CN204119458U - 双振膜共用一磁回结构的喇叭 - Google Patents

Abstract

一种双振膜共用一磁回结构的喇叭，其是磁回结构下方相向对应于上方的第一振膜，设有一第二振膜；一第二磁铁单元，设在第一磁铁单元的外周缘；一第二音圈，其底缘连接在该第二振膜的上缘面，且位于该磁回结构中，该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中；以及一音箱，结合在支架外周缘，并位于磁回结构下方，其内形成一预定容积的腔室，供该第二振膜完全容置于该腔室之中；借此，在相同的体积下，以内、外双振膜的方式共用一磁回结构，以形成具有高、低音的双喇叭架构，具有营造更真实音域表现的功效。

Description

双振膜共用一磁回结构的喇叭

技术领域

本实用新型是有关一种喇叭结构，尤指一种双振膜共用一磁回结构，使得在相同的体积下，形成具有高、低音的双喇叭架构。

背景技术

在现有技术中，囿于物理上的限制，一个喇叭要发出高、中、低音域，且各音域表现都同时兼顾的，实际上是难以达成的。因为一个优质的高音喇叭，就不会是一个优质的低音喇叭，反之亦然。因此，实务上，通常会将喇叭依据其特性，设计为高音喇叭或低音喇叭，透过不同音域属性的喇叭结合，形成一个可兼顾各音域表现的喇叭系统。

图1所示是现有一种喇叭的结构示意图，大体上包括：一支架110；一磁回结构120，包括一导磁轭130及一磁铁单元140，其自设在该支架110上；一振膜150，设在该导磁轭130上方；一音圈160，其顶缘连接在该振膜150的底缘面，且对应设于该磁铁单元140的外周缘。

如前所述，由于一颗喇叭无法真实反应出各个音域，因此，为了让声音表现更加真实，思及如何在不增加喇叭体积的情况下，可以比现有技艺提供更多重的音域，为本实用新型所欲解决的课题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种双振膜共用一磁回结构的喇叭，其在相同的体积下，以内、外双振膜共用一磁回结构的结合方式，以形成双喇叭架构，具有营造更真实音域表现的功效；其与高音振膜共用一磁回结构的低音振膜，完全容置在一具有预定容积腔室的音箱内，以提升低音表现的功效。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种双振膜共用一磁回结构的喇叭，包括：一支架；一磁回结构，其包括一第一导磁轭，设在该支架上，以及至少一第一磁铁单元，设在该第一导磁轭上；一第一振膜，设在该磁回结构上方；一第一音圈，其顶缘连接在该第一振膜的底缘面，且对应设于该第一磁铁单元的外周缘；其特征在于：

该磁回结构下方相向对应于该第一振膜，还设有一第二振膜，且该第二振膜大于该第一振膜；一第二磁铁单元，设在该第一磁铁单元的外周缘；一第二音圈，其底缘连接在该第二振膜的上缘面，且位于该磁回结构中，该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中；以及一音箱，结合在该支架外周缘，并位于该磁回结构下方，其内形成一预定容积的腔室，供该第二振膜完全容置于该腔室之中；借此，使高音的该第一振膜位于该音箱外部，低音的该第二振膜位于该音箱内部，以内、外双振膜共用一磁回结构，以形成具有高、低音的双喇叭架构。

在一可行实施例中，该第一导磁轭呈一板体，该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上，其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间，该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘，且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙，供该第一音圈容置其中；该第二磁铁单元外周缘与一具有环形边的第二导磁轭的内环壁形成一第二磁间隙，供该第二音圈容置其中。

承上，又一可行实施例中，该第一导磁轭呈一板体，该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上，其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间，该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘，且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙，供该第一音圈容置其中；且还于该第二磁铁单元的外侧环设一第三磁铁单元，该第二磁铁单元及第三磁铁单元上，设有一板形的第三导磁轭，且该第二磁铁单元外周缘与该第三磁铁单元内周缘形成一第二磁间隙，供该第二音圈容置其中。

