探测装置。
为实现上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是：提供一种CT探测装置，所述探测装置包括高能探测层和低能探测层，在高能探测层与低能探测层之间设有金属过滤片，在高能探测层与低能探测层上分别设置有若干个高能探测器与低能探测器，在高能探测层与低能探测层上若干个高能探测器与低能探测器分别排列成若干排，且高能探测器排与排之间的间距与低能探测器排与排之间的间距不等；在每排的高能探测器与每排的低能探测器中分别设有若干个高能探测器与低能探测器，且每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距与每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距不等；若干个高能探测器分别与高能PCB电路板连接，若干个低能探测器分别与低能PCB电路板连接，高能PCB电路板与低能PCB电路板与控制电路连接。
优选的技术方案有，所述若干排高能探测器排与排之间的间距大于若干排低能探测器排与排之间的间距。
进一步优选的技术方案还有，所述若干排低能探测器排与排之间的间距大于若干排高能探测器排与排之间的间距。
进一步优选的技术方案还有，所述每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距大于每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距。
进一步优选的技术方案还有，所述每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距大于每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距。
优选的技术方案还有，所述金属过滤片、高能PCB电路板和低能PCB电路板的排布呈相互平行的平面，或呈相互平行的曲面。
优选的技术方案还有，所述若干高能探测器和若干低能探测器层可以共用一个PCB板。
本实用新型的优点及有益效果是，采用本实用新型所述的一种CT探测装置及其数据处理方法可以大幅降低探测器的成本，以高能稀疏为例，预计降幅在30％以上。
附图说明
图1为本实用新型CT探测装置实施例1的立体结构示意图；
图2为本实用新型CT探测装置实施例2的立体结构示意图；
图3为本实用新型CT探测装置实施例3的立体结构示意图；
图4为本实用新型CT探测装置实施例4的立体结构示意图；
图5为图1、图2的俯视图；
图6为图3的俯视图；
图7为图4的俯视图；
图8为图2的侧视图；
图9为图4的侧视图；
图10为图1、图2另一侧的侧视图；
图11为图3、图4另一侧的侧视图；
图12为本实用新型CT探测装置的平面探测结构示意图；
图13为本实用新型CT探测装置的弧面探测结构示意图。
图中：1-控制电路，2-低能探测器，3-表示低能探测器的排列方向，4-低能PCB电路板，5-金属过滤片，6-高能探测器，7-高能PCB电路板，8-表示高能探测器在每排内的排列方向。
具体实施方式
本实用新型一种CT探测装置，所述探测装置包括高能探测层和低能探测层，在高能探测层与低能探测层之间设有金属过滤片5，在高能探测层与低能探测层上分别设置有若干个高能探测器6与低能探测器2，在高能探测层与低能探测层上若干个高能探测器6与低能探测器2分别排列成若干排，且高能探测器6排与排之间的间距与低能探测器2排与排之间的间距不等；在每排的高能探测器6与每排的低能探测器2中分别设有若干个高能探测器6与低能探测器2，且每排高能探测器6中每个高能探测器6之间的间距与每排低能探测器2中每个低能探测器2之间的间距不等；若干个高能探测器6分别与高能PCB电路板7连接，若干个低能探测器2分别与低能PCB电路板4连接，高能PCB电路板7与低能PCB电路板4与控制电路1连接。
优选的技术方案有，所述若干排高能探测器6排与排之间的间距大于若干排低能探测器2排与排之间的间距。
进一步优选的技术方案还有，所述若干排低能探测器2排与排之间的间距大于若干排高能探测器6排与排之间的间距。
进一步优选的技术方案还有，所述每排高能探测器6中每个高能探测器6之间的间距大于每排低能探测器2中每个低能探测器2之间的间距。
进一步优选的技术方案还有，所述每排高能探测器6中每个高能探测器6之间的间距大于每排低能探测器2中每个低能探测器2之间的间距。
