CN203941540U - 一种clf芯片接口电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种CLF芯片接口电路,包括输入整形模块,输出负载调制模块,电流采样模块和输出整形模块;所述输入整形模块的输入端用于连接CLF芯片输出的电压调制信号,所述输出负载调制模块的输入端与所述输入整形模块的输出端连接,所述输出负载调制模块的输出端用于与UICC芯片的C6引脚连接;所述电流采样模块的输入端与UICC芯片的C6引脚相连;所述输出整形模块的输入端连接至所述电流采样模块的输出端,所述输出整形模块的输出端用于输出电流调制信号给CLF芯片。本实用新型能够通过电流采样技术实现CLF芯片接口电路的功能,正确的发送给SWP协议中UICC芯片电压信号S1,同时也能正确接收UICC芯片电流信号S2,从而实现全双工通信。
Description
技术领域
本实用新型属于CLF芯片领域,更具体地,涉及一种NFC系统中实现基于SWP协议的CLF芯片与NFC SIM卡芯片之间通信的接口电路。
背景技术
NFC(Near Field Communication)是一种用于电子设备间近距离无线通信的新兴技术,需要将CLF芯片与SIM卡芯片进行连接。SIM卡的8个引脚中,有5个是日常与手机通信的常规引脚,剩下的三个引脚中,C4与C8被国际标准组织扩展为新一代SIM卡的高速接口。因而C6引脚被用来连接CLF芯片与SIM卡芯片,通过SWP(Single Wire Protocol)协议来实现它们之间连接。
SWP协议是Gemalto公司提出的基于SIM卡C6引脚的专利,CLF与UICC芯片的之间通过三根线连接:Vcc(C1端口)、SWIO(C6端口)、Gnd(C5端口),其中SWIO信号线采用电压和电流的传输来实现CLF模块和SIM卡芯片的全双工通信,如图1所示。
如图2所示为SWP协议中定义信号传输的示意图,其中定义了S1和S2两个方向的信号,SWP单线协议的原理是基于全双工通信传输,S1定义为电压调制信号,S2为电流调制信号。
当CLF的S1信号为L时,S2信号是无效的;只有当CLF的S1信号为H时,S2信号才有效,这时SIM卡通过高电流(H)或者低电流(L)状态代表传输的S2信号的高低电平如图3所示。
CLF芯片接口电路已采用的技术有差分电路放大技术和基准比较技术,但由于差分电路放大技术需要设计复杂的放大器,基准比较技术需要设计基准电路和比较电路,增加了电路设计复杂度和功耗。
实用新型内容
针对现有技术的缺陷,本实用新型的目的在于基于电流采样技术实现CLF芯片接口电路,降低了电路复杂度,同时也减少了面积和功耗。
本实用新型提供了一种CLF芯片接口电路,包括输入整形模块,输出负载调制模块,电流采样模块和输出整形模块;所述输入整形模块的输入端用于连接CLF芯片输出的电压调制信号,所述输出负载调制模块的输入端与所述输入整形模块的输出端连接,所述输出负载调制模块的输出端用于与UICC芯片的C6引脚连接;所述电流采样模块的输入端与UICC芯片的C6引脚相连;所述输出整形模块的输入端连接至所述电流采样模块的输出端,所述输出整形模块的输出端用于输出电流调制信号给CLF芯片。
其中,所述负载调制模块包括反相器I3、PMOS管MP1和NMOS管MN1;所述MP1的源极连接电源VCC,所述MP1的栅极与所述MN1的栅极连接后与所述反相器I3的输出端连接;所述MN1的源极接地,所述MN1的漏极与所述MP1的漏极连接后作为所述负载调制模块的输出端;所述反相器I3的输入端作为所述负载调制模块的输入端。
其中,电流采样模块包括开关管、比例管、放大器和采样输出电路;所述开关管的第一端连接UICC芯片的C6引脚,所述开关管的第二端连接Y点,所述开关管的控制端连接点;所述比例管连接所述放大器的X点和Y点;所述采样输出电路连接所述放大器的X点和Y点;其中X点为放大器的第一输入端、Y点为放大器的第二输入端、点为负载调制模块中反相器I3的输出端。
其中,所述开关管为PMOS管MP2,所述MP2的源极作为所述开关管的第一端,所述MP2的漏极作为所述开关管的第二端,所述MP2的栅极作为所述开关管的控制端。
其中,所述比例管包括PMOS管MP3和PMOS管MP4;所述MP3的源极与所述MP4的源极均连接电源VCC,所述MP3的栅极连接至Q点,所述MP3的漏极连接Y点,所述MP4的栅极接地,所述MP4的漏极连接X点;其中Q点为所述输入整形模块的输出端。
其中,所述MP1、MP3和MP4的宽长比为M:1∶1;其中(W/L)1、(W/L)3、(W/L)4分别为MP1、MP3、MP4宽长比,M取值为大于1的整数。
其中,所述放大器包括PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN2和NMOS管MN3;所述MP5的源极连接至Y点,所述MP5的漏极与所述MN2的漏极连接,所述MN2的源极接地;所述MP6的源极连接至X点,所述MP6的漏极连接至所述MN3的漏极,所述MP6的漏极还与其栅极连接;所述MN3的源极接地;所述MP6的栅极与所述MP5的栅极连接,所述MN2的栅极与所述MN3的栅极连接。
