CN204144276U - 基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片，包括太阳能电池硅片网板，所述硅片网板上从上至下依次设置有Au金属层、Au-Sn合金共晶金属层、Ni金属层以及Ti金属层；所述太阳能电池硅片网板上设置有两条电极，两条电极的背电极位于所述硅片网板背面，两条电极的正电极位于所述硅片网板正面；所述硅片网板上设置有间隔均匀的栅线，所述两条电极分别与所述栅线垂直设置。本实用新型的太阳能电池硅片具有无毒、成本低，且破损率低的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及二极管制作技术领域，特别涉及一种基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片。
背景技术
共晶焊技术在电子封装行业得到广泛应用，如芯片与基板的粘接、基板与管壳的粘接、管壳封帽等等。与传统的环氧导电胶粘接相比，共晶焊接具有热导率高、电阻小、传热快、可靠性强、粘接后剪切力大的优点，适用于高频、大功率器件中芯片与基板、基板与管壳的互联。对于有较高散热要求的功率器件必须采用共晶焊接。共晶焊是利用了共晶合金的特性来完成焊接工艺的。
目前市场上的太阳能电池硅片一般用普通硅片，如果硅片边缘有缺口或者裂纹的话，此硅片就会被判定为废片，无法进行加工，就算投入生产，生产过程中的破损的几率比较大。因此，本申请通过金属化共晶结构的的硅片来制作太阳能电池。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片，具有无毒、成本低，且破损率低的优点。
本实用新型是这样实现的：一种基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片，包括太阳能电池硅片网板，所述硅片网板上从上至下依次设置有Au金属层、Au-Sn合金共晶金属层、Ni金属层以及Ti金属层；所述太阳能电池硅片网板上设置有两条电极，两条电极的背电极位于所述硅片网板背面，两条电极的正电极位于所述硅片网板正面；所述硅片网板上设置有间隔均匀的栅线，所述两条电极分别与所述栅线垂直设置。
进一步地，所述太阳能电池硅片网板的截面为方形。
本实用新型的优点在于：本实用新型通过金属化共晶结构的的硅片来制作太阳能电池；该硅片网板上从上至下依次设置有Au金属层、Au-Sn合金共晶金属层、Ni金属层以及Ti金属层；其具有无毒、成本低，且破损率低的优点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型中硅片的剖面图。
具体实施方式
请参阅图1和图2所示，本实用新型的一种基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片，包括太阳能电池硅片网板1，所述硅片网板1上从上至下依次设置有Au金属层2、Au-Sn合金共晶金属层3、Ni金属层4以及Ti金属层5；所述太阳能电池硅片网板1上设置有两条电极，两条电极的背电极(未图示)位于所述硅片网板1背面，两条电极的正电极6位于所述硅片网板1正面；所述硅片网板1上设置有间隔均匀的栅线7，所述两条电极分别与所述栅线7垂直设置。
其中，所述太阳能电池硅片网板的截面为方形。这样能降低硅片的破损率。
总之，本实用新型通过金属化共晶结构的的硅片来制作太阳能电池；该硅片网板上从上至下依次设置有Au金属层、Au-Sn合金共晶金属层、Ni金属层以及Ti金属层；其具有无毒、成本低，且破损率低的优点。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
Claims (2)
1.一种基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片，其特征在于：包括太阳能电池硅片网板，所述硅片网板上从上至下依次设置有Au金属层、Au-Sn合金共晶金属层、Ni金属层以及Ti金属层；所述太阳能电池硅片网板上设置有两条电极，两条电极的背电极位于所述硅片网板背面，两条电极的正电极位于所述硅片网板正面；所述硅片网板上设置有间隔均匀的栅线，所述两条电极分别与所述栅线垂直设置。
2.根据权利要求1所述的基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片，其特征在于：所述太阳能电池硅片网板的截面为方形。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201420701491.8U CN204144276U (zh) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 基于金属化共晶结构的太阳能电池硅片 |
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Publications (1)
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| CN204144276U true CN204144276U (zh) | 2015-02-04 |
Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2014
- 2014-11-19 CN CN201420701491.8U patent/CN204144276U/zh active Active
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: Solar cell silicon wafer based on metalized eutectic structure Effective date of registration: 20180611 Granted publication date: 20150204 Pledgee: China Co truction Bank Corp Putian branch Pledgor: FUJIAN ANTE MICROELECTRONIC CO., LTD. Registration number: 2018350000050 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |