CN204315533U - 等离子清洗机台装置 - Google Patents

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CN204315533U CN201420801193.6U CN201420801193U CN204315533U CN 204315533 U CN204315533 U CN 204315533U CN 201420801193 U CN201420801193 U CN 201420801193U CN 204315533 U CN204315533 U CN 204315533U
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Inventor
陈国华
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Tongfu Microelectronics Co Ltd
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Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种等离子清洗机台装置,包括腔体,设置在所述腔体顶部、用于输入气体的气管接头,围绕在所述腔体中部外表面、用于激发所述气体获得等离子体的电感耦合等离子体线圈,固定在所述腔体内壁、设置在所述气管接头和电感耦合等离子体线圈之间、用于均匀分布所述气体的挡板。所述挡板上设置有均匀分布的通孔。本实用新型通过在气管接头和电感耦合等离子体线圈之间设置一个均匀分布有通孔的挡板,使气体均匀地通过挡板,从而在电感耦合等离子体线圈的作用下均匀地产生等离子体,与晶圆表面光刻胶均匀地发生反应。本实用新型结构简单,操作简便,有效地提高了等离子清洗的均匀度。

Description

等离子清洗机台装置
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种等离子清洗机台装置。
背景技术
在半导体WLP封装技术中需要使用等离子清洗机台对晶圆表面的光阻开口进行等离子清洗以便去除残胶,并增加亲水性。随着对产品的品质要求的提高,对于晶圆表面刻蚀的均匀性的要求也在逐步提高。现有设备对晶圆表面进行等离子清洗往往会产生表面刻蚀不够均匀的情况,因此需要设计一种提高等离子清洗均匀性的装置。
实用新型内容
在下文中给出关于本实用新型的简要概述,以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分,也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本实用新型提供一种等离子清洗机台装置。
本实用新型提供一种等离子清洗机台装置,包括腔体,设置在所述腔体顶部、用于输入气体的气管接头,围绕在所述腔体中部外表面、用于激发所述气体获得等离子体的电感耦合等离子体线圈,固定在所述腔体内壁、设置在所述气管接头和电感耦合等离子体线圈之间、用于均匀分布所述气体的挡板。所述挡板上设置有均匀分布的通孔。
本实用新型提供的等离子清洗机台装置通过在气管接头和电感耦合等离子体线圈之间设置一个均匀分布有通孔的挡板,使气体均匀地通过挡板,从而在电感耦合等离子体线圈的作用下均匀地产生等离子体,氧自由基自由落体与晶圆表面光刻胶均匀地发生反应,实现均匀的等离子清洗。本实用新型结构简单,操作简便,有效地提高了等离子清洗的均匀度。
附图说明
参照下面结合附图对本实用新型实施例的说明,会更加容易地理解本实用新型的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本实用新型的原理。在附图中,相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。
图1为本实用新型等离子清洗机台装置一种实施方式的结构示意图。
图2为本实用新型等离子清洗机台装置一种实施方式的挡板的结构示意图。
附图标记说明:
10              腔体
20              挡板
30              气管接头
40              电感耦合等离子体线圈
50              接地线圈
60              载片台
70              吸盘
80              晶圆
201             通孔
具体实施方式
下面参照附图来说明本实用新型的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意,为了清楚的目的,附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
图1为本实用新型等离子清洗机台装置一种实施方式的结构示意图。
如图1所示,在本实施方式中,本实用新型等离子清洗机台装置包括腔体10,设置在腔体10顶部、用于输入气体的气管接头30,围绕在腔体10中部外表面、用于激发所述气体获得等离子体的电感耦合等离子体线圈40,固定在腔体10内壁、设置在气管接头30和电感耦合等离子体线圈40之间、用于均匀分布所述气体的挡板20。
图2为本实用新型等离子清洗机台装置一种实施方式的挡板的结构示意图。
如图2所示,挡板20上设置有均匀分布的通孔201。
在一种优选的实施方式中,所述等离子清洗机台装置还包括设置在腔体10下方的载片台60。
在一种优选的实施方式中,所述等离子清洗机台装置还包括设置在载片台60内中心位置,以垂直移动方式伸入腔体10底部,用于控制待清洗物晶圆80的吸盘70。吸盘70的移动范围在载片台60和电感耦合等离子体线圈40之间。
在一种优选的实施方式中,所述等离子清洗机台装置还包括与电感耦合等离子体线圈40相邻地设置在腔体10中部外表面的接地线圈50。
在一种优选的实施方式中,所述等离子清洗机台装置还包括与电感耦合等离子体线圈40连接的变压箱(未在图中示出)。
在一种优选的实施方式中,腔体10顶部为半球形,中部为圆柱形,气管接头30设置在腔体10顶部球面上。
在一种优选的实施方式中,挡板20设置在腔体10半球形顶部的底面、圆柱形中部的顶面处。
在一种优选的实施方式中,所述通孔的直径为6mm。
本实用新型提供的等离子清洗机台装置通过在气管接头30和电感耦合等离子体线圈40之间设置一个均匀分布有通孔201的挡板20,使气体均匀地通过挡板20,从而在电感耦合等离子体线圈40的作用下均匀地产生等离子体,氧自由基自由落体与晶圆80表面光刻胶均匀地发生反应,实现均匀的等离子清洗。
综上所述,本实用新型结构简单,操作简便,有效地提高了等离子清洗的均匀度。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种等离子清洗机台装置,其特征在于,包括腔体,设置在所述腔体顶部、用于输入气体的气管接头,围绕在所述腔体中部外表面、用于激发所述气体获得等离子体的电感耦合等离子体线圈,固定在所述腔体内壁、设置在所述气管接头和电感耦合等离子体线圈之间、用于均匀分布所述气体的挡板;所述挡板上设置有均匀分布的通孔。
2.根据权利要求1所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,还包括设置在所述腔体下方的载片台。
3.根据权利要求2所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,还包括设置在所述载片台内中心位置,以垂直移动方式伸入所述腔体底部,用于控制待清洗物的吸盘;所述吸盘的移动范围在所述载片台和所述电感耦合等离子体线圈之间。
4.根据权利要求3所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,所述待清洗物为晶圆。
5.根据权利要求1所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,还包括与所述电感耦合等离子体线圈相邻地设置在所述腔体中部外表面的接地线圈。
6.根据权利要求1所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,还包括与所述电感耦合等离子体线圈连接的变压箱。
7.根据权利要求1所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,所述腔体顶部为半球形,中部为圆柱形,所述气管接头设置在顶部球面上。
8.根据权利要求7所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,所述挡板设置在所述腔体半球形顶部的底面、圆柱形中部的顶面处。
9.根据权利要求1所述的等离子清洗机台装置,其特征在于,所述通孔的直径为6mm。
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C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 226006 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District Chongchuan Road No. 288

Patentee after: Tongfu Microelectronics Co., Ltd.

Address before: 226006 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District Chongchuan Road No. 288

Patentee before: Fujitsu Microelectronics Co., Ltd., Nantong