CN204291370U - 微型扬声器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种微型扬声器，包括振动系统、磁路系统和支撑系统，振动系统包括振膜音圈，振膜包括球顶部和折环部；所述磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，上壳对应于振膜球顶部的位置设有下凹的凹槽结构，其中：球顶部正对上壳凹槽结构的位置设有避让凹槽，避让凹槽的纵向深度不小于上壳凹槽结构的深度，并且避让凹槽的正投影区域覆盖上壳凹槽结构的正投影区域；正对振膜的避让凹槽的华司上设有避让结构，避让结构的纵向深度不小于避让凹槽的深度，避让结构的正投影区域能够覆盖振膜避让凹槽的正投影区域。这种结构在配合上壳防止部件碰撞的同时，保证了产品的正常工作，保证了微型扬声器的声学性能。

Description

微型扬声器

技术领域

本实用新型涉及电声产品技术领域，特别涉及一种微型扬声器。

背景技术

现有技术中微型扬声器通常包括振动系统、磁路系统和收容固定振动系统和磁路系统的支撑系统，振动系统通常包括振膜和音圈，磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，磁路系统形成收容音圈的磁间隙。支撑系统中的上壳通常为平板状结构，在该上壳上设有供声音穿过的声孔。传统结构上壳多为平板状的结构，相应的上壳对应振膜的位置为平板状或中空的结构。

通常微型扬声器是需要与终端电子装置配合使用的，相应的微型扬声器支撑系统的结构需要与终端进行配合，对于支撑系统中的上壳设有凹槽的结构，振动系统和磁路系统无法按照传统结构进行装配。传统振膜基本为一平面状的结构，若上壳设有向振膜方向凹陷的凹槽结构，振膜需要与上壳间隔一定距离，以防止振膜振动过程中与上壳碰撞，但是这种结构会减小振动系统和磁路系统的尺寸，影响产品声学性能。因此，本专利提供一种改进方案，使振动系统和磁路系统能够更好的与上述上壳结构相适配。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种微型扬声器，在上壳凹陷的情况下，微型扬声器的振动系统和磁路系统能够很好的与其适配，保证产品的声学性能。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种微型扬声器，包括振动系统、磁路系统和支撑系统，所述支撑系统收容固定所述振动系统和磁路系统；所述振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈，所述振膜包括位于中心位置的刚性的球顶部和位于边缘位置的折环部；所述磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，所述磁路系统形成收容所述音圈的磁间隙；所述支撑系统包括上壳；所述上壳对应于所述振膜中心球顶部的位置设有下凹的凹槽结构，其中：所述球顶部正对上壳所述凹槽结构的位置设有避让凹槽，所述避让凹槽的纵向深度不小于所述上壳凹槽结构的深度，并且所述避让凹槽的正投影区域覆盖所述上壳凹槽结构的正投影区域；正对所述振膜的避让凹槽的华司上设有避让结构，所述避让结构的纵向深度不小于所述避让凹槽的深度，所述避让结构的正投影区域能够覆盖所述振膜避让凹槽的正投影区域。

此外，优选的方案是，所述华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；正对所述振膜的所述华司为中空的环形结构，所述华司的避让结构为所述华司的中空部分，所述华司中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。

此外，优选的方案是，所述磁路系统为双磁路结构，包括分别结合于所述磁轭中心位置的中心华司、中心磁铁和结合于所述磁轭边缘位置的边华司和边磁铁；其中所述中心华司正对所述振膜中心的球顶部设置。

此外，优选的方案是，所述中心华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；所述中心华司为中空的环形结构，所述中心华司的中空部分正对所述振膜的避让凹槽设置，并且所述华司的中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。