依据前揭特征，在一可行实施例中，本实用新型第一振膜的中心部可设成向上凸状，及该第二振膜的中心部设成向下凸状。

在另一可行实施例中，该第一振膜的中心部可设成向上凸状，及该第二振膜的中心部设成凹状。

又一可行实施例中，该第一振膜及该第二振膜的中心部可设成平状。

再一可行实施例中，该第一磁铁单元上还设有一第四导磁轭，该第一振膜的中心部可贴合于该第四导磁轭，形成左右两个半圆凸起状，及该第二振膜的中心部可设成向下凸状。

此外，在一可行实施例中，该磁回结构的中心部可呈中空状。该中空状包括一管状物所构成，该管状物上缘可与该第一振膜连接。

再者，上揭任一实施例中，该支架上可设有一个以上的气孔，及该音箱结构上可设有一个以上的小通孔。

进一步，上揭任一实施例中，该音箱内部可填塞有吸音材质。

借助上揭技术特征，本实用新型在不增加喇叭体积的情况下，使用『双振膜共用一磁回结构』以及『低音振膜完全容置于音箱内』的结合方式，因此可以比现有技艺提供更多重的音域，例如：该双振膜为高音喇叭振膜与低音喇叭振膜，在共用一磁回结构下，所形成的双喇叭架构，具有可以营造更真实的音域表现的功效。

本实用新型的有益效果是，其在相同的体积下，以内、外双振膜共用一磁回结构的结合方式，以形成双喇叭架构，具有营造更真实音域表现的功效；其与高音振膜共用一磁回结构的低音振膜，完全容置在一具有预定容积腔室的音箱内，以提升低音表现的功效。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是现有一种喇叭构造的示意图。

图2是本实用新型第一实施例的结构示意图。

图2A是图2中主要结构放大图。

图3是本实用新型第二实施例的结构示意图。

图4A及图4B是本实用新型第三实施例的结构示意图。

图5A及图5B是本实用新型第四实施例的结构示意图。

图6A及图6B是本实用新型第五实施例的结构示意图。

图7A及图7B是本实用新型第六实施例的结构示意图。

图中标号说明：

10 音箱

11 小通孔

12 腔室

13 吸音材质

20 支架

21 第一结合面

22 第二结合面

211第一垫圈

221第二垫圈

23 气孔

30 磁回结构

31a第一导磁轭

31b第二导磁轭

31c第三导磁轭

31d第四导磁轭

31e第五导磁轭

31 第一磁间隙

32 第二磁间隙

33 中空状

331管状物

40 第一磁铁单元

50 第一振膜

51 平状

52 中心部

60 第一音圈

70 第二振膜

71 凹状

72 平状

80 第二磁铁单元

90 第二音圈

100第三磁铁单元

具体实施方式

首先，请参阅图2及图2A所示，本实用新型第一实施例包括有：一支架20；一磁回结构30，其包括一第一导磁轭31a，设在该支架20上，以及至少一第一磁铁单元40，设在该第一导磁轭31a上；一第一振膜50，设在该磁回结构30上方；一第一音圈60，其顶缘连接在该第一振膜50的底缘面，且对应设于该第一磁铁单元40的外周缘；但，上揭构成属先前技术(Prior Art)，容不赘述。

本实用新型的主要特征在于：该磁回结构30下方还设有一第二振膜70，其形状虽非与该第一振膜50成对称状，但第二振膜70呈现与该第一振膜50相向对应形态，且原则上大于该第一振膜50的形态；一第二磁铁单元80，设在该第一磁铁单元40的外周缘；一第二音圈90，其底缘连接在该第二振膜70的上缘面，且位于该磁回结构30中，该第二磁铁单元80的外周缘所形成的磁间隙32中；以及一音箱10，结合在该支架20外周缘，并位于该磁回结构30下方，其内形成一预定容积的腔室12，供该第二振膜70完全容置于该腔室12之中。本实施例中，该第一振膜50的中心部设成向上凸状，及该第二振膜70的中心部设成向下凸状。

借此，使高音的该第一振膜50位于该音箱10外部，低音的该第二振膜70位于该音箱10内部，以内、外双振膜共用一磁回结构30，以形成具有高、低音的双喇叭架构。

图2A是图2的部分放大图，本实施例中，该支架20包括一供该第一振膜50装设的第一结合面21，以及一供该第二振膜70装设的第二结合面22；亦即本实用新型的支架20较现有的支架多了一个位于音箱10内部的第二结合面22。本实施例中，该第一结合面21及第二结合面22上，分别包括设有：一第一垫圈211及一第二垫圈221，以增加振膜结合的稳固性，但不限定于此。再者，该支架20上设有一个以上的气孔23。

