CN204118056U - 一种晶圆保护膜及其涂刷装置 - Google Patents
一种晶圆保护膜及其涂刷装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN204118056U CN204118056U CN201420600605.XU CN201420600605U CN204118056U CN 204118056 U CN204118056 U CN 204118056U CN 201420600605 U CN201420600605 U CN 201420600605U CN 204118056 U CN204118056 U CN 204118056U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- diaphragm
- protection film
- utility
- model
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种晶圆保护膜及其涂刷装置，晶圆保护膜形成于所述晶圆边缘；所述保护膜的成膜宽度范围为2～3mm；所述保护膜的厚度小于2.7微米，本实用新型在晶圆周边涂上一层具有一定抗拉强度,抗剪强度,及耐磨性的保护膜,从而对晶圆边缘起到保护作用，有效避免了运输途中颠簸可能导致的晶圆边缘产生裂纹或缺角,及边缘裂纹应力延伸致使的破片现象。本实用新型保护膜铺设于晶圆边缘,宽度小于3mm,不影响晶圆有效区域，并且保护膜成型于晶圆边缘上表面,不影响后续测试工序。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体制造技术领域，涉及一种晶圆保护膜，特别是涉及一种晶圆运输过程中防边缘破裂的保护膜。
背景技术
十多年来，我国集成电路技术突飞猛进，集成度越来越高，处理速度越来越快，芯片制造生产线的技术水平也从8英寸、0.25微米提高到12英寸、45纳米的新水平，并在向12英寸32纳米和22纳米以下的技术阶段迈进。具有各种不同功能的集成电路芯片已广泛应用于人们生活的各个领域。
集成电路的孩子做过程需要经过过重工艺，如清洗、氧化、化学气相沉积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂以及平坦化等等，这些工艺需要在工厂的不同区域进行。而在半导体集成电路制过程中，由于所有电路均集成于晶圆上，所以晶圆需要在不同制程之间和同一制程的不同区域流转，其运输和保管过程中都需要用到晶圆放置装置(Cassette)，现有的晶圆放置装置100如图1所示，该装置内设置有多个卡槽102，将晶圆103分隔开来。如图2所示，晶圆103放置在装置中之后其侧面和底部与晶圆放置装置101接触，卡槽102长时间使用会发生老化，老化的卡槽102将导致晶圆103卡不紧，由于运输过程中颠簸方向的不确定性，不论晶圆103横放或者竖放，都不可避免晶圆103边缘与装置的接触面发生撞击，致使晶圆103边缘产生裂纹或者缺角，边缘裂纹应力延伸，最终导致破片。所以如何保护好芯片边缘一直是个难题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆保护膜，用于解决现有技术中晶圆运输时发生边缘破裂的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆保护膜，所述晶圆保护膜形成于所述晶圆的边缘。
作为本实用新型晶圆保护膜的一种优化的结构，所述保护膜的成膜宽度小于3mm。
作为本实用新型晶圆保护膜的一种优化的结构，所述保护膜的成膜宽度范围为2～3mm。
作为本实用新型晶圆保护膜的一种优化的结构，所述保护膜的成膜厚度小于2.7微米。
作为本实用新型晶圆保护膜的一种优化的结构，所述保护膜的材料为中性透明硅酮结构 胶。
作为本实用新型晶圆保护膜的一种优化的结构，所述保护膜形成于晶圆上具有器件结构的一侧表面的边缘。
本实用新型还提供一种涂刷晶圆保护膜的装置，所述装置至少包括：支撑所述晶圆并使所述晶圆旋转的支撑平台、安装在晶圆边缘上方且用于提供保护膜材料的喷嘴、以及使所述保护膜固化的加速固化装置。
作为本实用新型涂刷晶圆保护膜的装置一种优化的结构，所述喷嘴中保护膜材料的注入流量范围根据实际成膜质量进行调整，注入时间范围为5s～10s，晶圆转速范围为5r/s～10r/s。。
作为本实用新型涂刷晶圆保护膜的装置一种优化的结构，所述加速固化装置为分别置于所述晶圆上下边缘的两个电吹风，通过控制风的压力来控制所述保护膜的固化速率。
作为本实用新型涂刷晶圆保护膜的装置一种优化的结构，所述上面的电吹风的风嘴对准保护膜的内边缘，下面电吹风的风嘴对准晶圆的外边缘。
如上所述，本实用新型的晶圆保护膜，形成于所述晶圆边缘。具有以下有益效果：本新型在晶圆周边涂上一层具有一定抗拉强度,抗剪强度,及耐磨性的保护膜,从而对晶圆边缘起到保护作用，有效避免了运输途中颠簸可能导致的晶圆边缘产生裂纹或缺角,及边缘裂纹应力延伸致使的破片现象。本实用新型保护膜铺设于晶圆边缘,宽度小于3mm,不影响晶圆有效区域，并且保护膜成型于晶圆边缘上表面,不影响后续测试工序。
附图说明
图1为本实用新型中的晶圆放置装置示意图。
图2为本实用新型的晶圆放置在装置中的示意图。
