CN204014056U - 一种mems麦克风 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000013707 sensory perception of sound Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种MEMS麦克风，包括：基底，所述基底设置有贯穿所述基底的声腔；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基底正面，且位于所述声腔四周；振膜，所述振膜设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述振膜与所述第一绝缘层相对区域的表面；背极，所述背极设置在所述第二绝缘层的表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对的区域，所述背极与所述振膜不接触；振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有多个间隔分布的环状纹膜凹槽。所述MEMS麦克风的振膜与背极之间的声压均匀。
Description
技术领域
本实用新型涉及麦克风技术领域，更具体地说，涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
近年来，利用MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System，简称MEMS)工艺集成的MEMS麦克风由于具有封装体积小、可靠性高、成本低等优点，本广泛应用于手机、平板电脑、相机、助听器、智能玩具以及监听装置等电子产品中。
MEMS麦克风在声腔的一个开口处设置有相对设置的振膜和背极。所述振膜和背极之间具有间距，所述振膜与背极形成检测电容。不同强度的声音振动导致所述振膜与所述背极之间的声压不同，从而导致所述振膜发生不同程度的振动，进而使得所述检测电容改变，通过声音控制芯片感知所述检测电容的变化，从而实现将声音信号转换为电信号，实现对声音信号的探测。
现有的MEMS麦克风会由于振膜四周与中间振动幅度不同，会导致其与背极之间的声压不均匀，从而影响MEMS麦克风将声音信号转换为电信号的性能。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种MEMS麦克风，所述MEMS麦克风背极与振膜之间的声压均匀性好，将声音信号转换为电信号的性能较好。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种MEMS麦克风，该MEMS麦克风包括：
基底，所述基底设置有贯穿所述基底的声腔；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基底正面，且位于所述声腔四周；
振膜，所述振膜设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域；
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述振膜与所述第一绝缘层相对区域的表面；
背极，所述背极设置在所述第二绝缘层的表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对的区域，所述背极与所述振膜不接触；
其中，所述振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有多个间隔分布的环状纹膜凹槽。
优选的，在上述MEMS麦克风中，所述背极的背面与所述环状纹膜凹槽相对的区域设置有环状凸起。
优选的，在上述MEMS麦克风中，所述背极的正面与所述环状凸起相对的区域设置有环状凹槽。
优选的，在上述MEMS麦克风中，所述加强筋是设置在所述振膜正面的振膜凹槽，所述振膜凹槽的延伸方向平行于所述振动区域径向。
优选的，在上述MEMS麦克风中，还包括：
设置在所述振膜的背面与所述振膜凹槽相对的振膜凸起。
优选的，在上述MEMS麦克风中，还包括：
设置在所述背极背面与所述振膜凹槽相对的背极凸起。
优选的，在上述MEMS麦克风中，还包括：
设置在所述背极正面与所述背极凸起相对的背极凹槽。
优选的，在上述MEMS麦克风中，所述加强筋是设置在所述振膜正面的振膜凸起，所述振膜凸起的延伸方向平行于所述振动区域径向。
优选的，在上述MEMS麦克风中，还包括：
设置在所述振膜背面与所述振膜凸起相对的振膜凹槽。
优选的，在上述MEMS麦克风中，还包括：
设置在所述背极背面与所述振膜凸起相对的凹槽；
设置在所述背极正面与所述背极背面的凹槽相对的凸起。
从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的MEMS麦克风包括：基底，所述基底设置有贯穿所述基底的声腔；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基底正面，且位于所述声腔四周；振膜，所述振膜设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述振膜与所述第一绝缘层相对区域的表面；背极，所述背极设置在所述第二绝缘层的表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对的区域，所述背极与所述振膜不接触；其中，所述振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有多个间隔分布的环状纹膜凹槽。所述MEMS麦克风通过在所述振膜上设置加强筋使得所述振膜与所述背极之间的声压更加均匀，保证了MEMS麦克风将声音信号转换为电信号的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种MEMS麦克风的结构示意图；
图2为图1所示MEMS麦克风的俯视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
正如背景技术中所述，现有的MEMS麦克风会由于振膜四周与中间振动幅度不同，会导致其与背极之间的声压不均匀，从而影响MEMS麦克风将声音信号转换为电信号的性能。
发明人研究发现，可以通过在所述振膜的中间区域设置与所述振膜径向平行的加强筋结构均衡所述振膜振动时的张力，从而可以使得其在振动时振动幅度均匀性好，从而保证振膜与背极之间的声压均匀，保证MEMS麦克风将声音信号转换为电信号的性能。
