CN204332574U - 一种lvdt新型的线圈绕制结构 - Google Patents

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刘彦君
肖岸飞
梁国栋
王鲲鹏
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Abstract

本实用新型属于机械设计技术领域，涉及一种LVDT新型的线圈绕制结构。本实用新型包括线圈组件、壳体、底盖、铁芯、连杆；线圈组件包括骨架、初级线圈、次级线圈Ⅰ、次级线圈Ⅱ组成；初级线圈均匀分布在骨架每个线槽内；次级线圈Ⅰ、次级线圈Ⅱ绕制在初级线圈上，且次级线圈Ⅰ、次级线圈Ⅱ以骨架轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；骨架通过滚包的方式与底盖、壳体紧固。本实用新型解决了提高LVDT线位移传感器线性范围的线圈绕制结构，其结构简单可靠、性能优良。

Description

一种LVDT新型的线圈绕制结构
技术领域
本实用新型属于机械设计技术领域，涉及一种LVDT新型的线圈绕制结构。
背景技术
通常LVDT线位移传感器线性范围较小，线圈常规绕制结构磁场线性范围较小，因此为了得到较大的量程范围往往需要几十倍的线圈长度。在实际应用过程中，不能满足线位移传感器小型化、高精化的要求。
发明内容
本发明的目的：提出一种结构简单、线性范围大、可靠性高的LVDT新型的线圈绕制结构。
本发明的技术方案：一种LVDT新型的线圈绕制结构，其特征为：所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6；线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7组成；初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内；次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7绕制在初级线圈2上，且次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7以骨架3轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固；铁芯5通过螺纹与连杆(6)连接，可在骨架3中心孔内自由移动。
本发明的优点：本实用新型通过阶梯递增线圈绕制结构使LVDT线位移传感器磁路均匀，线性范围更大，这样在相同外部尺寸条件下具有更大的量程。其结构简单可靠、性能优良。
附图说明：
图1是本实用新型一种LVDT新型的线圈绕制结构具体实施方式的剖视图；
其中，1-次级线圈Ⅰ、2-初级线圈、3-骨架、4-壳体、5-铁芯、6-连杆、7-次级线圈Ⅱ、8-底盖。
具体实施方式：
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步详细说明。
参见图1，其为本实用新型一种LVDT新型的线圈绕制结构的一种具体实施方式。所述结构包括线圈组件、壳体4、底盖8、铁芯5、连杆6；线圈组件包括骨架3、初级线圈2、次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7组成；初级线圈2均匀分布在骨架3每个线槽内；次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7绕制在初级线圈2上，且次级线圈Ⅰ1、次级线圈Ⅱ7以骨架3轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体4通过两端挤压变形的收口方式与底盖8、骨架3紧固；铁芯5通过螺纹与连杆6连接，可在骨架3中心孔内自由移动。

Claims (1)

1.一种LVDT新型的线圈绕制结构，其特征为：所述结构包括线圈组件、壳体(4)、底盖(8)、铁芯(5)、连杆(6)；线圈组件包括骨架(3)、初级线圈(2)、次级线圈Ⅰ(1)、次级线圈Ⅱ(7)组成；初级线圈(2)均匀分布在骨架(3)每个线槽内；次级线圈Ⅰ(1)、次级线圈Ⅱ(7)绕制在初级线圈(2)上，且次级线圈Ⅰ(1)、次级线圈Ⅱ(7)以骨架(3)轴向中心对称分布，每个线槽内绕制线圈匝数由内向外阶梯递增；壳体(4)通过两端挤压变形的收口方式与底盖(8)、骨架(3)紧固；铁芯(5)通过螺纹与连杆(6)连接，可在骨架(3)中心孔内自由移动。
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