图3为本实用新型的晶圆边缘形成有保护膜的示意图。
图4为本实用新型用来涂刷晶圆保护膜的装置示意图。
元件标号说明
101 晶圆放置装置
102 卡槽
103 晶圆
104 保护膜
201 支撑平台
202 喷嘴
203 加速固化装置
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
如图3所示，本实用新型提供一种晶圆保护膜104，所述晶圆保护膜104形成在所述晶圆103的边缘，用于防止晶圆103在运输过程中边缘破裂导致报废。
在晶圆103包装出货前，在其周边涂上保护膜104，所述保护膜104具有胶的特性，例如，具有一定的抗拉强度、抗剪强度及耐磨性，从而对晶圆103边缘起到保护作用。
作为示例，所述保护膜104的成膜宽度应小于3mm，不影响晶圆103的有效区域。优选地，所述保护膜104的成膜宽度控制在2～3mm范围内。本实施例中，所述保护膜104的成膜宽度暂选为2.5mm，当然，在其他实施例中，所述保护膜104的成膜宽度也可以是2.2mm、2.7mm等等。
另外，所述保护膜104的厚度应尽量薄。作为示例，所述保护膜104的厚度小于2.7微米。本实施例中，所述保护膜104的厚度暂选为2微米，当然，在其他实施中，所述保护膜104的厚度也可以是2.5微米、1.5微米等等。
再者，所述保护膜104的成膜时间可控，成膜时间应尽量短，缩短晶圆出产的时间。作为示例，所述保护膜104的成膜时间应控制在5～10秒范围内。
作为示例，所述保护膜104可以选择为中性透明硅酮结构胶。当然，也可以选择其他合适的成膜材料，在此不限。
对于保护膜104成膜的具体位置，可以形成于晶圆103上具有器件结构的一侧表面的边缘，这样可以不影响后续测试工作。
本实用新型还提供一种涂刷保护膜的装置，如图4所示，该装置至少包括：支撑平台201、 喷嘴202、加速固化装置203。
所述支撑平台201用于支撑并旋转晶圆103，具体地，通过真空吸附作用将所述晶圆103紧紧吸附在支撑平台201上。所述喷嘴202安装在所述晶圆103边缘的上方，用于提供保护膜104材料，保护膜104材料为流体状，其从喷嘴202流出注入到晶圆103边缘的流量范围根据实际成膜质量进行调整，注入时间为5s～10s(秒)。
通过支撑平台201来控制晶圆103的旋转速度，从而更高效地在晶圆103的边缘涂刷保护膜104，所述晶圆103的旋转速度控制在5r/s～10r/s(转/秒)范围内。
所述加速固化装置203为分别置于所述晶圆103上下边缘的两个电吹风，通过控制风的压力来控制所述保护膜104的固化速率，使流体态的保护膜104材料更快的固化成膜。
所述上面的电吹风的风嘴对准保护膜的内边缘，可以防止保护膜浆料溅到晶圆的内器件部分，下面电吹风的风嘴对准晶圆的外边缘向上吹，可以防止保护膜材料从晶圆边缘滴落。
综上所述，本实用新型晶圆保护膜，形成于所述晶圆边缘。具有以下有益效果：本新型在晶圆周边涂上一层具有一定抗拉强度,抗剪强度,及耐磨性的保护膜,从而对晶圆边缘起到保护作用，有效避免了运输途中颠簸可能导致的晶圆边缘产生裂纹或缺角,及边缘裂纹应力延伸致使的破片现象。本实用新型保护膜铺设于晶圆边缘,宽度小于3mm,不影响晶圆有效区域，并且保护膜成型于晶圆边缘上表面,不影响后续测试工序。
所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种晶圆保护膜，其特征在于，所述晶圆保护膜形成于所述晶圆的边缘。
2.根据权利要求1所述的晶圆保护膜，其特征在于：所述保护膜的成膜宽度小于3mm。
3.根据权利要求2所述的晶圆保护膜，其特征在于：所述保护膜的成膜宽度范围为2～3mm。
4.根据权利要求1所述的晶圆保护膜，其特征在于：所述保护膜的成膜厚度小于2.7微米。
5.根据权利要求1所述的晶圆保护膜，其特征在于：所述保护膜的材料为中性透明硅酮结构胶。
6.根据权利要求1所述的晶圆保护膜，其特征在于：所述保护膜形成于晶圆上具有器件结构的一侧表面的边缘。
7.一种涂刷如权利要求1所述的晶圆保护膜的装置，其特征在于，所述装置至少包括：支撑所述晶圆并使所述晶圆旋转的支撑平台、安装在晶圆边缘上方且用于提供保护膜材料的喷嘴、以及使所述保护膜固化的加速固化装置。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于：所述喷嘴中保护膜材料的注入流量范围根据实成膜质量进行调整，注入时间范围为5s～10s，晶圆转速范围为5r/s～10r/s。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于：所述加速固化装置为分别置于所述晶圆上下边缘的两个电吹风，通过控制风的压力来控制所述保护膜的固化速率。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于：所述上面的电吹风的风嘴对准保护膜的内边缘，下面电吹风的风嘴对准晶圆的外边缘。