CN203871334U - 晶圆级图像传感模块的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种晶圆级图像传感模块的封装结构，包括图像传感芯片、透明盖板，透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，此第一支撑围堰层与透明盖板接触，此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，所述第二支撑围堰层内侧面若干个连续排列的缺口，支撑围堰与图像传感芯片接触的表面均匀设有若干凹孔。本实用新型防止胶水扩散，同时与玻璃接错的围堰部分，可以保证原来的宽度，在不减少支撑围堰宽度保图像传感器件封装结合力的前提下，流动的部分聚集到缺口中，防止了胶水扩散，可靠性增加同时进一步减少了器件体积。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆级图像传感模块的封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术
图像传感器已被广泛地应用于诸如数字相机、相机电话等的数字装置中。图像传感器模块可包括用于将图像信息转换为电信息的图像传感器。具体地讲，图像传感器可包括能够将光子转换成电子以显示和存储图像的半导体器件。图像传感器的示例包括电荷耦合器件（CCD）、互补金属氧化硅（CMOS）图像传感器（CIS）等。
现有图像传感器中围堰边缘与感应芯片感光区都需要保留一定的距离，防止在玻璃滚胶、压合的过程中，胶体溢到感应芯片感光区，影响成像品质。由于溢胶的限制，围堰的宽度纯在比较大的局限性，直接影响到CIS产品的可靠性，容易出现分层的问题。
发明内容
本实用新型目的是提供一种晶圆级图像传感模块的封装结构，该晶圆级图像传感模块的封装结构防止胶水扩散，同时与玻璃接错的围堰部分，可以保证原来的宽度，在不减少支撑围堰宽度保图像传感器件封装结合力的前提下，流动的部分聚集到缺口中，防止了胶水扩散，可靠性增加同时进一步减少了器件体积。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种晶圆级图像传感模块的封装结构，包括图像传感芯片、透明盖板，此图像传感芯片的上表面具有感光区，所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，所述图像传感芯片下表面和盲孔侧表面具有钝化层，此盲孔底部具有图像传感芯片的引脚焊盘，所述钝化层与图像传感芯片相背的表面具有金属导电图形层，一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面，此防焊层上开有若干个通孔，一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接，所述支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，此第一支撑围堰层与透明盖板接触，此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，所述第二支撑围堰层内侧面具有若干个连续排列的V形缺口，所述第二支撑围堰层四个拐角处均设有弧形缺口，所述支撑围堰与图像传感芯片接触的表面均匀设有若干凹孔。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述支撑围堰厚度为20~50微米。
2. 上述方案中，所述支撑围堰宽度为200~300微米，所述凹孔的直径为5~10微米。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：
本实用新型半导体器件晶圆级封装结构，其透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，第二支撑围堰层内侧面具有若干个连续排列的V形缺口，第二支撑围堰层四个拐角处均设有弧形缺口，支撑围堰与图像传感芯片接触的表面均匀设有若干凹孔，与透明盖板接触的第一支撑围堰层采取光滑设计，胶水在键合的过程中，缺口部位可以有效的聚集溢出的胶水，防止胶水扩散，同时与玻璃接错的围堰部分，可以保证原来的宽度，在不减少支撑围堰宽度保图像传感器件封装结合力的前提下，流动的部分聚集到缺口中，防止了胶水扩散，可靠性增加同时进一步减少了器件体积。
附图说明
附图1为本实用新型晶圆级图像传感模块的封装结构结构示意图；
附图2为本实用新型封装结构中支撑围堰结构示意图。
以上附图中：1、图像传感芯片；2、透明盖板；3、感光区；4、支撑围堰；41、第一支撑围堰层；42、第二支撑围堰层；5、胶水层；6、盲孔；7、钝化层；8、引脚焊盘；9、金属导电图形层；10、防焊层；11、通孔；12、焊球；13、空腔；14、V形缺口；15、弧形缺口；16、凹孔。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例：一种晶圆级图像传感模块的封装结构，包括图像传感芯片1、透明盖板2，此图像传感芯片1的上表面具有感光区3，所述透明盖板2边缘和图像传感芯片1的上表面边缘之间具有支撑围堰4从而在透明盖板2和图像传感芯片1之间形成空腔13，此支撑围堰4与图像传感芯片1之间通过胶水层5粘合，图像传感芯片1下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔6，所述图像传感芯片1下表面和盲孔6侧表面具有钝化层7，此盲孔6底部具有图像传感芯片1的引脚焊盘8，所述钝化层7与图像传感芯片1相背的表面具有金属导电图形层9，一防焊层10位于金属导电图形层9与钝化层7相背的表面，此防焊层10上开有若干个通孔11，一焊球12通过所述通孔11与金属导电图形层9电连接，所述支撑围堰4由上下叠放的第一支撑围堰层41和第二支撑围堰层42组成，此第一支撑围堰层41与透明盖板2接触，此第二支撑围堰层42与图像传感芯片1接触，所述第二支撑围堰层42内侧面具有若干个连续排列的V形缺口14，所述第二支撑围堰层42四个拐角处均设有弧形缺口15，所述支撑围堰4与图像传感芯片1接触的表面均匀设有若干凹孔16。
上述支撑围堰4厚度20微米或者35微米或者45微米。
上述支撑围堰4宽度为220微米或者260微米或者300微米，所述凹孔16的直径为6微米或者8微米或者10微米。
采用上述半导体器件晶圆级封装结构时，其防止胶水扩散，同时与玻璃接错的围堰部分，可以保证原来的宽度，在不减少支撑围堰宽度保图像传感器件封装结合力的前提下，流动的部分聚集到缺口中，防止了胶水扩散，可靠性增加同时进一步减少了器件体积。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种晶圆级图像传感模块的封装结构，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、透明盖板（2），此图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（3），所述透明盖板（2）边缘和图像传感芯片（1）的上表面边缘之间具有支撑围堰（4）从而在透明盖板（2）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（13），此支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）之间通过胶水层（5）粘合，图像传感芯片（1）下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（6），所述图像传感芯片（1）下表面和盲孔（6）侧表面具有钝化层（7），此盲孔（6）底部具有图像传感芯片（1）的引脚焊盘（8），所述钝化层（7）与图像传感芯片（1）相背的表面具有金属导电图形层（9），一防焊层（10）位于金属导电图形层（9）与钝化层（7）相背的表面，此防焊层（10）上开有若干个通孔（11），一焊球（12）通过所述通孔（11）与金属导电图形层（9）电连接，所述支撑围堰（4）由上下叠放的第一支撑围堰层（41）和第二支撑围堰层（42）组成，此第一支撑围堰层（41）与透明盖板（2）接触，此第二支撑围堰层（42）与图像传感芯片（1）接触，所述第二支撑围堰层（42）内侧面具有若干个连续排列的V形缺口（14），所述第二支撑围堰层（42）四个拐角处均设有弧形缺口（15），所述支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）接触的表面均匀设有若干凹孔（16）。
2. 根据权利要求1所述的晶圆级图像传感模块的封装结构，其特征在于：所述支撑围堰（4）厚度为20~50微米。
3. 根据权利要求1所述的晶圆级图像传感模块的封装结构，其特征在于：所述支撑围堰（4）宽度为200~300微米，所述凹孔（16）的直径为5~10微米。
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Cited By (2)
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