CN104457825A - 一种低发热量的高频变换检波系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，采样电路，与采样电路相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的电压比较电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器T1的原边与电压比较电路相连接；所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q6，三极管Q7，正极与采样电路相连接、负极经电阻R14后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C9等组成。本发明采用线性驱动电路，可以降低检波器的工作温度。
Description
技术领域
本发明涉及一种检波系统，具体是指一种低发热量的高频变换检波系统。
背景技术
检波器可以检出波动信号中某种有用信息，其是用于识别波、振荡信号存在或变化的器件，也可用于提取外界所携带的信息。目前检波器已被广泛应用，如可用于地质勘探和工程测量、用于量测设备运行时的噪音等，给人们带来了很大的便利。
然而，目前市面上的检波器工作时的温度过高，不利于检波器长时间工作。
发明内容
本发明的目的在于克服现有检波器工作时温度过高的缺陷，提供一种低发热量的高频变换检波系统。
本发明的目的通过下述技术方案实现：一种低发热量的高频变换检波系统，由变压器T1，变压器T2，采样电路，与采样电路相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的电压比较电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器T1的原边与电压比较电路相连接；所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q6，三极管Q7，正极与采样电路相连接、负极经电阻R14后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C9，一端与三极管Q4的集电极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q6的基极相连接的电阻R15，正极与三极管Q4的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C11，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与三极管Q5的基极相连接的电阻R18，一端与三极管Q5的基极相连接、另一端与三极管Q6的基极相连接的电阻R17，N极与三极管Q4的集电极相连接、P极与三极管Q5的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管Q4的集电极相连接、反相端与三极管Q7的集电极相连接的非门Y，一端与三极管Q7发射极相连接、另一端经电阻R19后与三极管Q6的发射极相连接的电阻R20，P极与非门Y的反相端相连接、N极与电阻R19和电阻R20的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管Q4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管Q5的集电极相连接，三极管Q5的集电极还与三极管Q7的基极相连接、其发射极与三极管Q6的基极相连接，三极管Q6的集电极接地，二极管D2的N极与电压比较电路相连接。
所述的采样电路由放大器P，一端与放大器P的正相输入端相连接、另一端作为信号输入端的电阻R1，正极与放大器P的正相输入端相连、负极接地的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R2，串接在放大器P的反相输入端和输出极之间的电阻R4，以及一端与放大器P的反相输入端相连、另一端接地的电阻R3组成；所述放大器P的输出极还与电容C9的正极相连接。
所述的电压比较电路由比较芯片U1，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端与比较芯片U1的V+管脚相连接的电阻R6，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端则与混频电路相连的电阻R7，一端与二极管D2的N极相连、另一端则与比较芯片U1的IN1管脚相连的电阻R5，以及正极与比较芯片U1的V-管脚相连、负极与比较芯片U1的GND管脚相连的极性电容C2组成；所述比较芯片U1的V+管脚与外部电压相连，其OUT管脚同时与变压器T1原边的同名端和非同名端相连接，GND管脚接地。
所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R8，电阻R13，以及电感L1组成；电阻R8的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端与电阻R7相连接，电感L1的一端与场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R13后回到场效应管K的漏极；电阻R13和电感L1的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管K的b栅极与变压器T1副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
所述的第一转换电路由三极管Q1，一端与三极管Q1的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R9，与电阻R9相并联的极性电容C3，负极与电阻R13和电感L1的连接点相连接、正极与三极管Q1的集电极相连接的极性电容C4组成；所述三极管Q1的基极与变压器T1原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
所述处理电路由三极管Q2，三极管Q3，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端与三极管Q1的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端同时与三极管Q1的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R11组成；所述三极管Q3的基极与三极管Q2的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q2的基极与电阻R13和电感L1的连接点相连接、其集电极同时与场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
所述的第二转换电路包括极性电容C8，极性电容C7，极性电容C6，极性电容C5，电阻R12；极性电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q2的集电极相连接，极性电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，极性电容C6的正极与三极管Q3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，极性电容C5的正极与三极管Q1的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与极性电容C6的负极相连接，所述变压器T2副边同名端接地。
所述的驱动芯片U为LM387集成芯片。
本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本发明能够大大提高检波系统的工作频率，使其应用范围更广。(2)
本发明采用双栅极场效应管的设计，使检波系统工作更加稳定。
(3)本发明采用线性驱动电路，可以降低检波器的工作温度。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明线性驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。
实施例
如图1所示，本发明的低发热量的高频变换检波系统，由变压器T1，变压器T2，采样电路，与采样电路相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的电压比较电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器T1的原边与电压比较电路相连接。
如图2所示，所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q6，三极管Q7，正极与采样电路相连接、负极经电阻R14后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C9，一端与三极管Q4的集电极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q6的基极相连接的电阻R15，正极与三极管Q4的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C11，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与三极管Q5的基极相连接的电阻R18，一端与三极管Q5的基极相连接、另一端与三极管Q6的基极相连接的电阻R17，N极与三极管Q4的集电极相连接、P极与三极管Q5的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管Q4的集电极相连接、反相端与三极管Q7的集电极相连接的非门Y，一端与三极管Q7发射极相连接、另一端经电阻R19后与三极管Q6的发射极相连接的电阻R20，P极与非门Y的反相端相连接、N极与电阻R19和电阻R20的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管Q4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管Q5的集电极相连接，三极管Q5的集电极还与三极管Q7的基极相连接、其发射极与三极管Q6的基极相连接，三极管Q6的集电极接地，二极管D2的N极与电压比较电路相连接。线性驱动电路，可以降低检波器的工作温度。为了保证实施效果，所述的驱动芯片U优选为LM387集成芯片，其灵敏度高、并且价格便宜。
所述的采样电路由放大器P，一端与放大器P的正相输入端相连接、另一端作为信号输入端的电阻R1，正极与放大器P的正相输入端相连、负极接地的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R2，串接在放大器P的反相输入端和输出极之间的电阻R4，以及一端与放大器P的反相输入端相连、另一端接地的电阻R3组成；所述放大器P的输出极还与电容C9的正极相连接。