承上，本实施例中，该第一导磁轭31a呈一板体，该第一磁铁单元40及第二磁铁单元80皆设在该第一导磁轭31a上，其中该第一磁铁单元40设在该第一导磁轭31a的板体中间，该第二磁铁单元80环设在该第一磁铁单元40的外周缘，且该第一磁铁单元40外周缘与该第二磁铁单元80内周缘形成一第一磁间隙31，供该第一音圈60容置其中；该第二磁铁单元80外周缘与一具有环边形的第二导磁轭31b的内环壁形成一第二磁间隙32，供该第二音圈90容置其中。借此，该低音的第二振膜70的面积将更大于高音的第一振膜50的面积。

借此，第二振膜70所构成的内振膜，与第一振膜50所构成的外振膜，两振膜50、70共用同一磁回结构30，此外，两振膜分别设有两组正负电讯接点，用以串联或并联形式，电性连接外部输入的音源讯号(图未示)，同时，透过与外部音源讯号电性连接方式的设计，使第一振膜50及第二振膜70两振膜于动作时，会朝同一方向振动；如图2A所示，当低音喇叭的第二振膜70往磁回结构30方向动作时，高音喇叭的第一振膜50则向远离磁回结构30的方向动作。低音的第二振膜70动作所产生的空气流动，会透过支架20结构上的气孔23排出。如此一来，形成相同体积的喇叭单体，即具有高、低音的双喇叭架构，以营造更真实的音域表现。再者，与该高音第一振膜50共用一磁回结构30的低音第二振膜70，完全容置在该音箱10的腔室12内，如此一来，可透过该腔室12的预先容积设定及调整，进而提升低音的深度或广度的音域表现。

图3所示是本实用新型的第二实施例，其相同于上揭实施例的结构以相同图号表示，本实施例与第一实施例的主要差异在于：还于该第二磁铁单元80的外侧环设一第三磁铁单元100，该第二磁铁单元80及第三磁铁单元100上设有一板形的第三导磁轭31c，且该第二磁铁单元80外周缘与该第三磁铁单元100内周缘形成一第二磁间隙32，供该第二音圈90容置其中。需特别说明的是，本实施例中，第二磁铁单元80的充磁方向，与该第一磁铁单元40及第三磁铁单元100的充磁方向相反，亦即，内部的第一磁铁单元40与最外侧的第三磁铁单元100的充磁方向相同。

图4A及图4B所示是本实用新型的第三实施例，其相同于上揭实施例的结构以相同图号表示，本实施例与上揭二个实施例的主要差异在于：低音的第二振膜70的中心位置可形成有缺口(图未示)。因为主要低音气体的排出，并非透过第二振膜70的中心部位。因此，截掉第二振膜70的中心部位，可减少第二振膜70中心部位动作时，对音箱10内部产生大量流动的气流，而干扰到第二振膜70的正常动作。但，第二振膜70中心部并非一定要真的截除；如图4A及图4B所示，第二振膜70中心部表面可以设计为与磁回结构30表面相黏的凹状71，而勿须真的截除，亦可以达到相同效果。以下所有的实施例中，都可以应用此实施方式。

图5A及图5B所示是本实用新型的第四实施例，其相同于上揭实施例的结构以相同图号表示，本实施例与上揭实施例的主要差异在于：高音的第一振膜50或低音的第二振膜70，喇叭单体的中心部位设成平状51、72。此种构成亦可达到预定需求的良好音域表现。

图6A及图6B所示是本实用新型的第五实施例，其相同于上揭实施例的结构以相同图号表示，本实施例与上揭实施例的主要差异在于：第一振膜50的中心部52是贴合于该第一磁铁单元40，或是贴合设于该第一磁铁单元40上的第四导磁轭31d，本实施例中第四导磁轭31d，形成左右两个半圆凸起状，此结构因为使第一振膜50面积变小，除了高音可以更好，而且进一步避免第一振膜50于轴向上下高速动作时，可能产生的偏移失真情况；因此，本实施例此结构的另一功效是，除了让高音更好之外，也可以让失真更低。

