CN204130518U - 一种微型耐压高散热的芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种微型耐压高散热的芯片，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，增加了使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种微型耐压高散热的芯片。
背景技术
如图1所示，现有的很多芯片的第一外延片22，第二外延片23二者是一体设置的，然后封装体21封装，这样设置的目的是散热，但是实际效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散热面积有限，导致散热不畅，另外第一外延片，第二外延片二者是一体设置很容易造成短路。现有的芯片对耐压程度也不高，不能承受特殊环境状态下使用。
所以现有技术有缺陷，需要改进。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种微型耐压高散热的芯片，能够提高微型耐压提高高散热效果的芯片。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种微型耐压高散热的芯片，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，第一外延片与外壳是一体设置。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的左侧。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的右侧。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的前端。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的后端。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中， 在封装体内设置一硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块,存储模块,电源检测模块和安全输入输出模块,且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接,管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层,在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层,所述的高纯铝层的厚度为0.01～1.5μm，微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹不平状。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳,等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，
微型耐压高散热的芯片，通过将微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁设计成凹凸不平状，从而可以提高微型耐压高散热的芯片的出光效率。优点是:通过在硅片背面设高纯铝层,使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构,钛、镍作为缓冲层能够降低应力,能够形成良好的欧姆接触,减小接触电阻,从而减小导通压降,进而降低通态功耗,使可控硅芯片发热量低,可靠性好,使用寿命长。
附图说明
图l为现有芯片的结构示意图；
图2为本实用微型耐压高散热的芯片的结构示意图之一；
图3为本实用微型耐压高散热的芯片的结构示意图之二；
图4为本实用微型耐压高散热的芯片的结构示意图之三。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。
实施例一
请参阅图2、图3所示，本实用新型揭示了一种微型耐压高散热的芯片，包括一第一外延片26，一第二外延片25，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体21封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳27，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。本实用新型最大的创意就是把第一外延片26，一第二外延片25分离开，避免产生短路现象，把第一外延片26与外壳27一体设置，第一外延片与外壳是一体设置。第一外延片26在芯片内部产生的热量通过第一外延片26直接扩散到外壳上，能够很好散热；第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。这样外壳就形成一个保护外壳，增加了本芯片的坚固性。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的左侧。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的右侧。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的前端。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中，外壳设置在第一外延片第一端的后端。
所述的微型耐压高散热的芯片，其中， 在封装体内设置一硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块,存储模块,电源检测模块和安全输入输出模块,且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接,管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层,在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层,所述的高纯铝层的厚度为0.01～1.5μm，微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹不平状。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳,等同增大了散热面积，提高了散热效果，在原来封装体的外部增加了外壳，等同增加了保护外壳，比以前单独的封装体坚固了很多，
微型耐压高散热的芯片，通过将微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁设计成凹凸不平状，从而可以提高微型耐压高散热的芯片的出光效率。优点是:通过在硅片背面设高纯铝层,使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构,钛、镍作为缓冲层能够降低应力,能够形成良好的欧姆接触,减小接触电阻,从而减小导通压降,进而降低通态功耗,使可控硅芯片发热量低,可靠性好,使用寿命长。
参考图4所示，一种微型耐压高散热的芯片，包括硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块9,存储模块10,电源检测模块和安全输入输出模块,且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接,管脚控制模块8连接于处理器模块6和管脚模块7之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层,在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层,所述的高纯铝层的厚度为0.1～2.5μm，微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。
在硅片背面依次设置的钛层3、镍层4、银层5,在硅片1背面位于硅片1和钛层3之间设有高纯铝层2,所述的高纯铝层2的厚度为0.1～2.5μm，微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈凹凸不平状。作为本实用新型的一种优选方案，所述微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹状。优选地，ICP刻蚀后的微型耐压高散热的芯片周围的所有侧壁呈波纹状。
作为本实用新型的一种优选方案，所述微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。优选地，所述微型耐压高散热的芯片的所有侧壁呈锯齿状。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出的微型耐压高散热的芯片，通过将微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁设计成凹凸不平状，从而可以提高微型耐压高散热的芯片的出光效率。优点是:通过在硅片背面设高纯铝层,使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构,钛、镍作为缓冲层能够降低应力,能够形成良好的欧姆接触,减小接触电阻,从而减小导通压降,进而降低通态功耗,使可控硅芯片发热量低,可靠性好,使用寿命长。
实施例二
本实施例中，所述微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈锯齿状。优选地，所述微型耐压高散热的芯片的所有侧壁呈锯齿状。
本实施例中微型耐压高散热的芯片的这种侧壁结构也可以增加侧向光源的出光面积，使芯片获得更多的出光。
此外，微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁还可以呈现其他凹凸不平状，如不规则的凹凸不平状，只要可以增加芯片侧面的出光面积即可。
这里本实用新型的描述和应用是说明性的，并非想将本实用新型的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本实用新型的精神或本质特征的情况下，本实用新型可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本实用新型范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。在硅片背面设高纯铝层,使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构,钛、镍作为缓冲层能够降低应力,能够形成良好的欧姆接触,减小接触电阻,从而减小导通压降,进而降低通态功耗,使可控硅芯片发热量低,可靠性好,使用寿命长。
Claims (8)
1.一种微型耐压高散热的芯片，其特征在于，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端与第二外延片第一端被一封装体封装，在第一外延片的第一段的侧部连接一外壳，该外壳包覆在封装体的外部，该外壳用于散热。
2.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：第一外延片与外壳是一体设置。
3.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：第一外延片与外壳形成U字形空间，封装体在U字形空间内。
4.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的左侧。
5.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的右侧。
6.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的前端。
7.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：外壳设置在第一外延片第一端的后端。
8.根据权利要求l所述的微型耐压高散热的芯片，其特征在于：在封装体内设置一硅片，设置在硅片上面处理器模块、加解密模块,存储模块,电源检测模块和安全输入输出模块,且所述所有模块通过安全芯片内部的总线相互连接,管脚控制模块连接于处理器模块和管脚模块之间，在硅片背面依次设置的钛层、镍层、银层,在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层,所述的高纯铝层的厚度为0.01～1.5μm，微型耐压高散热的芯片的部分侧壁或全部侧壁呈波纹不平状。
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