CN204316346U - 基于移相处理的单片晶控变换振荡系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，主要包括信号变换电路，与信号变换电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路，其特征在于：还包括同时与正反馈电路和选频电路以及选频电路相连接的移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT3，三极管VT2，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R16，负极经电阻R17后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C10等组成。本实用新型采用移相处理电路，其可以保证振荡系统用于很宽的频率范围时还可以维持很好的稳定性。

Description

基于移相处理的单片晶控变换振荡系统

技术领域

本实用新型涉及一种系统，具体是指一种基于移相处理的单片晶控变换振荡系统。

背景技术

随着电子技术的不断发展，振荡器作为产生重复电子讯号（通常是正弦波或方波）的电子元件应用越来越广泛。其种类很多，按振荡激励方式可分为自激振荡器、他激振荡器；按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器、音叉振荡器等；按输出波形可分为正弦波、方波、锯齿波等振荡器。目前广泛用于电子工业、医疗、科学研究等方面。

然而目前的振荡器系统所适用的频率范围较小，并且容易受到电压波动的影响，这就使得振荡系统应用范围具有很大的局限性和不稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决目前的振荡系统所适用的频率范围较小，且容易受到电压波动影响的缺陷，提供一种基于移相处理的单片晶控变换振荡系统。

本实用新型的目的通过下述技术方案现实：基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，主要包括信号变换电路，与信号变换电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路，还包括同时与正反馈电路和选频电路以及选频电路相连接的移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT3，三极管VT2，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R16，负极经电阻R17后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C10，正极经电阻R15后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电位器R14，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片U1的VCC+管脚与选频电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT3的发射极与三极管VT2的基极相连接，三极管VT2的集电极与缓冲电路相连接，电容C10的负极与选频电路相连。

所述信号变换电路由转换芯片K，变压器T1，串接在变压器T1副边同名端与非同名端之间的电容C1，与电容C1相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSC1管脚相连接、发射极经电阻R1后与转换芯片K的OSC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的OSC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VT1的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VT1的基极与外部电源相连接，转换芯片K的IN1管脚与变压器T1副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器T1副边的同名端相连接、GND管脚与变压器T1原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VT1的基极相连接、OUT2管脚和OUT1管脚均与信号放大电路相连。

所述的信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的OUT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器P1的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2，一端与放大器P1的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器P1的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器P1的反相输入端与转换芯片K的OUT1管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。

所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管D1组成；场效应管Q1的漏极经电阻R6后与放大器P1的输出端相连接、其源极则同时与电容C10的负极以及电阻R3相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管D1的P极与场效应管Q1的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接，场效应管Q1的源极还与选频电路相连接。

所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8；放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管D1的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、反相输入端与场效应管Q1的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。

所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻R11，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的电阻R10组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管D1的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点接地。

所述的移相芯片U1为LM741集成芯片。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点及有益效果：

1、本实用新型采用移相处理电路，其可以保证振荡系统用于很宽的频率范围时还可以维持很好的稳定性。

2、本实用新型采用了LM741集成芯片其灵敏度高，价格低廉。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式并不限于此。

实施例

如图1所示，本实用新型的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，主要包括信号变换电路，与信号变换电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路，还包括同时与正反馈电路和选频电路以及选频电路相连接的移相处理电路。

所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT3，三极管VT2，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R16，负极经电阻R17后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C10，正极经电阻R15后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电位器R14，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片U1的VCC+管脚与选频电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT3的发射极与三极管VT2的基极相连接，三极管VT2的集电极与缓冲电路相连接，电容C10的负极与选频电路相连。移相处理电路，其可以保证振荡系统用于很宽的频率范围时还可以维持很好的稳定性。为了更好的现像本实用新型的目的，所述的移相芯片U1优选为LM741集成芯片，其灵敏度高，价格低廉。

为了使振荡系统适用于很宽的频率范围，扩大振荡系统的应用场合，因此在信号放大电路的输入端还设置有信号变换电路。其由转换芯片K，变压器T1，串接在变压器T1副边同名端与非同名端之间的电容C1，与电容C1相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSC1管脚相连接、发射极经电阻R1后与转换芯片K的OSC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的OSC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VT1的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VT1的基极与外部电源相连接，转换芯片K的IN1管脚与变压器T1副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器T1副边的同名端相连接、GND管脚与变压器T1原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VT1的基极相连接、OUT2管脚和OUT1管脚均与信号放大电路相连。为了更好的实现本实用新型，所述的转换芯片K优选为NE602，其使用方便并且具有很好的信噪比和三阶互调指标。

系统中设置有信号放大电路，其能对所输入的信号予以放大，保证输出的信号维持恒定的数值。其由放大器P1，正极与转换芯片K的OUT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器P1的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2，一端与放大器P1的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器P1的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器P1的反相输入端与转换芯片K的OUT1管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。