图7A及图7B所示是本实用新型的第六实施例，其相同于上揭实施例的结构以相同图号表示，本实施例与上揭实施例的主要差异在于：该磁回结构30的中心部是中空状33，且高音的第一振膜50中心部亦截除，形成高音的第一振膜50中心是中空状33。这是因为若高音的第一振膜50的面积过大时，不易准确呈现中高音域的表现，因此循此作法会缩小振膜面积，以换取更好的中高音域表现。再者，此结构亦以利第二振膜70的低音喇叭的气体，能透过该磁回结构30中空部传出，让低音喇叭动作更顺畅。本实施例中的中空状33，可由一管状物331所构成，该管状物331上缘可与该第一振膜50连接，但不限定于此。

承上，本实用新型所有的实施例中，皆可于音箱10内部的腔室12中塞入吸音材质13(例如：吸音棉等)，以吸收音箱10内部过多的气体，避免影响到振膜的动作。

此外，上述实施例中所揭露的第一、第三磁铁单元40、100，其除了磁铁本体外，亦可在其表面分别设有一第四导磁轭31d及第五导磁轭31e。但该等导磁轭(或称为导磁板)于本实用新型上揭所有实施例中，皆可配合导磁轭的上、下位置、形状或功能加以变化及调整，容不赘述。

借助上揭技术特征，本实用新型上述六个实施例，虽然配设上稍有差异，但其皆具有：『双振膜共用一磁回结构』以及『低音振膜完全容置于音箱内』的共同技术特征，可在不增加喇叭体积的情况下，比现有技术提供更多重的音域，形成高音喇叭振膜与低音喇叭振膜的双喇叭架构，具有可以营造更真实的音域表现的功效。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

综上所述，本实用新型在结构设计、使用实用性及成本效益上，完全符合产业发展所需，且所揭示的结构亦是具有前所未有的创新构造，具有新颖性、创造性、实用性，符合有关新型专利要件的规定，故依法提起申请。

Claims (11)

1.一种双振膜共用一磁回结构的喇叭，包括：

一支架；

一磁回结构，其包括一第一导磁轭，设在该支架上，以及至少一第一磁铁单元，设在该第一导磁轭上；

一第一振膜，设在该磁回结构上方；

一第一音圈，其顶缘连接在该第一振膜的底缘面，且对应设于该第一磁铁单元的外周缘；

其特征在于：

该磁回结构下方相向对应于该第一振膜，还设有一第二振膜，且该第二振膜大于该第一振膜；

一第二磁铁单元，设在该第一磁铁单元的外周缘；

一第二音圈，其底缘连接在该第二振膜的上缘面，且位于该磁回结构中，该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中；以及

一音箱，结合在该支架外周缘，并位于该磁回结构下方，其内形成一预定容积的腔室，供该第二振膜完全容置于该腔室之中；

借此，使高音的该第一振膜位于该音箱外部，低音的该第二振膜位于该音箱内部，以内、外双振膜共用一磁回结构，以形成具有高、低音的双喇叭架构。

2.根据权利要求1所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述第一导磁轭呈一板体，该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上，其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间，该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘，且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙，供该第一音圈容置其中；该第二磁铁单元外周缘与一具有环边形的第二导磁轭的内环壁形成一第二磁间隙，供该第二音圈容置其中。

3.根据权利要求1所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述第一导磁轭呈一板体，该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上，其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间，该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘，且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙，供该第一音圈容置其中；且还于该第二磁铁单元的外侧环设一第三磁铁单元，该第二磁铁单元及第三磁铁单元上，设有一板形的第三导磁轭，且该第二磁铁单元外周缘与该第三磁铁单元内周缘形成一第二磁间隙，供该第二音圈容置其中。

4.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述第一振膜的中心部设成向上凸状，及该第二振膜的中心部设成向下凸状。

5.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述第一振膜的中心部设成向上凸状，及该第二振膜的中心部设成向上凹状。

6.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述第一振膜及该第二振膜的中心部设成平状。

7.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述第一磁铁单元上还设有一第四导磁轭，该第一振膜的中心部是贴合于该第四导磁轭，形成左右两个半圆凸起状，及该第二振膜的中心部设成向下凸状。

8.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述磁回结构的中心部呈中空状。

9.根据权利要求8所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述中空状由一管状物所构成，该管状物上缘与该第一振膜连接。

10.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述支架上还设有一个以上的气孔，及该音箱结构上还设有一个以上的小通孔。

11.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭，其特征在于，所述音箱内部填塞有吸音材质。