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420600605.XU CN204118056U (zh) | 2014-10-16 | 2014-10-16 | 一种晶圆保护膜及其涂刷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420600605.XU CN204118056U (zh) | 2014-10-16 | 2014-10-16 | 一种晶圆保护膜及其涂刷装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204118056U true CN204118056U (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=52335344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420600605.XU Expired - Fee Related CN204118056U (zh) | 2014-10-16 | 2014-10-16 | 一种晶圆保护膜及其涂刷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204118056U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111524823A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-08-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 设备的检测方法和测试晶圆 |
-
2014
- 2014-10-16 CN CN201420600605.XU patent/CN204118056U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111524823A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-08-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 设备的检测方法和测试晶圆 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tyona | A theoritical study on spin coating technique | |
| CA2889975C (en) | Integrated bondline spacers for wafer level packaged circuit devices | |
| CN104916556B (zh) | 芯片排列方法 | |
| EP2701188A3 (en) | A method of singulating semiconductor die from a semiconductor wafer | |
| JP2013008936A5 (ja) | 半導体装置 | |
| KR101782238B1 (ko) | 액정 스크린 유리 커팅 방법 및 장치 | |
| CN103346108A (zh) | 改善晶圆边缘光滑度的装置及方法 | |
| CN204118056U (zh) | 一种晶圆保护膜及其涂刷装置 | |
| CN203774251U (zh) | 晶圆背面清洗装置 | |
| TWI641037B (zh) | Cutting device and cutting method | |
| WO2020083394A9 (zh) | 电致发光器件、其制备方法及纳米晶墨水 | |
| CN203174197U (zh) | 一种反应腔组件 | |
| KR101289185B1 (ko) | 와이어소의 롤러 | |
| CN104549840A (zh) | 一种硼扩散源双面喷涂装置及方法 | |
| CN107316812A (zh) | 一种高温特性的半导体芯片加工工艺 | |
| US20130314659A1 (en) | Liquid crystal panel, method for injecting liquid crystal thereof and apparatus for injecting liquid crystal | |
| CN104671669B (zh) | 一种玻璃基板减薄承载装置 | |
| CN204569803U (zh) | 一种具有防静电功能的新型uv切割膜 | |
| CN103846782A (zh) | 液晶面板研磨方法 | |
| CN105702879B (zh) | 柔性显示器的制备方法 | |
| KR20160139883A (ko) | 반도체 패키지 세정 장치 | |
| CN201689876U (zh) | 半导体芯片的压合结构 | |
| CN102963622B (zh) | 一种提高单晶硅晶圆抛光片保质期的包装工艺 | |
| CN107598777A (zh) | 半导体晶圆的化学机械研磨方法及设备 | |
| CN203437361U (zh) | 涂胶显影机上盖清洗装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150121 Termination date: 20191016 |