此外，优选的方案是，所述中心华司为中空的环形结构，所述中心磁铁也为中空的环形结构，所述中心磁铁中空部分的正投影区域与所述中心华司中空部分的正投影区域重叠。

此外，优选的方案是，所述振膜的避让凹槽的纵向深度等于所述上壳凹槽结构的纵向深度。

此外，优选的方案是，所述上壳的凹槽结构与所述振膜的避让凹槽均设有过渡斜面，所述凹槽结构的过渡斜面与所述避让凹槽的过渡斜面平行。

此外，优选的方案是，所述振膜的避让凹槽和所述中心华司的内侧边缘均设有过渡斜面，所述避让凹槽的过渡斜面与所述中心华司的内侧边缘的过渡斜面平行。

此外，优选的方案是，所述支撑系统还包括中壳和下壳，所述中壳和下壳支撑固定所述磁路系统。

此外，优选的方案是，所述上壳包括塑料支架和与所述塑料支架注塑结合的钢片。

采用上述技术方案后，与传统结构相比，本实用新型的振膜和磁路系统配合前盖设置避让结构，在配合上壳结构防止部件碰撞的同时，保证了产品的正常工作，保证了微型扬声器的声学性能。

附图说明

通过下面结合附图对本实用新型进行描述，本实用新型的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。

图1是本实用新型实施例一微型扬声器的爆炸图；

图2是本实用新型实施例一微型扬声器的剖视图；

图3是本实用新型实施例二磁路系统的剖视图；

图4是本实用新型实施例二磁路系统的爆炸图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。

实施例一：

如图1和图2所示，微型扬声器包括振动系统、磁路系统和支撑系统，其中，支撑系统收容固定振动系统和磁路系统。振动系统包括振膜21和结合于振膜21一侧的音圈22，振膜21包括位于中心位置的球顶部210和位于边缘位置的折环部211；本实施例球顶部210为刚性的复合层，质地较硬而且轻，可防止高频段出现分割振动；振膜21的折环部211为柔性材料可跟随振膜21上下振动，通常为多层树脂材料与胶层的复合；刚性的球顶部210与柔性的折环部211通过胶层粘结固定。磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，磁铁为永磁铁，华司和磁轭用于修正磁铁产生的磁力线，音圈22置于磁路系统形成的磁场中。本实施例磁路系统为双磁路结构，包括依次结合于磁轭33中心位置的中心华司312和中心磁铁322，以及依次结合于磁轭33边缘位置的边华司311和边磁铁321，其中，中心磁铁322、中心华司312和边华司311、边磁铁321之间形成收容音圈22的磁间隙，磁路系统在磁间隙内形成稳定的磁场。音圈22接通电信号后在磁场中受安培力作用上下振动，进一步带动振膜21振动产生声音。

支撑系统包括依次结合的上壳11、中壳12和下壳13，支撑系统收容固定振动系统和磁路系统，对微型扬声器起到保护的作用。传统微型扬声器的上壳11为平板状结构，但是为了配合与特定终端电子装置的装配，本实用新型上壳11的中心位置设有凹槽结构，这种改变可以使微型扬声器与特定结构的终端电子装置适配。本申请上壳11的凹槽结构向靠近振膜21的一侧凹陷，传统振膜中心位置的球顶部通常为平板状结构，但是本申请若振膜球顶部为平板状结构，则容易碰触到上壳11的凹槽结构底面，产生杂音；若增大平板状振膜离上壳11的距离，可减小碰撞的可能，增大距离会减小磁路系统和振动系统的尺寸，影响产品的声学性能。

因此，本申请为了配合上壳11具有凹槽结构1101的设计，将正对上壳11凹槽结构1101的球顶部210上设置避让凹槽2101，避让凹槽2101的纵向深度不小于凹槽结构1101的纵向深度，并且避让结构2101的正投影区域能够完全覆盖凹槽结构1101的正投影区域，以避免振膜21振动时，上壳11和振膜21发生碰撞。优选的，上壳11的凹槽结构1101与球顶部210上的避让凹槽2101的形状完全相同，如图2所示，凹槽结构1101和避让凹槽2101的剖面形状、大小和尺寸完全相同，并且两者在竖直方向上的投影完全重叠。上壳11的凹槽结构1101与振膜21的避让凹槽2101均设有过渡斜面，如图2所示，凹槽结构1101的过渡斜面与避让凹槽2101的过渡斜面平行。此外，球顶部210避让凹槽2101的正投影区域可以大于上壳11凹槽结构1101的正投影区域，这种结构也在本实用新型的保护范围内。

