CN204031095U - 一种低频偏的石英晶体谐振器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域，具体涉及一种低频偏的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、下表面分别设置有上电极层和下电极层，晶片本体与上电极层、下电极层之间分别设置有上镀铬层、下镀铬层，上电极层的中心和下电极层的中心位于同一竖直面上，上电极层的面积大于下电极层的面积，晶片本体的中线和上电极层的中线之间的距离为0.2-0.8mm。本实用新型采用上镀铬层和下镀铬层，镀铬层的设置使石英晶片与镀银层电极附着更牢固，不易脱落，能减少频偏，提高生产效益，且长期频率稳定性高。

Description

一种低频偏的石英晶体谐振器

技术领域

本实用新型涉及石英晶体谐振器技术领域，具体涉及一种低频偏的石英晶体谐振器。

背景技术

石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件，由于石英晶体谐振器具有频率稳定度高的特点，在电子领域一直占有比较重要的地位。信息技术产业的高速发展，更是促使了这种石英晶体谐振器的蓬勃发展。它在远程通信、移动电话系统、全球定位系统、导航、遥控、航空航天、高速计算机、精密计测器以及消费类民用电子产品中占有重要的地位。

石英晶体谐振器通常由石英晶片和银电极构成，但是，石英晶片与银电极之间附着不牢固，导致石英晶体谐振器频偏。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本实用新型的目的在于提供一种低频偏的石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器能减少频偏，提高生产效益，且长期频率稳定性高。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种低频偏的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、下表面分别设置有上电极层和下电极层，晶片本体与上电极层、下电极层之间分别设置有上镀铬层、下镀铬层，上电极层的中心和下电极层的中心位于同一竖直面上，上电极层的面积大于下电极层的面积，晶片本体的中线和上电极层的中线之间的距离为0.2-0.8mm。

其中，所述上电极层、下电极层的厚度相等，均为3000-6000埃。

其中，所述上电极层、下电极层的厚度相等，均为4500埃。

其中，所述上镀铬层、下镀铬层的厚度相等，均为40-50埃。

其中，所述上镀铬层、下镀铬层的厚度相等，均为45埃。

其中，所述上电极层的引出端与所述下电极层的引出端均位于石英晶体同侧端。

其中，所述上电极层的引出端与所述下电极层的引出端分设在石英晶体两个对应端。

其中，所述基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体分别通过第一导电胶、第二导电胶与基座粘接固定，第一导电胶涂布于第一涂覆区域的左上角，第二导电胶涂布于第二涂覆区域的右上角。

其中，所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为40-60μm；所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为10-30μm。

其中，所述晶片本体呈双凸形，晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型采用上镀铬层和下镀铬层，镀铬层的设置使石英晶片与镀银层电极附着更牢固，不易脱落，能减少频偏，提高生产效益，且长期频率稳定性高。本实用新型通过上、下电极层的不平衡设计，即面积差异，保证产品在基本波有良好的电气特性的同时晶体在三次谐波上的频率也远离产品的三倍频率，且制造过程中对被银频率的要求不高，成品测试时不需再进行三倍频率的二次测试；上电极层的中心和下电极层的中心位于同一竖直面上，保证晶体振动时的平衡。本实用新型可以针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点，产品品质稳定。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的结构示意图。

图2是本实用新型实施例一所述晶片本体的主视图。

图3是本实用新型实施例一所述晶片本体的结构示意图。

图4是本实用新型实施例二的局部结构示意图。

图5是本实用新型实施例二所述晶片本体的俯视图。

图6是本实用新型实施例二所述晶片本体的主视图。

图7是本实用新型实施例二所述晶片本体的右视图。

附图标记为：1—晶片本体、2—基座、11—上电极层、12—下电极层、131—上镀铬层、132—下镀铬层、141—第一涂覆区域、142—第二涂覆区域、151—第一导电胶、152—第二导电胶。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-7对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。

见图1-3所示为本实用新型所述一种低频偏的石英晶体谐振器的实施例一，包括基座2和固定于基座2内的晶片本体1，晶片本体1的上表面、下表面分别设置有上电极层11和下电极层12，晶片本体1与上电极层11、下电极层12之间分别设置有上镀铬层131、下镀铬层132，上电极层11的中心和下电极层12的中心位于同一竖直面上，上电极层11的面积大于下电极层12的面积，晶片本体1的中线H1和上电极层11的中线H2之间的距离H为0.2-0.8mm。上电极层11和下电极层12均为镀银电极层或其它可导电的金属电极层。

本实用新型采用上镀铬层131和下镀铬层132，镀铬层的设置使石英晶片与镀银层电极附着更牢固，不易脱落，能减少频偏，提高生产效益，且长期频率稳定性高。本实用新型通过上、下电极层12的不平衡设计，即面积差异，保证产品在基本波有良好的电气特性的同时晶体在三次谐波上的频率也远离产品的三倍频率，且制造过程中对被银频率的要求不高，成品测试时不需再进行三倍频率的二次测试；上电极层11的中心和下电极层12的中心位于同一竖直面上，保证晶体振动时的平衡。本实用新型可以针对不同规格产品设计相应的偏移量，产品的电阻集中、温度测试无跳点，产品品质稳定。

本实施例中，所述上电极层11、下电极层12的厚度相等，均为3000-6000埃。上电极层11和下电极层12厚度的设置，使晶片本体1与上电极层11、下电极层12附着更牢固，不易脱落。为使本实用新型达到最佳使用效果，所述上电极层11、下电极层12的厚度相等，均为4500埃。