正反馈电路可以使输入端的反馈信号的相位相同，以保证系统振荡维持下去。其由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管D1组成；场效应管Q1的漏极经电阻R6后与放大器P1的输出端相连接、其源极则同时与电容C10的负极以及电阻R3相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管D1的P极与场效应管Q1的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接，场效应管Q1的源极还与选频电路相连接。

而选频电路则可以对频率进行筛选，其只允许特定的频率通过，使振荡系统维持单一频率的输出。其包括放大器P2，电容C5，电阻R8；放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管D1的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、反相输入端与场效应管Q1的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。

所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻R11，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的电阻R10组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管D1的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点接地。通过缓冲电路的作用可以有效的防止系统中的负载效应以及因负载变化而产生的频率漂移现像，从而实现振荡电路的低失真度。

如上所述，便可很好的实现本实用新型。

Claims (7)

1.基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，主要包括信号变换电路，与信号变换电路相连接的信号放大电路，与信号放大电路相连接的正反馈电路，与正反馈电路相连接的选频电路，以及与选频电路相连接的缓冲电路，其特征在于：还包括同时与正反馈电路和选频电路以及选频电路相连接的移相处理电路；所述的移相处理电路由移相芯片U1，三极管VT3，三极管VT2，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R16，负极经电阻R17后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C10，正极经电阻R15后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C9，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电位器R14，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D3，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2组成；所述移相芯片U1的VCC+管脚与选频电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT3的发射极与三极管VT2的基极相连接，三极管VT2的集电极与缓冲电路相连接，电容C10的负极与选频电路相连。

2.根据权利要求1所述的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，其特征在于：所述信号变换电路由转换芯片K，变压器T1，串接在变压器T1副边同名端与非同名端之间的电容C1，与电容C1相并联的电容C2，集电极与转换芯片K的OSC1管脚相连接、发射极经电阻R1后与转换芯片K的OSC2管脚相连接、基极则经基频石英晶体X后与转换芯片K的OSC2管脚相连的三极管VT1，一端与三极管VT1的基极相连接、另一端则与转换芯片K的VCC管脚相连的电容C3组成；所述三极管VT1的基极与外部电源相连接，转换芯片K的IN1管脚与变压器T1副边的非同名端相连接、其IN2管脚则与变压器T1副边的同名端相连接、GND管脚与变压器T1原边的非同名端相连、VCC管脚与三极管VT1的基极相连接、OUT2管脚和OUT1管脚均与信号放大电路相连。

3.根据权利要求2所述的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，其特征在于：所述的信号放大电路由放大器P1，正极与转换芯片K的OUT2管脚相连接、负极经电阻R3后与正反馈电路以及选频电路相连的电容C4，一端与放大器P1的反相输入端相连、另一端与电容C4的负极相连接的电阻R2，一端与放大器P1的正相输入端相连、另一端接地的电阻R4，以及串接在放大器P1的反相输入端与输出端之间的电阻R5组成；所述放大器P1的反相输入端与转换芯片K的OUT1管脚相连接，其输出端则与正反馈电路相连。

4.根据权利要求3所述的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，其特征在于：所述的正反馈电路由场效应管Q1，电阻R6，电阻R7，以及二极管D1组成；场效应管Q1的漏极经电阻R6后与放大器P1的输出端相连接、其源极则同时与电容C10的负极以及电阻R3相连接、其栅极经电阻R7后接地，二极管D1的P极与场效应管Q1的栅极相连接、其N极则与选频电路相连接，场效应管Q1的源极还与选频电路相连接。

5.根据权利要求4所述的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，其特征在于：所述的选频电路包括放大器P2，电容C5，电阻R8；放大器P2的输出端经电阻R8后同时与二极管D1的N极以及缓冲电路相连接、其正相输入端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、反相输入端与场效应管Q1的源极相连接，电容C5则串接在放大器P2的反相输入端和输出端之间。

6.根据权利要求5所述的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，其特征在于：所述的缓冲电路由变压器T2，双栅极场效应管Q2，正极与双栅极场效应管Q2的a栅极相连接、负极接地的电容C7，与电容C7相并联的电阻R11，一端与电容C7的正极相连接、另一端经电阻R13后与变压器T2原边的同名端相连接的电阻R12，一端与双栅极场效应管Q2的b栅极相连接、另一端经电容C6后与双栅极场效应管Q2的源极相连接的电阻R9，以及一端与双栅极场效应管Q2的源极相连接、另一端与电阻R9和电容C6的连接点相连接的电阻R10组成；所述双栅极场效应管Q2的b栅极还二极管D1的N极相连接、其漏极与变压器T2原边的非同名端相连接，变压器T2副边的同名端接地，电阻R9和电容C6的连接点接地。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基于移相处理的单片晶控变换振荡系统，其特征在于：所述的移相芯片U1为LM741集成芯片。