上壳11的凹槽结构1101的深度和振膜21的避让凹槽2101的深度相同。预设上壳11平板部分与球顶部210平板部分的距离为d，优选的，上壳11的凹槽结构1101的底部与球顶部210的避让凹槽2101的底部之间的距离也为d，即两者的距离相同，这种设计方式可以避免上壳11的凹槽结构1101底部与振膜21发生碰撞，保证振膜21的发声效果。

上述球顶部210设置避让凹槽2101的结构，由于球顶部210的正投影面积不变，使振膜21的有效振动面积不变，因而设置避让凹槽2101并未影响振膜21的声学性能，因此，本实用新型这种振膜21配合上壳11的改进结构即不会减小振动系统和磁路系统的尺寸，也不会影响产品声学性能，在与终端电子装置适配的情况下，也保证了产品的声学性能。

结合图1和图2，由于振膜21的球顶部210具有避让凹槽2101，若振膜振膜21的华司为平板状，振膜21向下振动时会与华司发生碰撞；作为一种改进，华司上正对球顶部210避让凹槽2101的位置设置避让结构。本实施例，正对球顶部210的避让凹槽2101的结构的是中心华司312，优选的，中心华司312的避让结构为凹槽状，中心华司312的避让结构的纵向深度不小于球顶部210的避让凹槽2101的纵向深度，并且中心华司312的避让结构的正投影区域能够完全覆盖球顶部210的避让凹槽2101的正投影区域，以避免振膜21与中心华司312发生碰撞。

本实施例中心华司312的厚度不小于避让凹槽2101的纵向深度，为了配合上壳11的凹槽结构1101和球顶部210的避让凹槽2101，作为一种改进，本实用新型中心华司312的避让结构为将整个中心华司312的中心部分挖空去料后的结构，使中心华司312为中空的环形结构，以满足本实用新型中心华司312避让结构的需求。中心华司312为导磁的结构，可用于修正中心磁铁322的磁力线，中心华司312的主要工作区域在边缘位置，本专利的这种中空环形的中心华司312的结构并不会对磁路系统产生不良的影响。优选的中心华司312中空部分的正投影区域与球顶部210避让凹槽2101的正投影区域重叠，以保证中心华司312的体积，在保证振膜21与中心华司312不发生碰撞的情况下，最大限度的保证中心华司312修正中心磁铁322的磁力线的工作需求。

振膜21的避让凹槽2101和中心华司312的内侧边缘均设有过渡斜面，避让凹槽2101的过渡斜面与中心华司312的内侧边缘的过渡斜面平行。设置过渡斜面有利于气流的流通。

综上所述，本专利的这种振膜21和中心华司312上正对上壳11的凹槽结构1101的位置设置相应的避让结构的设计，在配合上壳11的设计的同时，保证了产品的正常工作，保证了微型扬声器的声学性能。

本实用新型上壳11包括塑料支架111和注塑在塑料支架111中的钢片110，由于金属具有更大的强度，在厚度较薄的情况下即可满足所需强度，如传统塑料外壳需要0.5mm才能达到所需强度，而采用金属钢片结构0.2mm即可达到所需强度，在微型扬声器的外形尺寸一定的情况下，可增大微型扬声器的内部空间，增大振动系统和磁路系统的尺寸，从而可以提高产品的声学性能。

此外，本发明还包括中壳12和下壳13，装配过程中，先将整个磁路系统与中壳12装配结合为一体，然后将中壳12与磁路系统的结合体组装入下壳13，这种装配方式有利于磁路系统与下壳13的准确定位，确保了装配的准确性。

优选的，本发明将出声孔A设置于微型扬声器的侧面，如图1所示，具体的设置在上壳11的侧壁上，在上壳11上去料形成贯穿上壳11的内侧壁与外侧壁的开口，使振膜21前侧的声音通过该出声孔A辐射到外界。优选的，上壳11上去料形成的出声孔A为非闭合的开口，与中壳12配合后形成振膜21的声波辐射通道，这种结构设计是与上壳11侧壁较短的结构配合的，以保证出声孔A的有效面积。

