CN204216051U - 晶硅太阳电池的正电极结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶硅太阳电池的正电极结构，它包括：多根细栅线金属电极，呈并列平行状；四根主栅线金属电极，所述的主栅线金属电极与多根细栅线金属电极相垂直，每根主栅线金属电极呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极的断开部分位于相邻的细栅线金属电极之间的空白区域。本实用新型能够更好地收集电流，降低串阻，提升电池效率。

Description

晶硅太阳电池的正电极结构

技术领域

本实用新型涉及一种晶硅太阳电池的正电极结构，属于太阳电池制备技术领域。

背景技术

目前，现有的晶硅太阳电池正电极中，一般采用2～3根主栅，主栅间距较大，中间电阻损耗较高。同时主栅单耗占了整个正电极银浆用量的～30％，对电池成本影响较大。随着丝网印刷技术的发展，细栅宽度越来越窄，导致在丝网印刷副栅的过程中容易造成细栅断开比例增加，影响电流的收集，增加了串阻。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种晶硅太阳电池的正电极结构，它能够更好地收集电流，降低串阻，提升电池效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种晶硅太阳电池的正电极结构，它包括：

多根细栅线金属电极，呈并列平行状；

四根主栅线金属电极，所述的主栅线金属电极与多根细栅线金属电极相垂直，每根主栅线金属电极呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极的断开部分位于相邻的细栅线金属电极之间的空白区域。

本实用新型进一步所要解决的技术问题是：防止由于断栅造成的电性能不良的现象，提高成品良率，在相邻的主栅线金属电极之间的区域上设置有至少一根副栅线金属电极，并且该副栅线金属电极与主栅线金属电极相平行。

进一步，在相邻的主栅线金属电极之间的区域上设置有一根副栅线金属电极。

进一步，副栅线金属电极的宽度为10μm～150μm。

进一步，副栅线金属电极的宽度与所述的细栅线金属电极的宽度相同。

进一步，主栅线金属子电极为完全填充结构或镂空结构。

进一步，相邻的主栅线金属电极之间的距离为38.5mm～39.5mm。

进一步，主栅线金属电极的宽度为0.2mm～12mm。

进一步，主栅线金属电极的宽度为1mm。

进一步，每根主栅线金属电极呈四段状从而被等间距分割为四个主栅线金属子电极。

采用了上述技术方案后，主栅线金属电极增加至4根，能有效降低串阻，提高填充因子，提升电池效率，同时主栅线金属电极间空白区域能降低银浆用量；另外，主栅线金属电极间的副栅线金属电极，最大限度地收集了少数载流子，有效地改善了由于断栅造成的电性能不良，提高成品良率。

附图说明

图1为本实用新型的晶硅太阳电池的正电极结构的第一种结构的结构示意图；

图2为本实用新型的晶硅太阳电池的正电极结构的第二种结构的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。

实施例一

如图1所示，一种晶硅太阳电池的正电极结构，它包括：

多根细栅线金属电极1，呈并列平行状；

四根主栅线金属电极2，主栅线金属电极2与多根细栅线金属电极1相垂直，每根主栅线金属电极2呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极2的断开部分位于相邻的细栅线金属电极1之间的空白区域。

主栅线金属子电极2可以为完全填充结构或镂空结构。

相邻的主栅线金属电极2之间的距离可以为38.5mm～39.5mm，譬如，38.5mm或39.5mm均可。

主栅线金属电极2的宽度可以为0.2mm～12mm，譬如，0.2mm或12mm或6mm均可。

实施例二

本实施例的结构与实施例一的结构相似，不同的是：主栅线金属电极2的宽度为1mm，每根主栅线金属电极2呈四段状从而被等间距分割为四个主栅线金属子电极。

实施例三

如图2所示，一种晶硅太阳电池的正电极结构，它包括：

多根细栅线金属电极1，呈并列平行状；

四根主栅线金属电极2，主栅线金属电极2与多根细栅线金属电极1相垂直，每根主栅线金属电极2呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极2的断开部分位于相邻的细栅线金属电极1之间的空白区域。

在相邻的主栅线金属电极2之间的区域上设置有至少一根副栅线金属电极3，并且该副栅线金属电极3与主栅线金属电极2相平行。

副栅线金属电极3的宽度可以为10μm～150μm，譬如，10μm或150μm或80μm均可。

主栅线金属子电极2为完全填充结构或镂空结构。

相邻的主栅线金属电极2之间的距离可以为38.5mm～39.5mm，譬如，38.5mm或39.5mm均可。

主栅线金属电极2的宽度可以为0.2mm～12mm，譬如，0.2mm或12mm或6mm均可。

实施例四

本实施例的结构与实施例三的结构相似，不同的是：在相邻的主栅线金属电极2之间的区域上设置有一根副栅线金属电极3；副栅线金属电极3的宽度与所述的细栅线金属电极1的宽度相同。

以上所述的具体实施例，对本实用新型解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于，它包括：

多根细栅线金属电极(1)，呈并列平行状；

四根主栅线金属电极(2)，所述的主栅线金属电极(2)与多根细栅线金属电极(1)相垂直，每根主栅线金属电极(2)呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极(2)的断开部分位于相邻的细栅线金属电极(1)之间的空白区域。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：在相邻的主栅线金属电极(2)之间的区域上设置有至少一根副栅线金属电极(3)，并且该副栅线金属电极(3)与主栅线金属电极(2)相平行。

3.根据权利要求2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：在相邻的主栅线金属电极(2)之间的区域上设置有一根副栅线金属电极(3)。

4.根据权利要求2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的副栅线金属电极(3)的宽度为10μm～150μm。

5.根据权利要求2或3或4所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的副栅线金属电极(3)的宽度与所述的细栅线金属电极(1)的宽度相同。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的主栅线金属子电极(2)为完全填充结构或镂空结构。

7.根据权利要求1或2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的相邻的主栅线金属电极(2)之间的距离为38.5mm～39.5mm。

8.根据权利要求1或2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的主栅线金属电极(2)的宽度为0.2mm～12mm。

9.根据权利要求8所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的主栅线金属电极(2)的宽度为1mm。

10.根据权利要求1或2所述的晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于：所述的每根主栅线金属电极(2)呈四段状从而被等间距分割为四个主栅线金属子电极。