CN204375706U - 一种用于半导体反应腔室的清洗装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：一圆形容器，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔，所述侧壁设置有若干个小孔；一底座，所述底座的上部与所述圆形容器的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。本实用新型通过离心力,清洗装置内的去离子水会从装置边缘的小孔向四周甩出，喷洒到反应腔室的内壁上，由此起到清洁反应腔室内壁的效果，大幅降低反应腔室内壁残留的酸性物质，有效的提高产品的良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制造设备的清洗装置，特别是涉及一种用于半导体反应腔室的清洗装置。
背景技术
在半导体制造的过程中，反应腔室是半导体制造的必要设备，但是，由于制备过程中，反应腔室内会产生大量的残留物质，例如，在实际的生产过程中，某些反应腔室的内壁会残留酸性物质，这些残留的酸性物质可能会在排气等过程中滴落在产品上，极易在产品表面产生缺陷，导致产品良率降低。
因此，在等离子体反应腔体内工艺完一片晶片后，手臂需要将已经工艺好的晶片传出等离子体反应腔体，然后进行等离子体反应腔体的清洗。
由于传统的清洗方式，是在工艺完一片晶片后将等离子体反应腔体打开，并采用人工方式清洗，例如使用浸润有水的无尘布对所述等离子体反应腔体进行擦拭。该方法清洗过程复杂用时久，而且很难将等离子体反应腔体内壁上的薄膜清洗干净。
鉴于以上原因，提供一种可以有效清洗半导体反应腔室的清洗装置实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，用于解决现有技术中反应腔室难以清洗的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：
一圆形容器，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔，所述侧壁设置有若干个小孔；
一底座，所述底座的上部与所述圆形容器的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。
作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述圆形容器的材质为有机玻璃。
作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述圆形容器的直径为200～400mm，高度为30～100mm，顶部开孔的直径为100～300mm。
作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述底座的材质为聚四氟乙烯。
作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述底座包括一底座上层及一底座下层，所述底座上层固定连接于所述圆形容器的底部，所述底座下层与所述底座上层固定连接，并设置有连接孔。
进一步地，所述底座上层及底座下层的形状为圆柱形，所述底座上层的直径为60～100mm，高度为20～40mm，所述底座下层的直径为40～60mm，高度为50～100mm。
作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述小孔的数量为4～12个，均匀分布于所述圆形容器的侧壁。
作为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的一种优选方案，所述小孔的直径为0.5～1.5mm。
如上所述，本实用新型提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：一圆形容器，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔，所述侧壁设置有若干个小孔；一底座，所述底座的上部与所述圆形容器的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。本实用新型通过离心力,清洗装置内的去离子水会从装置边缘的小孔向四周甩出，喷洒到反应腔室的内壁上，由此起到清洁反应腔室内壁的效果，大幅降低反应腔室内壁残留的酸性物质，有效的提高产品的良率。
附图说明
图1显示为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的主视结构示意图。
图2显示为本实用新型的用于半导体反应腔室的清洗装置的俯视结构示意图。
元件标号说明
10 圆形容器
20 开孔
30 底座上层
40 底座下层
50 连接孔
60 小孔
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1～图2所示，本实施例提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：
一圆形容器10，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔20，所述侧壁设置有若干个小孔60；
一底座，所述底座的上部与所述圆形容器10的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔50，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。
作为示例，所述圆形容器10腔体的材质为有机玻璃。当然，所述圆形容器10的材质也可以为塑料、陶瓷等其他的材质，并不限定于此。
作为示例，所述圆形容器10的直径D1为200～400mm，高度H1为30～100mm，顶部开孔20的直径为100～300mm。在本实施例中，所述圆形容器10的直径D1为300mm，高度H1为50mm，顶部开孔20的直径为170mm。
作为示例，所述底座的材质为聚四氟乙烯。当然，所述底座的材质也可以为其他的聚合物材料，并不限定于此。
作为示例，所述底座包括一底座上层30及一底座下层40，所述底座上层30固定连接于所述圆形容器10的底部，所述底座下层40与所述底座上层30固定连接，并设置有连接孔50。进一步地，所述底座上层30及底座下层40的形状为圆柱形，所述底座上层的直径D2为60～100mm，高度H2为20～40mm，所述底座下层40的直径D3为40～60mm，高度H3为50～100mm。在本实施例中，所述底座上层的直径D2为80mm，高度H2为30mm，所述底座下层40的直径D3为50mm，高度H3为77mm。
作为示例，所述小孔60的数量为4～12个，均匀分布于所述圆形容器10的侧壁。在本实施例中，所述小孔60的数量为6个，任意相邻两个小孔60与清洗装置中心连线的夹角为60度。
作为示例，所述小孔60的直径为0.5～1.5mm。在本实施例中，所述小孔60的直径为1mm。
本实施例的用于半导体反应腔室的清洗装置的工作原理为：
第一步，通过所述清洗装置的连接孔与反应腔室的旋转装置进行固定连接，然后反映腔室设备中会有两股去离子水从清洗装置顶部的开孔20出注入到该清洗装置内；
第二步，当去离子水即将注满时，设备会停止注水，同时，通过反应腔室内的旋转装置开始旋转该清洗装置，转速为200转/分钟左右；
第三步，通过离心力，该清洗装置内的去离子水会从装置边缘的6个小孔60向四周甩出，喷洒到反应腔室的内壁上，由此起到清洁反应腔室内壁的效果，大幅降低反应腔室内壁残留的酸性物质，有效的提高产品的良率。实验证明，使用本实用新型的清洗装置后，对反应腔室背部测试的PH试纸测试结果呈中性。
如上所述，本实用新型提供一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，所述清洗装置包括：一圆形容器10，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔20，所述侧壁设置有若干个小孔60；一底座，所述底座的上部与所述圆形容器10的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔50，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。本实用新型通过离心力,清洗装置内的去离子水会从装置边缘的小孔60向四周甩出，喷洒到反应腔室的内壁上，由此起到清洁反应腔室内壁的效果，大幅降低反应腔室内壁残留的酸性物质，有效的提高产品的良率。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种用于半导体反应腔室的清洗装置，所述半导体反应腔室底部设置有旋转装置，其特征在于，所述清洗装置包括：
一圆形容器，包括一底部、一侧壁及一顶部，所述顶部设置有开孔，所述侧壁设置有若干个小孔；
一底座，所述底座的上部与所述圆形容器的底部固定连接，所述底座的下部设置有连接孔，用于与所述旋转装置的轴承固定连接。
2.根据权利要求1所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述圆形容器的材质为有机玻璃。
3.根据权利要求1所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述圆形容器的直径为200～400mm，高度为30～100mm，顶部开孔的直径为100～300mm。
4.根据权利要求1所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述底座的材质为聚四氟乙烯。
5.根据权利要求1所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述底座包括一底座上层及一底座下层，所述底座上层固定连接于所述圆形容器的底部，所述底座下层与所述底座上层固定连接，并设置有连接孔。
6.根据权利要求5所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述底座上层及底座下层的形状为圆柱形，所述底座上层的直径为60～100mm，高度为20～40mm，所述底座下层的直径为40～60mm，高度为50～100mm。
7.根据权利要求1所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述小孔的数量为4～12个，均匀分布于所述圆形容器的侧壁。
8.根据权利要求1所述的用于半导体反应腔室的清洗装置，其特征在于：所述小孔的直径为0.5～1.5mm。
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| CN201420645775.XU CN204375706U (zh) | 2014-10-31 | 2014-10-31 | 一种用于半导体反应腔室的清洗装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113652671A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种mocvd反应腔室清扫装置及其清扫方法 |
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