其中,所述采样输出电路包括PMOS管MP7、PMOS管MP8和电阻R;所述MP7的源极连接至X点,所述MP7的栅极连接至所述MP5与所述MN2的连接端;所述MP7的漏极通过所述电阻R接地;所述MP8的栅极连接至所述MP6的漏极,所述MP8的源极连接至Y点,所述MP8的漏极连接至MP7的漏极后作为采样输出电路的输出端。
本实用新型能够通过电流采样技术实现CLF芯片接口电路的功能,正确的发送给SWP协议中UICC芯片电压信号S1,同时也能正确接收UICC芯片电流信号S2,从而实现全双工通信;电路结构简单,功耗低。
附图说明
图1是SWP协议中基于C6引脚的CLF-UICC连接方案示意图;
图2是SWP协议中定义信号传输的示意图;
图3是SWP协议中S1、S2信号的时序图;
图4是本实用新型的基于电流采样结构的电路模块连接示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型解决的问题是设计了一种CLF芯片接口电路,正确的发送给SWP协议中UICC芯片电压信号S1,同时也能正确接收UICC芯片电流信号S2,从而实现全双工通信。
为解决上述技术问题,本实用新型的CLF芯片接口电路,如图4所示,包括:输入整形模块1与CLF芯片输出端相连,由反相器I1和反相器I2级联组成;输出负载调制模块2连接在输入整形模块1和UICC芯片C6之间,由反相器I3、PMOS管MP1和NMOS管MN1组成,其中MP1、MP2栅极与点相连,MP1源极和漏极分别与电源VCC和C6相连,MP2源极和漏极分别与地和C6相连;电流采样模块3与UICC芯片C6相连;输出整形模块4连接在电流采样模块3和CLF芯片输入端之间,由反相器I4和反相器I5级联组成。
电流采样模块中,通过电流镜像成比例采样MP1漏电流,PMOS管MP1、MP3、MP4尺寸比例为M:1∶1,减少了晶体管和电阻的使用,降低了功耗。其中MP3栅极与Q点相连,MP3源极和漏极分别与电源VCC和Y点相连;MP4栅极与地相连,MP4源极和漏极分别与电源VCC和X点相连;PMOS管MP2作为开关管使用,MP2栅极与点相连,MP2源极和漏极分别与C6口和Y点相连;PMOS管MP5、MP6和NMOS管MN2、MN3组成放大器,MP5栅极与MP6栅极相连,MP5源极和漏极分别与Y点和MN2漏极相连,MP6源极和漏极分别与X点和MP6栅极相连;MN2栅极与MN3栅极相连,MN2源极和漏极分别与地和MP5漏极相连,MN3源极和漏极分别与地和MP6漏极相连;采样输出电路由PMOS管MP7和电阻R组成,MP7栅极与MP5漏极相连,MP7源极与漏极分别与X点和R电阻相连;电阻R一端与MP7漏极相连,另一端与地相连。
PMOS管MP8额外提供了一条补偿支路,从而提高了整个的电流采样精度,MP8栅极与PMOS管MP6漏极相连,MP8的源极与漏极分别于Y点和电阻R相连。
如图4所示,1为输入整形模块,由反相器I1和反相器I2级联组成。CLF芯片输出电压信号S1经过1输入整形,输出电压信号Q,Q电平状态与S1信号同相。2为负载调制模块,由反相器I3、PMOS管MP1和NMOS管MN1组成。I3输出电压信号,电平状态与Q反相。当Q为高电平时,为低电平,MP1导通,电流信号S2流通至UICC芯片,其中S2高电流状态定义为600μA~1000μA,低电流状态定义为0~20μA;当Q为低电平时,为高电平,MP1不导通,S2信号无效。
电流采样技术是一种常用的检测电流信号的方法,在众多的电流采样技术中,电流镜像技术是一种低功耗高精度的电流采样方法。3为电流采样模块,是本实用新型核心电路,由开关管31、比例管32、放大器33和采样输出电路34组成。开关管31可以由PMOS管MP2构成。比例管32可以由PMOS管MP3、MP4组成,为了成比例采样MP1漏电流,MP1、MP3和MP4的宽长比设为M:1∶1。放大器33可以由PMOS管MP5、MP6和NMOS管MN2、MN3组成,并且输入端Y点和X点分别与MP3和MP4的漏端相连。采样输出电路34可以由PMOS管MP7、MP8和电阻R组成。
上述模块中开关管31可以由具有控制导通功能的NMOS管来实现;放大器33可以由具有双端输入的其它放大器结构来实现。
电路的工作过程为:当S1(Q)为高电平时,MP3不导通,MP2导通,MP1与MP4组成电流镜电路,放大器33保证X点与Y点电压相等,从而使MP1和MP4漏端电压相等,实现两管相匹配,那么电流比例可以精确为其中IMP1、IMP4分别为MP1、MP4漏电流,(W/L)1、(W/L)4分别为MP1、MP4宽长比。这时电路处于采样状态,由于放大器损耗一部分静态电流Ib,MP8额外提供了一条电流补偿支路,由电流关系可以得到的Isense如式(1)所示;若没有补偿支路,Isense如式(2)所示,因此MP8补偿结构进一步提高了电流采样的精度。
