CN204886872U - 一种晶体振荡器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种晶体振荡器，包括N沟道场效应管T1和晶体振子X1，其中：N沟道场效应管T1的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管T1的栅极经电阻R1接至地，N沟道场效应管T1的源极经电阻R2接地；晶体振子X1接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2串联后接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2的连接点与N沟道场效应管T1的源极之间短接，并引出输出端子OUT。本实用新型晶体振荡器不会出现晶体过激励的问题，其相位噪声较低。
Description
技术领域
本实用新型涉及正弦信号产生电路，特别涉及一种晶体振荡器。
背景技术
正弦信号是电子电路中应用最为广泛的信号，目前常用利用晶体振子来构成晶体振荡器。一般的晶体振荡器使用逻辑们和一个晶振组成，其具有很大的噪声，并对晶体有过激励的趋势，这将影响电路长期工作的稳定性。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的在于一种晶体振荡器，以便降低噪声。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶体振荡器，包括N沟道场效应管T1和晶体振子X1，其中：N沟道场效应管T1的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管T1的栅极经电阻R1接至地，N沟道场效应管T1的源极经电阻R2接地；晶体振子X1接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2串联后接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2的连接点与N沟道场效应管T1的源极之间短接，并引出输出端子OUT。
较优地，电容C3和电容C4并联后接入电源正端V+与地之间。
与现有技术相比，本实用新型晶体振荡器器中，谐振电流通过电容C1、C2作电容性反馈，就不会出现晶体过激励的问题。由于本晶体振荡器为输出正弦波，因此相位噪声较低。
附图说明
图1为本实用新型晶体振荡器的电路图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
参见图1，为本实用新型晶体振荡器的电路图。该晶体振荡器包括N沟道场效应管T1和晶体振子X1：电容C3和电容C4并联后接入电源正端V+与地之间；N沟道场效应管T1的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管T1的栅极经电阻R1接至地，N沟道场效应管T1的源极经电阻R2接地；晶体振子X1接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2串联后接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2的连接点与N沟道场效应管T1的源极之间短接，并引出输出端子OUT。
本实施例的晶体振荡器电路适可适用于16M晶振，其驱动电流2mA，其中的谐振电流通过电容C1、C2作电容性反馈，就不会出现晶体过激励的问题；此外，由于晶体振荡器为输出正弦波，因此相位噪声较低。
本实用新型虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本实用新型，任何本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。
Claims (2)
1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括N沟道场效应管T1和晶体振子X1，其中：N沟道场效应管T1的漏极接电源正端V+，N沟道场效应管T1的栅极经电阻R1接至地，N沟道场效应管T1的源极经电阻R2接地；晶体振子X1接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2串联后接于N沟道场效应管T1的栅极与地之间；电容C1与电容C2的连接点与N沟道场效应管T1的源极之间短接，并引出输出端子OUT。
2.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，电容C3和电容C4并联后接入电源正端V+与地之间。
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| CN201520680327.8U CN204886872U (zh) | 2015-09-06 | 2015-09-06 | 一种晶体振荡器 |
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2015
- 2015-09-06 CN CN201520680327.8U patent/CN204886872U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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