所述的电压比较电路由比较芯片U1，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端与比较芯片U1的V+管脚相连接的电阻R6，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端则与混频电路相连的电阻R7，一端与二极管D2的N极相连、另一端则与比较芯片U1的IN1管脚相连的电阻R5，以及正极与比较芯片U1的V-管脚相连、负极与比较芯片U1的GND管脚相连的极性电容C2组成；所述比较芯片U1的V+管脚与外部电压相连，其OUT管脚同时与变压器T1原边的同名端和非同名端相连接，GND管脚接地。
所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R8，电阻R13，以及电感L1组成；电阻R8的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端与电阻R7相连接，电感L1的一端与场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R13后回到场效应管K的漏极；电阻R13和电感L1的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管K的b栅极与变压器T1副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
所述的第一转换电路由三极管Q1，一端与三极管Q1的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R9，与电阻R9相并联的极性电容C3，负极与电阻R13和电感L1的连接点相连接、正极与三极管Q1的集电极相连接的极性电容C4组成；所述三极管Q1的基极与变压器T1原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
所述处理电路由三极管Q2，三极管Q3，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端与三极管Q1的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端同时与三极管Q1的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R11组成；所述三极管Q3的基极与三极管Q2的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q2的基极与电阻R13和电感L1的连接点相连接、其集电极同时与场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
所述的第二转换电路包括极性电容C8，极性电容C7，极性电容C6，极性电容C5，电阻R12；极性电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q2的集电极相连接，极性电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，极性电容C6的正极与三极管Q3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，极性电容C5的正极与三极管Q1的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与极性电容C6的负极相连接，所述变压器T2副边同名端接地。
如上所述，便可很好的实施本发明。
Claims (8)
1.一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，采样电路，与采样电路相连接的线性驱动电路，与线性驱动电路相连接的电压比较电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器T1的原边与电压比较电路相连接；所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q6，三极管Q7，正极与采样电路相连接、负极经电阻R14后与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C9，一端与三极管Q4的集电极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q6的基极相连接的电阻R15，正极与三极管Q4的基极相连接、负极与驱动芯片U的IN1管脚相连接的极性电容C11，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C10，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与三极管Q5的基极相连接的电阻R18，一端与三极管Q5的基极相连接、另一端与三极管Q6的基极相连接的电阻R17，N极与三极管Q4的集电极相连接、P极与三极管Q5的集电极相连接的二极管D1，正相端与三极管Q4的集电极相连接、反相端与三极管Q7的集电极相连接的非门Y，一端与三极管Q7发射极相连接、另一端经电阻R19后与三极管Q6的发射极相连接的电阻R20，P极与非门Y的反相端相连接、N极与电阻R19和电阻R20的连接点相连接的二极管D2组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管Q4的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管Q5的集电极相连接，三极管Q5的集电极还与三极管Q7的基极相连接、其发射极与三极管Q6的基极相连接，三极管Q6的集电极接地，二极管D2的N极与电压比较电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述的采样电路由放大器P，一端与放大器P的正相输入端相连接、另一端作为信号输入端的电阻R1，正极与放大器P的正相输入端相连、负极接地的极性电容C1，与极性电容C1相并联的电阻R2，串接在放大器P的反相输入端和输出极之间的电阻R4，以及一端与放大器P的反相输入端相连、另一端接地的电阻R3组成；所述放大器P的输出极还与电容C9的正极相连接。
3.根据权利要求2所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述的电压比较电路由比较芯片U1，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端与比较芯片U1的V+管脚相连接的电阻R6，一端与比较芯片U1的IN2管脚相连接、另一端则与混频电路相连的电阻R7，一端与二极管D2的N极相连、另一端则与比较芯片U1的IN1管脚相连的电阻R5，以及正极与比较芯片U1的V-管脚相连、负极与比较芯片U1的GND管脚相连的极性电容C2组成；所述比较芯片U1的V+管脚与外部电压相连，其OUT管脚同时与变压器T1原边的同名端和非同名端相连接，GND管脚接地。
4.根据权利要求3所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R8，电阻R13，以及电感L1组成；电阻R8的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端与电阻R7相连接，电感L1的一端与场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R13后回到场效应管K的漏极；电阻R13和电感L1的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管K的b栅极与变压器T1副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述的第一转换电路由三极管Q1，一端与三极管Q1的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R9，与电阻R9相并联的极性电容C3，负极与电阻R13和电感L1的连接点相连接、正极与三极管Q1的集电极相连接的极性电容C4组成；所述三极管Q1的基极与变压器T1原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
6.根据权利要求5所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述处理电路由三极管Q2，三极管Q3，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端与三极管Q1的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端同时与三极管Q1的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R11组成；所述三极管Q3的基极与三极管Q2的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q2的基极与电阻R13和电感L1的连接点相连接、其集电极同时与场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
7.根据权利要求6所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述的第二转换电路包括极性电容C8，极性电容C7，极性电容C6，极性电容C5，电阻R12；极性电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q2的集电极相连接，极性电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，极性电容C6的正极与三极管Q3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，极性电容C5的正极与三极管Q1的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与极性电容C6的负极相连接，所述变压器T2副边同名端接地。
8.根据权利要求1～7任一项所述的一种低发热量的高频变换检波系统，其特征在于：所述的驱动芯片U为LM387集成芯片。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C05 | Deemed withdrawal (patent law before 1993) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150325 |