优选的技术方案还有，所述金属过滤片5、高能PCB电路板7和低能PCB电路板4的排布呈相互平行的平面，或呈相互平行的曲面。
优选的技术方案还有，所述若干高能探测器6和若干低能探测器2层可以共用一个PCB板。
实施例1
如图1所示，本实用新型CT探测装置中的高能探测器6相对低能探测器2在排与排之间排列稀疏，即高能探测器6相对于低能探测器2是单向稀疏的，并且是在一排之内稀疏。在一排之内，高能探测器6的采样间隔大于低能探测器2的采样间隔。3所示的箭头表示低能探测器2的排列方向，8所示的箭头表示高能探测器6在每排内的排列方向。图5为图1图2的俯视图，10为图1一侧的侧视图。
实施例2
如图2所示，本实用新型CT探测装置中的高能探测器6相对低能探测器2在排与排和排间均稀疏排列的示意图，即高能探测器6相对低能是双向稀疏的。在一排之内和排间，高能探测器6的采样间隔均大于低能探测器2的采样间隔。3所示的箭头表示低能探测器2的排列方向，8所示的箭头表示高能探测器6在每排内的排列方向。图5为图1图2的俯视图。
实施例3
如图3所示，本实用新型CT探测装置中的低能探测器2相对高能探测器6在排与排之间列稀疏，即低能探测器2相对高能探测器6是单向稀疏的，并且是在一排之内也排列稀疏。在一排之内，低能探测器2的采样间隔大于高能探测器6的采样间隔。3所示的箭头表示低能探测器2的排列方向，8所示的箭头表示高能探测器6在每排内的排列方向。图6为图3的俯视图，图9为图4的侧视图，图11为图3图4另一侧的侧视图。
实施例4
如图4所示，本实用新型CT探测装置中的低能探测器2相对高能探测器6在排与排之间和排内均排列稀疏，即低能探测器2相对高能探测器6是双向稀疏排列的。在一排之内和排间，高能探测器6的采样间隔大于低能探测器2的采样间隔。3所示的箭头表示低能探测器2的排列方向，8所示的箭头表示高能探测器6在每排内的排列方向。图7为图4的俯视图。
实施例5
如图12，13所示，本实用新型CT探测装置中，所述金属过滤片5、高能PCB电路板7和低能PCB电路板4的排布呈相互平行的平面，或呈相互平行的曲面。
本实用新型不限于上述实施方式，本领域技术人员所做出的对上述实施方式任何显而易见的改进或变更，都不会超出本实用新型的构思和所附权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种CT探测装置，其特征在于，所述探测装置包括高能探测层和低能探测层，在高能探测层与低能探测层之间设有金属过滤片，在高能探测层与低能探测层上分别设置有若干个高能探测器与低能探测器，在高能探测层与低能探测层上若干个高能探测器与低能探测器分别排列成若干排，且高能探测器排与排之间的间距与低能探测器排与排之间的间距不等；在每排的高能探测器与每排的低能探测器中分别设有若干个高能探测器与低能探测器，且每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距与每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距不等；若干个高能探测器分别与高能PCB电路板连接，若干个低能探测器分别与低能PCB电路板连接，高能PCB电路板与低能PCB电路板与控制电路连接。
2.如权利要求1所述的CT探测装置，其特征在于，所述若干排高能探测器排与排之间的间距大于若干排低能探测器排与排之间的间距。
3.如权利要求1所述的CT探测装置，其特征在于，所述若干排低能探测器排与排之间的间距大于若干排高能探测器排与排之间的间距。
4.如权利要求1所述的CT探测装置，其特征在于，所述每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距大于每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距。
5.如权利要求1所述的CT探测装置，其特征在于，所述每排高能探测器中每个高能探测器之间的间距大于每排低能探测器中每个低能探测器之间的间距。
6.如权利要求1所述的CT探测装置，其特征在于，所述金属过滤片、高能PCB电路板和低能PCB电路板的排布呈相互平行的平面，或呈相互平行的曲面。
7.如权利要求1所述的CT探测装置，其特征在于，所述若干高能探测器和若干低能探测器层能共用一个PCB板。
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