基于上述研究，本申请实施例提供了一种MEMS麦克风，参考图1，图1为本申请实施例提供的一种MEMS麦克风的结构示意图，所述MEMS麦克风包括：基底1、第一绝缘层2、振膜3、第二绝缘层4以及背极5。
本申请实施例所述MEMS麦克风还包括：贯穿所述背极5的贯穿孔，所述贯穿孔用于平衡所述背极5与所述振膜3之间空间的声压，便于所述振膜3震动。需要说明的是，本实施例附图中并未示出所述贯穿孔，所述贯穿孔在所述背极5上的设置位置与个数可以根据需求设定，在此不做限定。
所述基底1设置有贯穿所述基底1的声腔6。所述基底1可以为硅晶圆衬底，可以通过刻蚀或是激光打孔等方式在所述基底1上形成所述声腔6。
所述第一绝缘层2设置在所述基底1的正面，且位于所述声腔6的四周。所述第一绝缘层可以为二氧化硅层或是氮化硅层。
所述振膜3设置在所述第一绝缘层2表面，且覆盖与所述声腔6相对的区域。所述振膜的振动区域包括加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域。其中，所述振动区域为所述振膜与所述声腔6相对的区域，由于所述声腔6为圆柱形通孔，故所述振动区域为圆形。
参考图2，图2为图1所示MEMS麦克风的俯视图，所述纹膜区域设置有多个间隔分布的环状纹膜凹槽。即所述振膜振动区域的正面的四周设置有多个间隔分布的圆环形凹槽。
由于所述振膜四周区域固定在所述第一绝缘层上，所述振动区域悬空，导致振动区域的四周部分与中间部分受到的张力不均匀，这会导致四周受到的张力较大，当其振动时，中间部分的振动幅度大于四周部分，从而使得振膜3与背极5之间的声压不均匀。
通过设置所述环状纹膜凹槽7，能够分散所述振膜3靠近所述第一绝缘层2区域的张力，使得振动区域四周部分的振动幅度靠近其中间部分的振动幅度。为了避免所述振膜3在设置纹膜凹槽时破裂，在所述振膜3背面与所述环状纹膜凹槽7相对的设置有环状凸起8。
所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋9。所述加强筋均用于进一步使得所述振膜3与所述背极5之间的声压均匀。
通过设置与所述振动区域径向平行的加强筋9，当所述振膜3振动时，所述加强筋9能够分散振动方向上的张力，降低振膜3中间部分的振动幅度，使得其中间部分与四周部分的振动幅度相同或相近，进而使得振膜3与背极5之间具有均匀的电压，即使得二者之间的声压均匀(测试二者之间的声压是通过测量二者之间的检测电容实现的，故振膜3振动幅度均匀时，二者之间间距均匀，会使得检测电容均匀，进而使得与检测电容对应的声压均匀)。在本实施例中，所述加强筋9的与所述振动区域的径向平行，且其延伸方向通过所述振动区域的圆心，这样所述加强筋9能够更好的均衡所述振膜3受到的张力，使得振膜与背极之间的声压更加均匀。
所述第二绝缘层4设置在所述振膜3与所述第一绝缘层2相对的区域表面。所述第二绝缘层4同样可以是二氧化硅层或是氮化硅层。
所述背极5设置在所述第二绝缘层4的表面，且覆盖所述振膜3与所述声腔6相对的区域，所述背极5与所述振膜3不接触。
为了使得所述背极5与所述振膜3在振动方向(垂直于振膜的方向)上各处间距相同或相近，使得二者之间的检测电容均匀，保证声压的均匀，所述背极的背面与所述环状纹膜凹槽7相对的区域设置有环状凸起10。所述背极5正面与所述环状凸起10相对的区域设置有环状凹槽11，通过设置所述环状凹槽11，避免由于设置所述环状凸起10导致所述背极5易断裂的问题。
在图1所示实施方式中，所述加强筋9是设置在所述振膜3正面的振膜凹槽，所述振膜凹槽的延伸方向平行于所述声腔的径向。为了避免由于设置所述振膜凹槽导致的所述振膜3的均布厚度不均匀，避免其断裂，所述MEMS麦克风还包括：设置在所述振膜3的背面与所述振膜凹槽相对的振膜凸起12。
当所述加强筋9为设置在所述振膜3正面的振膜凹槽时，为了避免由于所述振膜凹槽导致的振膜3与背极之间的间距增大，所述MEMS麦克风还包括：设置在所述背极5背面与所述振膜凹槽相对的背极凸起13，为了避免由于设置所述背极凸起13导致的所述背极5厚度增大，避免背极5的应力分布不均匀，所述MEMS麦克风还包括：设置在所述背极5正面与所述背极凸起13相对设置的背极凹槽14。
图1所示实施方式所述加强筋9为设置在所述振膜5正面的凹槽结构，在其他实施方式中，所述加强筋还可以是设置在所述膜正面的振膜凸起，所述振膜凸起的延伸方向平行于所述振动区域径向。为了防止由于设置所述振膜凸起导致的所述振膜局部厚度增大，导致振膜的张力分布不均匀，此时，所述MEMS麦克风还包括：设置在所述振膜背面与所述振膜凸起相对设置的振膜凹槽，所述振膜凹槽的延伸方向平行于所述振动区域径向。
当所述加强筋9为振膜凸起时，所述背极背面与所述振膜凸起相对的位置设置有凹槽，以使得振膜3与背极5之间的间距均匀性好，进而使得二者之间的声压均匀。当所述背极5背面设置有凹槽时，为了使得所述背极5的厚度均匀，所述MEMS麦克风还包括：设置在所述背极5正面与所述背极5背面的凹槽相对的凸起。
通过上述描述可知，本申请实施例所述的MEMS麦克风，能够使得振膜振动幅度均匀性好，进而使得其与背极之间的间距均匀性好，使得二者之间的检测电容均匀性好，进而保证了声压的均匀性，保证了MEMS麦克风将声音信号转换为电信好的性能。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括：
基底，所述基底设置有贯穿所述基底的声腔；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基底正面，且位于所述声腔四周；
振膜，所述振膜设置在所述第一绝缘层表面，且覆盖与所述声腔相对的区域；
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述振膜与所述第一绝缘层相对区域的表面；
背极，所述背极设置在所述第二绝缘层的表面，且覆盖所述振膜与所述声腔相对的区域，所述背极与所述振膜不接触；
其中，所述振膜的振动区域包括：加强筋区域以及包围所述加强筋区域的纹膜区域；所述加强筋区域设置有与所述振动区域径向平行的加强筋；所述纹膜区域设置有多个间隔分布的环状纹膜凹槽。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述背极的背面与所述环状纹膜凹槽相对的区域设置有环状凸起。