本实施例中，所述上镀铬层131、下镀铬层132的厚度相等，均为40-50埃。上镀铬层131和下镀铬层132厚度的设置，使得该石英晶振的电极附着更牢靠、产品老化率良好、并能够改善现有技术中存在的 DLD 不良现象。为使本实用新型达到最佳使用效果，所述上镀铬层131、下镀铬层132的厚度相等，均为45埃。

本实施例中，所述上电极层11的引出端与所述下电极层12的引出端均位于石英晶体同侧端。

本实用新型另一较佳的实施方式为：所述上电极层11的引出端与所述下电极层12的引出端分设在石英晶体两个对应端。

本实施例中，所述基座2内设置有第一涂覆区域141和第二涂覆区域142，第一涂覆区域141设置有第一导电胶151，第二涂覆区域142设置有第二导电胶152，晶片本体1分别通过第一导电胶151、第二导电胶152与基座2粘接固定，第一导电胶151涂布于第一涂覆区域141的左上角，第二导电胶152涂布于第二涂覆区域142的右上角。

本实用新型另一较佳的实施方式为：所述第一导电胶151涂布于第一涂覆区域141的右上角，第二导电胶152涂布于第二涂覆区域142的左上角。

本实用新型另一较佳的实施方式为：所述第一导电胶151涂布于第一涂覆区域141靠近顶部的中心位置，第二导电胶152涂布于第二涂覆区域142靠近顶部的中心位置。

见图4所示为本实用新型所述一种低频偏的石英晶体谐振器的实施例二，与上述实施例一的不同之处在于：所述第一导电胶151和所述第二导电胶152的高度E均为40-60μm。优选的，所述第一导电胶151和所述第二导电胶152的高度E均为45-55μm；更为优选的，所述第一导电胶151和所述第二导电胶152的高度E均为45μm；另一优选的，所述第一导电胶151和所述第二导电胶152的高度E均为50μm；另一优选的，所述第一导电胶151和所述第二导电胶152的高度E均为55μm。该高度范围内的晶片本体1可获得稳定的阻抗。

所述晶片本体1的底面与所述第一涂覆区域141、第二涂覆区域142的顶面之间的距离F为10-30μm。优选的，所述晶片本体1的底面与所述第一涂覆区域141、第二涂覆区域142的顶面之间的距离F为15-25μm；更为优选的，所述晶片本体1的底面与所述第一涂覆区域141、第二涂覆区域142的顶面之间的距离F为15μm；另一优选的，所述晶片本体1的底面与所述第一涂覆区域141、第二涂覆区域142的顶面之间的距离F为20μm；另一优选的，所述晶片本体1的底面与所述第一涂覆区域141、第二涂覆区域142的顶面之间的距离F为25μm；该范围内的晶片本体1的电阻较低，能减少电阻不良品，提高生产效益。

见图5-7所示为本实用新型所述一种低频偏的石英晶体谐振器的实施例三，与上述实施例一的不同之处在于：所述晶片本体1呈双凸形，晶片本体1的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm。优选的，所述晶片本体1的长度A为1.08-1.02mm，宽度B为0.78-0.68mm；更为优选的，所述晶片本体1的长度A为1.08mm，宽度B为0.78mm；另一优选的，所述晶片本体1的长度A为1.05mm，宽度B为0.70mm；另一优选的，所述晶片本体1的长度A为1.02mm，宽度B为0.68mm。本实用新型所述的石英晶片能够满足石英晶体谐振器1612的要求，生产时能提高单位晶片的产出率，且能降低单位产出晶片的原材料和辅助材料的消耗，相应的生产成本较低。

上述实施例为本实用新型较佳的实现方案，除此之外，本实用新型还可以其它方式实现，在不脱离本实用新型构思的前提下任何显而易见的替换均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种低频偏的石英晶体谐振器，包括基座和固定于基座内的晶片本体，晶片本体的上表面、下表面分别设置有上电极层和下电极层，其特征在于：晶片本体与上电极层、下电极层之间分别设置有上镀铬层、下镀铬层，上电极层的中心和下电极层的中心位于同一竖直面上，上电极层的面积大于下电极层的面积，晶片本体的中线和上电极层的中线之间的距离为0.2-0.8mm。

2.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极层、下电极层的厚度相等，均为3000-6000埃。

3.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极层、下电极层的厚度相等，均为4500埃。

4.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上镀铬层、下镀铬层的厚度相等，均为40-50埃。

5.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上镀铬层、下镀铬层的厚度相等，均为45埃。

6.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极层的引出端与所述下电极层的引出端均位于石英晶体同侧端。

7.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述上电极层的引出端与所述下电极层的引出端分设在石英晶体两个对应端。

8.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述基座内设置有第一涂覆区域和第二涂覆区域，第一涂覆区域设置有第一导电胶，第二涂覆区域设置有第二导电胶，晶片本体分别通过第一导电胶、第二导电胶与基座粘接固定，第一导电胶涂布于第一涂覆区域的左上角，第二导电胶涂布于第二涂覆区域的右上角。

9.根据权利要求8所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述第一导电胶和所述第二导电胶的高度均为40-60μm；所述晶片本体的底面与所述第一涂覆区域、第二涂覆区域的顶面之间的距离为10-30μm。

10.根据权利要求1所述的一种低频偏的石英晶体谐振器，其特征在于：所述晶片本体呈双凸形，晶片本体的长度为1.1-1.0mm，宽度为0.8-0.65mm。