实施例二：

结合图3和图4，本实施例磁路系统同样为双磁路结构，包括位于磁轭33中心位置的中心磁铁322’和中心华司312，以及位于磁轭33边缘位置的边磁铁321和边华司311，中心磁铁322’、中心华司312和边磁铁321和边华司311之间形成收容音圈的磁间隙。本实施例与上述实施例的主要区别在于，中心磁铁322’也为中空的环形结构，且中心华司312中空区域的面积与中心磁铁322’中空区域的面积相同，且两者组装后的正投影面积重叠。本实施例这种结构也是配合上壳具有凹槽结构的微型扬声器的应用，在上壳和振膜的凹槽结构较深时,中心磁铁322’也设置避让结构，避让结构可以为中间挖空的结构。

这种结构，中心华司312和中心磁铁322’正对上壳凹槽结构的位置设置相应的避让结构的设计，在配合上壳的设计的同时，保证了产品的正常工作，保证了微型扬声器的声学性能。

此外，本实用新型微型扬声器不限于上述双磁路结构，也可以为单磁路结构，即仅包括中心华司、中心磁铁和磁轭的结构，中心华司对应于上壳凹槽结构的位置为中空环形结构，用于避让上壳和振膜的凹槽结构。或者，单磁路结构的微型扬声器的中心华司、中心磁铁均为中空环形结构，用于避让上壳和振膜的凹槽结构。

在本实用新型的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进和变形，而这些改进和变形，都落在本实用新型的保护范围内，本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本实用新型的目的，本实用新型的保护范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种微型扬声器，包括振动系统、磁路系统和支撑系统，所述支撑系统收容固定所述振动系统和磁路系统；所述振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈，所述振膜包括位于中心位置的刚性的球顶部和位于边缘位置的折环部；所述磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭，所述磁路系统形成收容所述音圈的磁间隙；所述支撑系统包括上壳；所述上壳对应于所述振膜中心球顶部的位置设有下凹的凹槽结构，其特征在于：

所述球顶部正对上壳所述凹槽结构的位置设有避让凹槽，所述避让凹槽的纵向深度不小于所述上壳凹槽结构的深度，并且所述避让凹槽的正投影区域覆盖所述上壳凹槽结构的正投影区域；

正对所述振膜的避让凹槽的华司上设有避让结构，所述避让结构的纵向深度不小于所述避让凹槽的深度，所述避让结构的正投影区域能够覆盖所述振膜避让凹槽的正投影区域。

2.根据权利要求1所述的微型扬声器，其特征在于，所述华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；

正对所述振膜的所述华司为中空的环形结构，所述华司的避让结构为所述华司的中空部分，所述华司中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。

3.根据权利要求1所述的微型扬声器，其特征在于，所述磁路系统为双磁路结构，包括分别结合于所述磁轭中心位置的中心华司、中心磁铁和结合于所述磁轭边缘位置的边华司和边磁铁；其中所述中心华司正对所述振膜中心的球顶部设置。

4.根据权利要求3所述的微型扬声器，其特征在于，所述中心华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度；

所述中心华司为中空的环形结构，所述中心华司的中空部分正对所述振膜的避让凹槽设置，并且所述华司的中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。

5.根据权利要求3所述的微型扬声器，其特征在于，所述中心华司为中空的环形结构，所述中心磁铁也为中空的环形结构，所述中心磁铁中空部分的正投影区域与所述中心华司中空部分的正投影区域重叠。

6.根据权利要求1所述的微型扬声器，其特征在于，所述振膜的避让凹槽的纵向深度等于所述上壳凹槽结构的纵向深度。

7.根据权利要求1或6所述的微型扬声器，其特征在于，所述上壳的凹槽结构与所述振膜的避让凹槽均设有过渡斜面，所述凹槽结构的过渡斜面与所述避让凹槽的过渡斜面平行。

8.根据权利要求3或5任一权利要求所述的微型扬声器，其特征在于，所述振膜的避让凹槽和所述中心华司的内侧边缘均设有过渡斜面，所述避让凹槽的过渡斜面与所述中心华司的内侧边缘的过渡斜面平行。

9.根据权利要求1至6任一权利要求所述的微型扬声器，其特征在于，所述支撑系统还包括中壳和下壳，所述中壳和下壳支撑固定所述磁路系统。

10.根据权利要求1至6任一权利要求所述的微型扬声器，其特征在于，所述上壳包括塑料支架和与所述塑料支架注塑结合的钢片；

微型扬声器的出声孔位于侧面，设置于所述上壳的侧壁上。