CN204277741U - 化学机械抛光装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种化学机械抛光装置，包括压板和抛光层，所述压板具有承压面和接触面；所述抛光层具有抛光面，以及与所述压板接触面相粘结的非抛光面；所述抛光层包括从所述抛光层的抛光面延伸至所述压板承压面的中心通孔，与所述中心通孔同心并且通过十字通道连通的环形凹槽，从所述环形凹槽向所述抛光面边缘延伸的辐射凹槽；其中，在所述压板上具有与所述中心通孔连通的研磨浆料进口。本实用新型所述的化学机械抛光装置，可以用于光学玻璃或树脂镜片，半导体硅或二氧化硅基片，以及其它电子器件所采用的介质材料基片或金属基片的抛光处理，而且有利于减少抛光表面的划痕数量，且有利于抛光基片的转移。

Description

化学机械抛光装置

技术领域

本实用新型涉及化学机械抛光的技术领域，更具体地说，本实用新型涉及一种化学机械抛光装置。

背景技术

化学机械平坦化（CMP）是光学、半导体以及其它电子器件制造工艺中的常用技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的玻璃基片、硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。在常规的CMP工艺中，待抛光的压板被固定在载体组件上，并使衬底与CMP工艺中的抛光层接触并提供受控的压力，同时使抛光浆料在抛光层表面流动。在设计抛光层时，需要考虑的主要因素有抛光浆料在抛光层上的分布，新鲜抛光浆料进入抛光轨迹的流动，抛光浆料从抛光轨迹的流动，以及流过抛光区域基本未被利用的抛光浆料的量等等。为了减少基本未被利用的抛光浆料的量以及提高抛光效率和质量，在现有技术中，需要在抛光层表面设计各种图案，然而本领域的技术人员都知道抛光速率、抛光浆料消耗以及抛光效果等很难兼得，现有技术中也公开了多种改进结构以期降低抛光浆料消耗并使得抛光浆料在抛光层上的保持时间最长的结构和图案，然而需要在保证抛光速率、质量的基础上，进一步降低抛光层上抛光浆料的未利用量，减少抛光浆料的浪费。

实用新型内容

为了解决现有技术中的上述技术问题，本实用新型的目的在于提供一种化学机械抛光装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种化学机械抛光装置，包括压板和抛光层，所述压板具有承压面和接触面；其特征在于：所述抛光层具有在抛光浆料存在的条件下对基片表面进行抛光的抛光面，以及与所述压板接触面相粘结的非抛光面；所述抛光层包括从所述抛光层的抛光面延伸至所述压板承压面的中心通孔，与所述中心通孔同心并且通过十字通道连通的环形凹槽，从所述环形凹槽向所述抛光面边缘延伸的辐射凹槽；其中，在所述压板上具有与所述中心通孔连通的研磨浆料进口。

其中，所述环形凹槽的深度大于所述辐射凹槽的深度。

其中，所述环形凹槽与所述辐射凹槽的横截面为U形、V形、长方形或半圆形。

其中，所述环形凹槽与所述辐射凹槽的宽度为0.2~1.2 mm。

其中，所述压板和所述抛光层为圆盘状。

其中，所述抛光层的直径为50~800 mm，并且所述抛光层的厚度为1.5~5.0 mm。

其中，所述压板的直径大于或等于所述抛光层的直径。

与现有技术相比，本实用新型所述的化学机械抛光装置具有以下有益效果：

本实用新型所述的化学机械抛光装置，可以通过中心通孔给所述抛光装置的抛光面补充抛光浆料，并且通过环形凹槽和辐射凹槽的设置不仅提高了抛光浆料的有效使用率，而且有利于减少抛光基片（玻璃、硅晶圆以及金属基片等）中心区域以及周边区域抛光量的偏差，不仅保证了适当的抛光速率，而且有利于减少抛光表面的划痕数量；另外，由于外界的空气也可以从所述中心通孔进入到抛光基片与抛光层的界面中，从而有利于抛光基片的转移。

附图说明

图1为实施例1所述化学机械抛光装置横截面的结构示意图；

图2为实施例1所述化学机械抛光装置的抛光面的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合具体实施例对本实用新型所述的化学机械抛光装置做进一步的阐述，以帮助本领域的技术人员对本实用新型的实用新型构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。

实施例1

如图1~2所示，本实施例所述的化学机械抛光装置，其包括压板10和抛光层20，根据需要，所述抛光层的直径为50~800 mm，并且所述抛光层的厚度为1.5~5.0 mm；通常的，所述压板和所述抛光层为圆盘状；而且所述压板的直径大于或等于所述抛光层的直径；作为所述抛光层的材料，可以使用现有技术中已知的软质材料，例如常用的氨基树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯树脂、异氰酸酯树脂、聚砜树脂、ABS树脂、聚碳酸树脂或聚酰亚胺树脂。所述压板10具有承压面11和接触面12；所述抛光层20具有在抛光浆料存在的条件下对基片表面进行抛光的抛光面21，与所述压板接触面相粘结的非抛光面22，以及限定所述抛光面和所述非抛光面的侧表面；所述抛光层20包括从所述抛光层的抛光面21延伸至所述压板承压面11的中心通孔23，与所述中心通孔23同心并且通过十字通道24连通的环形凹槽25，从所述环形凹槽25向所述抛光面边缘延伸的辐射凹槽26；而且在所述压板上具有与所述中心通孔连通的研磨浆料进口27。所述环形凹槽的深度大于所述曲线形凹槽27的深度，所述环形凹槽与所述辐射凹槽的横截面为U形、V形、长方形或半圆形，所述环形凹槽与所述辐射凹槽的宽度为0.2~1.2 mm。本实施例所述的化学机械抛光装置，可以用于光学玻璃或树脂镜片，半导体硅或二氧化硅基片，以及其它电子器件所采用的介质材料基片或金属基片的抛光处理，而且所述装置通过中心通孔给所述抛光装置的抛光面补充抛光浆料，通过环形凹槽和曲线形凹槽的设置不仅提高了抛光浆料的有效使用率，而且有利于减少抛光基片中心区域以及周边区域抛光量的偏差，不仅保证了适当的抛光速率，而且有利于减少抛光表面的划痕数量；另外，由于外界的空气也可以从所述中心通孔进入到抛光基片与抛光层的界面中，从而有利于抛光基片的转移。

对于本领域的普通技术人员而言，具体实施例只是对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种化学机械抛光装置，包括压板和抛光层，所述压板具有承压面和接触面；其特征在于：所述抛光层具有在抛光浆料存在的条件下对基片表面进行抛光的抛光面，以及与所述压板接触面相粘结的非抛光面；所述抛光层包括从所述抛光层的抛光面延伸至所述压板承压面的中心通孔，与所述中心通孔同心并且通过十字通道连通的环形凹槽，从所述环形凹槽向所述抛光面边缘延伸的辐射凹槽；其中，在所述压板上具有与所述中心通孔连通的研磨浆料进口。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于：所述环形凹槽的深度大于所述辐射凹槽的深度。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于：所述环形凹槽与所述辐射凹槽的横截面为U形、V形、长方形或半圆形。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于：所述环形凹槽与所述辐射凹槽的宽度为0.2~1.2 mm。

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于：所述压板和所述抛光层为圆盘状。

6.根据权利要求5所述的化学机械抛光装置，其特征在于：所述抛光层的直径为50~800 mm，并且所述抛光层的厚度为1.5~5.0 mm。

7.根据权利要求6所述的化学机械抛光装置，其特征在于：所述压板的直径大于或等于所述抛光层的直径。