其中Isense为实际采样电流,IL为被采样电流,Ib为放大器静态电流。MP7、MP8与电阻R组成采样输出电路,其中Vsense=Isense·R,Vsense为采样输出电压。当S1(Q)为低电平时,MP3导通,MP2不导通,MP3与MP4组成电流镜电路,迫使Y点与X点也能保持高电平,防止下一个周期S1为高电平时Y点重新建立,提高了整个电路的采样速度。4为输出整形电路,由反相器I4和反相器I5级联组成,将采样的Vsense量化为数字电平S′2输入到CLF输入端口。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种CLF芯片接口电路,其特征在于,包括输入整形模块(1),输出负载调制模块(2),电流采样模块(3)和输出整形模块(4);
所述输入整形模块(1)的输入端连接CLF芯片输出的电压调制信号,所述输出负载调制模块(2)的输入端与所述输入整形模块(1)的输出端连接,所述输出负载调制模块(2)的输出端与UICC芯片的C6引脚连接;所述电流采样模块(3)的输入端与UICC芯片的C6引脚相连;所述输出整形模块(4)的输入端连接至所述电流采样模块(3)的输出端,所述输出整形模块(4)的输出端输出电流调制信号给CLF芯片。
2.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述负载调制模块(2)包括反相器I3、PMOS管MP1和NMOS管MN1;
所述MP1的源极连接电源VCC,所述MP1的栅极与所述MN1的栅极连接后与所述反相器I3的输出端连接;所述MN1的源极接地,所述MN1的漏极与所述MP1的漏极连接后作为所述负载调制模块(2)的输出端;所述反相器I3的输入端作为所述负载调制模块(2)的输入端。
3.如权利要求1所述的接口电路,其特征在于,所述电流采样模块(3)包括开关管(31)、比例管(32)、放大器(33)和采样输出电路(34);
所述开关管(31)的第一端连接UICC芯片的C6引脚,所述开关管(31)的第二端连接Y点,所述开关管(31)的控制端连接点;所述比例管(32)连接所述放大器(33)的X点和Y点;所述采样输出电路(34)连接所述放大器(33)的X点和Y点;
其中X点为放大器(33)的第一输入端、Y点为放大器(33)的第二输入端、点为负载调制模块(2)中反相器I3的输出端。
4.如权利要求3所述的接口电路,其特征在于,所述开关管(31)为PMOS管MP2,所述MP2的源极作为所述开关管(31)的第一端,所述MP2的漏极作为所述开关管(31)的第二端,所述MP2的栅极作为所述开关管(31)的控制端。
5.如权利要求3或4所述的接口电路,其特征在于,所述比例管(32)包括PMOS管MP3和PMOS管MP4;所述MP3的源极与所述MP4的源极均连接电源VCC,所述MP3的栅极连接至Q点,所述MP3的漏极连接Y点,所述MP4的栅极接地,所述MP4的漏极连接X点;其中Q点为所述输入整形模块(1)的输出端。
6.如权利要求5所述的接口电路,其特征在于,所述MP1、MP3和MP4的宽长比设为M:1∶1;其中(W/L)1、(W/L)3、(W/L)4分别为MP1、MP3、MP4宽长比,M取值为大于1的整数。
7.如权利要求4所述的接口电路,其特征在于,所述放大器(33)包括PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN2和NMOS管MN3;
所述MP5的源极连接至Y点,所述MP5的漏极与所述MN2的漏极连接,所述MN2的源极接地;
所述MP6的源极连接至X点,所述MP6的漏极连接至所述MN3的漏极,所述MP6的漏极还与其栅极连接;所述MN3的源极接地;所述MP6的栅极与所述MP5的栅极连接,所述MN2的栅极与所述MN3的栅极连接。
8.如权利要求7所述的接口电路,其特征在于,所述采样输出电路(34)包括PMOS管MP7、PMOS管MP8和电阻R;
所述MP7的源极连接至X点,所述MP7的栅极连接至所述MP5与所述MN2的连接端;所述MP7的漏极通过所述电阻R接地;所述MP8的栅极连接至所述MP6的漏极,所述MP8的源极连接至Y点,所述MP8的漏极连接至MP7的漏极后作为采样输出电路(34)的输出端。
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GR01 | Patent grant | ||
AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20141112 Effective date of abandoning: 20161005 |
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