CN204179212U - Ifa寄生的lte天线 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种IFA寄生的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点及寄生馈点；所述接地馈点下连接有第一辐射单元，信号输入馈点下部连接有第二辐射单元，寄生馈点下部连接有第三辐射单元。本实用新型的有益效果在于：通过采用本专利结构，使得天线所支持的通讯频段可拓宽至4G频段，支持低频824～960MHz、高频1710～2620MHz从而实现全网通讯。此外该结构的天线仅需最小3～6mm净空区即可，满足了实际应用的需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种通讯设备天线，尤其是指一种IFA寄生的LTE天线。
背景技术
现有的天线产品的结构设计上要求面积大、要求净空区大，一般只能满足3G产品需求。而随着技术的发展，人们对无线通讯的速率也提出了更高要求。4G应运而生，时下的4G即LTE Advanced。LTE是应用于手机及数据卡终端的高速无线通讯标准，其有能力提供300Mbit/s的下载速率和75Mbit/s的上传速率。在E-UTRA环境下可借助QOS技术实现低于5ms的延迟。LTE可提供高速移动中的通信需求，支持多播和广播流。LTE频段扩展度好，支持1.4MHz至20MHz的时分多址和码分多址频段。全IP基础网络结构，也被称作核心分组网演进，将替代原先的GPRS核心分组网，可向原先较旧的网络如GSM、UMTS和CDMA2000提供语音数据的无缝切换。而为了实现LTE的通讯，对应的新天线结构设计也成为业内竞争的焦点。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：设计一种面积小、净空区小的支持4G的IFA寄生的LTE天线。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种IFA寄生的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点及寄生馈点；所述接地馈点下连接有第一辐射单元，信号输入馈点下部连接有第二辐射单元，寄生馈点下部连接有第三辐射单元；
所述第一辐射单元包括依次连接的第一辐射段、第二辐射段、第三辐射段、第四辐射段及第五辐射段；所述第一辐射段沿左侧水平延伸，所述第二辐射段呈“┛”字形，其竖直臂与第一辐射段相连，水平臂与第三辐射段相连；第三辐射段于连接第二辐射段的同侧下部连接第四辐射段，第四辐射段另一侧连接 第五辐射段，第五辐射段呈“┓”字形，其水平臂与第四辐射段相连；
所述第二辐射单元包括辐射面，辐射面左侧上部向第一辐射单元的第一辐射段及第五辐射段之间区域沿水平延伸形成有间隔的第一辐射支及第二辐射支，所述第一辐射支端部与第一辐射单元的“┛”字形第二辐射段的竖直臂相连；
所述第三辐射单元呈侧卧“几”字形，其一臂与寄生馈点相连；
上述结构中，所述第二辐射单元的第一辐射支与第二辐射支间隔形成第一间隙，第一间隙的宽度0.5-0.8mm，长度10-16mm；
上述结构中，所述第二辐射单元的第二辐射支的宽度为1.5-2.0mm；
上述结构中，所述第一辐射单元的第三辐射段宽4-5mm；
上述结构中，所述信号输入馈点宽1.5-2.5mm；
上述结构中，所述第三辐射单元的另一臂与第二辐射单元的辐射面间距0.6-1.0mm；
上述结构中，所述第一辐射单元的第二辐射段的水平臂与第四辐射段间隔形成第二间隙，第二间隙长5～7mm；
上述结构中，所述第二辐射单元的第一辐射支与第二辐射支间隔形成第三间隙，所述第三间隙的长度为2-2.5mm。
本实用新型的有益效果在于：通过采用本专利结构，使得天线所支持的通讯频段可拓宽至4G频段，支持低频824～960MHz、高频1710～2620MHz从而实现全网通讯。此外该结构的天线仅需最小3～6mm净空区即可，满足了实际应用的需求
附图说明
下面结合附图详述本实用新型的具体结构
图1为本实用新型天线的结构示意图；
图2为本实用新型天线的应用示意图；
图3为本实用新型具体示例下VSWR自由空间的测试图；
图4为本实用新型具体示例下RL自由空间的测试图。
1-接地馈点；2-信号输入馈点；3-寄生馈点；11-第一辐射段；12-第二辐射段；13-第三辐射段；14-第四辐射段；15-第五辐射段；112-第一间隙；124-第二间隙；125-第三间隙；21-辐射面；22-第一辐射支；23-第二辐射支；31-第三辐射单元；32-耦合空间；100-基板。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
请参阅图1、2，一种IFA寄生的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点1、信号输入馈点2及寄生馈点3。所述接地馈点1下连接有第一辐射单元，信号输入馈点2下部连接有第二辐射单元，寄生馈点3下部连接有第三辐射单元31。其中：
所述第一辐射单元包括依次连接的第一辐射段11、第二辐射段12、第三辐射段13、第四辐射段14及第五辐射段15。所述第一辐射段11沿左侧水平延伸，所述第二辐射段12呈“┛”字形，其竖直臂与第一辐射段11相连，水平臂与第三辐射段13相连；第三辐射段13于连接第二辐射段12的同侧下部连接第四辐射段14，第四辐射段14另一侧连接第五辐射段15，该第五辐射段15也呈“┓”字形，其水平臂与第四辐射段相连，第五辐射段15的线长影响低频工作频率，线宽影响低频带宽，其实际尺寸根据需求选择即可，但“┓”字形第五辐射段15的尾部(即竖直段)一般会进行加宽设计。