3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述背极的正面与所述环状凸起相对的区域设置有环状凹槽。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述加强筋是设置在所述振膜正面的振膜凹槽，所述振膜凹槽的延伸方向平行于所述振动区域径向。
5.根据权利要求4所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：
设置在所述振膜的背面与所述振膜凹槽相对的振膜凸起。
6.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：
设置在所述背极背面与所述振膜凹槽相对的背极凸起。
7.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：
设置在所述背极正面与所述背极凸起相对的背极凹槽。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述加强筋是设置在所述振膜正面的振膜凸起，所述振膜凸起的延伸方向平行于所述振动区域径向。
9.根据权利要求8所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：
设置在所述振膜背面与所述振膜凸起相对的振膜凹槽。
10.根据权利要求9所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：
设置在所述背极背面与所述振膜凸起相对的凹槽；
设置在所述背极正面与所述背极背面的凹槽相对的凸起。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420430271.6U CN204014056U (zh) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 一种mems麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420430271.6U CN204014056U (zh) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 一种mems麦克风 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204014056U true CN204014056U (zh) | 2014-12-10 |
Family
ID=52053991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420430271.6U Active CN204014056U (zh) | 2014-07-31 | 2014-07-31 | 一种mems麦克风 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN204014056U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107529121A (zh) * | 2017-09-28 | 2017-12-29 | 歌尔股份有限公司 | 电容式麦克风及电子装置 |
| CN107682797A (zh) * | 2015-05-15 | 2018-02-09 | 风起科技股份有限公司 | 具侧边空腔的微型集音器及cmos麦克风单晶片 |
| CN108430007A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-08-21 | 周代军 | 一种电容话筒振膜和话筒及生产方法 |
-
2014
- 2014-07-31 CN CN201420430271.6U patent/CN204014056U/zh active Active
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107682797A (zh) * | 2015-05-15 | 2018-02-09 | 风起科技股份有限公司 | 具侧边空腔的微型集音器及cmos麦克风单晶片 |
| CN107682797B (zh) * | 2015-05-15 | 2020-02-07 | 风起科技股份有限公司 | 具侧边空腔的微型集音器及cmos麦克风单晶片 |
| CN107529121A (zh) * | 2017-09-28 | 2017-12-29 | 歌尔股份有限公司 | 电容式麦克风及电子装置 |
| WO2019061618A1 (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-04 | 歌尔股份有限公司 | 电容式麦克风及电子装置 |
| US10932064B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-02-23 | Weifang Goertek Microelectronics Co., Ltd | Condenser microphone and electronic device |
| EP3691294A4 (en) * | 2017-09-28 | 2021-08-04 | Weifang Goertek Microelectronics Co., Ltd. | CONDENSER MICROPHONE AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN108430007A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-08-21 | 周代军 | 一种电容话筒振膜和话筒及生产方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee after: Goertek Inc. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: Goertek Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200615 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: GOERTEK Inc. |