所述第二辐射单元包括辐射面21，辐射面21左侧上部向第一辐射单元的第一辐射段11及第五辐射段15之间区域沿水平延伸形成有间隔的第一辐射支22及第二辐射支23，所述第一辐射支22端部与第一辐射单元的“┛”字形第二辐射段12的竖直臂相连。
所述第三辐射单元31呈侧卧“几”字形，其一臂与寄生馈点3相连，侧卧“几”字形的第三辐射单元31中部及第二辐射单元之间空间形成耦合空间32，耦合空间32的大小和形状影响高频带宽。该第三辐射单元31的宽度影响高频工作频率，应根据实际需求选择即可。整个第三辐射单元31及寄生馈点3构成 IFA+寄生单元部分，其为DCS频率段，长度影响工作频率，形状和宽度影响高频带宽，具体尺寸根据需求选择即可。
基于上述结构，本专利天线所支持的通讯频段可拓宽至4G频段，支持低频824～960MHz、高频1710～2620MHz从而实现全网通讯。此外该结构的天线仅需最小3～6mm净空区即可，满足了实际应用的需求。
实施例1：
上述结构中，所述第二辐射单元的第一辐射支与22第二辐射支23间隔形成第一间隙112，该第一间隙112为阻抗敏感段，其宽度、长度及形状影响高低频带宽。结合大量实验后发现，该第一间隙112的宽度0.5-0.8mm，长度10-16mm下最佳。
实施例2：
上述结构中，所述第二辐射单元的第二辐射支23的宽度会直接影响LTE带宽，而其线长则决定天线工作频率，应根据所需情况调整。结合大量实验后发现第二辐射支23的宽度为1.5-2.0mm时效果最佳。
实施例3：
上述结构中，所述第一辐射单元的第三辐射段13的线长影响高、低频工作频率，应根据所需情况调整。而线宽影响天线带宽，结合大量实验后发现第三辐射段13的宽度为4-5mm时效果最佳。
实施例4：
上述结构中，所述信号输入馈点2为高低频共用段，其线宽对高低频均产生较大影响，结合大量实验后得出信号输入馈点2宽1.5-2.5mm时效果最佳。
实施例5：
上述结构中，第二辐射单元的辐射面21与第三辐射单元31间产生耦合，其影响高频带宽。因此呈侧卧“几”字形的第三辐射单元31的另一臂与第二辐射单元的辐射面21间距为耦合敏感区，结合大量实验得到该间距为0.6-1.0mm最佳。
实施例6：
所述第一辐射单元的第二辐射段12的水平臂与第四辐射段14间隔形成第 二间隙124，此间隙长度影响天线工作频率，结合大量实验得到第二间隙124长5～7mm为最佳，第二间隙124的宽度影响带宽，应根据实际需要设计。
实施例7：
上述结构中，所述第二辐射单元的第一辐射支22与第二辐射支23间隔形成第三间隙125，第三间隙125影响高低频工作频率，结合大量实验得到第三间隙125的长度为2-2.5mm最佳。
如图2所示为本专利IFA寄生的LTE天线设置于基板100上的应用结构示意图。
参见图3、4为基于本专利结构设计的IFA寄生的LTE天线的VSWR及RL测试图，从图示效果可以看出，此天线低频可覆盖824～960MHz，高频可覆盖1710～2620MHz，完全可以满足目前所需的2G、3G、4G大部分频段天线通讯需求。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种IFA寄生的LTE天线，其特征在于：包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点及寄生馈点；所述接地馈点下连接有第一辐射单元，信号输入馈点下部连接有第二辐射单元，寄生馈点下部连接有第三辐射单元；
所述第一辐射单元包括依次连接的第一辐射段、第二辐射段、第三辐射段、第四辐射段及第五辐射段；所述第一辐射段沿左侧水平延伸，所述第二辐射段呈“┛”字形，其竖直臂与第一辐射段相连，水平臂与第三辐射段相连；第三辐射段于连接第二辐射段的同侧下部连接第四辐射段，第四辐射段另一侧连接第五辐射段，第五辐射段呈“┓”字形，其水平臂与第四辐射段相连；
所述第二辐射单元包括辐射面，辐射面左侧上部向第一辐射单元的第一辐射段及第五辐射段之间区域沿水平延伸形成有间隔的第一辐射支及第二辐射支，所述第一辐射支端部与第一辐射单元的“┛”字形第二辐射段的竖直臂相连；
所述第三辐射单元呈侧卧“几”字形，其一臂与寄生馈点相连。
2.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述第二辐射单元的第一辐射支与第二辐射支间隔形成第一间隙，第一间隙的宽度0.5-0.8mm，长度10-16mm。
3.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述第二辐射单元的第二辐射支的宽度为1.5-2.0mm。
4.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述第一辐射单元的第三辐射段宽4-5mm。
5.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述信号输入馈点宽1.5-2.5mm。
6.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述第三辐射单元的另一臂与第二辐射单元的辐射面间距0.6-1.0mm。
7.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述第一辐射单元的第二辐射段的水平臂与第四辐射段间隔形成第二间隙，第二间隙长5～7mm。
8.如权利要求1所述的IFA寄生的LTE天线，其特征在于：所述第二辐射单元的第一辐射支与第二辐射支间隔形成第三间隙，所述第三间隙的长度为2-2.5mm。
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