CN203859125U - 一种抗pid的晶体硅太阳能电池组件 - Google Patents

一种抗pid的晶体硅太阳能电池组件 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，包括晶体硅太阳能电池(3)，晶体硅太阳能电池(3)的正面设有高体积电阻率透射膜（2），高体积电阻率透射膜（2）的上面设有钢化玻璃层（1）；所述晶体硅太阳能电池(3)的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层（4），隔紫外线型EVA胶膜层（4）下面设有背板材料层（5）。本实用新型既可以解决晶体硅太阳能电池组件的电势诱导衰减问题，又最大限度地提高晶体硅太阳能电池组件的光电转化效率，同时，可以有效地保护太阳能电池组件的背板材料。

Description

一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件
技术领域
本实用新型涉及一种抗PID（即抗电势诱导衰减）的晶体硅太阳能电池组件，包括：单晶硅与多晶硅太阳能电池组件，属于太阳能光伏技术领域。
背景技术
目前国内外晶体硅太阳能电池组件常用的封装方法是：将低铁钢化玻璃、EVA胶膜、晶体硅（单晶硅与多晶硅）太阳能电池、EVA胶膜、背板材料层叠后，在专用层压封装设备中加热并抽真空加压封装，生产出太阳能电池组件。EVA胶膜在太阳能电池组件中的主要作用有：1、长期有效地保护晶体硅太阳能电池正常工作；2、与玻璃、太阳能电池、背板等良好地粘接固定在一起；3、长期保持很高的透光率，不影响太阳能电池的光电转化效率。目前国内外使用的光伏组件用EVA胶膜，包裹在晶体硅太阳能电池上下的两层EVA胶膜是相同的，具有相同的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，它既可以解决晶体硅太阳能电池组件的电势诱导衰减问题，又最大限度地提高晶体硅太阳能电池组件的光电转化效率，同时，可以有效地保护太阳能电池组件的背板材料。
本实用新型的技术方案：一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特点是：包括晶体硅太阳能电池,晶体硅太阳能电池的正面设有高体积电阻率透射膜，高体积电阻率透射膜的上面设有钢化玻璃层；所述晶体硅太阳能电池的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层，隔紫外线型EVA胶膜层下面设有背板材料层。
上述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件中，所述高体积电阻率透射膜的体积电阻率大于1×1015Ω·cm。
前述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件中，所述隔紫外线型EVA胶膜层为紫外线透过率小于25%的EVA胶膜。
前述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件中，所述高体积电阻率透射膜为高体积电阻率的EVA胶膜。
前述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件中，所述高体积电阻率透射膜为高体积电阻率的POE膜。
前述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件中，所述高体积电阻率透射膜包括叠层复合在一起的一层高体积电阻率的EVA胶膜和一层高体积电阻率的POE膜。
前述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件中，所述高体积电阻率透射膜为光透过率大于90%的透射膜。
本实用新型中EVA即乙烯-醋酸乙烯共聚物的简称，POE为聚烯烃共聚物。
与现有技术相比，本实用新型通过在晶体硅太阳能电池的正面和背面设置两层功能不同的材料层，正面的材料层的可以实现：抗电势诱导衰减功能（简称：抗PID）和高透射功能，从而保证和提高太阳能电池组件的光电转化效率，而下层的EVA胶膜主要用于保护背板材料，主要实现阻隔紫外线的功能。本实用新型可提高晶体硅太阳能电池组件的抗电势诱导衰减性能，可提高晶体硅太阳能电池组件光电转化效率0.1～2.0%，同时，又有效地保护太阳能电池组件的背板材料，延长太阳能电池组件的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
附图中的标记为：1-钢化玻璃层，2-高体积电阻率透射膜，3-晶体硅太阳能电池，4-隔紫外线型EVA胶膜层，5-背板材料层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明，但并不作为对本实用新型限制的依据。
实施例：一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，结构如图1所示：包括晶体硅太阳能电池3,晶体硅太阳能电池3的正面设有高体积电阻率透射膜2，高体积电阻率透射膜2的上面设有钢化玻璃层1；所述晶体硅太阳能电池3的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层4，隔紫外线型EVA胶膜层4下面设有背板材料层5。所述高体积电阻率透射膜（2）的体积电阻率大于1×1015Ω·cm。
所述隔紫外线型EVA胶膜层4为紫外线透过率小于25%的EVA胶膜。
优选地，所述高体积电阻率透射膜2为高体积电阻率的EVA胶膜。
优选地，所述高体积电阻率透射膜2为高体积电阻率的POE膜。
优选地，所述高体积电阻率透射膜2包括叠层复合在一起的一层高体积电阻率的EVA胶膜和一层高体积电阻率的POE膜。
所述高体积电阻率透射膜2为光透过率大于90%的透射膜。
其中高体积电阻率的EVA胶膜层2可用VA(醋酸乙烯)含量为24-33%的高透光率EVA树脂，可用由日本、韩国、新加坡、台湾、美国、法国等公司生产的EVA树脂，主要牌号有：EV150、PV1200、PV1300、MA-10、KA-40、3345PV、X1633、UE3330、VE700、280PV、3325、2820等。这些EVA胶膜中均添加有添加剂（特别是有阻止或吸收金属离子迁移的添加剂），在添加剂和EVA的配合下，既可以提高EVA胶膜的体积电阻率，又可以阻止或减少因金属离子（主要是玻璃中的钠离子等）迁移而引起的漏电流，以达到抗电势诱导衰减的作用。
而隔紫外线型光伏组件用EVA胶膜层4可为VA含量为24～33%的EVA树脂，可用由日本、韩国、新加坡、台湾、美国、法国、加拿大等公司生产的EVA树脂，其主要牌号包括：EV150、PV1200、PV1300、MA-10、KA-40、3345、VE810、VE700、UL04028、UL04533、2820A、3325AC、UE3330、X1633等。这些EVA胶膜中添加有紫外线吸收与稳定剂等，可以达到阻止紫外线透过的目的。
其中高体积电阻率的POE膜可以可以选用陶氏、杜邦、三井化学、LG、埃克森美孚等公司生产的：8401、8407、8452、8540、8440、DF7350、DF8200、LC170、5061、0203等牌号的产品。

Claims (6)

1.一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：包括晶体硅太阳能电池(3),晶体硅太阳能电池(3)的正面设有高体积电阻率透射膜(2)，高体积电阻率透射膜(2)的上面设有钢化玻璃层(1)；所述晶体硅太阳能电池(3)的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层(4)，隔紫外线型EVA胶膜层(4)下面设有背板材料层(5)；所述高体积电阻率透射膜(2)的体积电阻率大于1×1015Ω·cm。 
2.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述隔紫外线型EVA胶膜层(4)为紫外线透过率小于25％的EVA胶膜。 
3.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)为高体积电阻率的EVA胶膜。 
4.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)为高体积电阻率的POE膜。 
5.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)包括叠层复合在一起的一层高体积电阻率的EVA胶膜和一层高体积电阻率的POE膜。 
6.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)为光透过率大于90％的透射膜。 
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105702764A (zh) * 2014-11-28 2016-06-22 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 一种抗pid效应的电池组件
CN105845763A (zh) * 2016-04-14 2016-08-10 董友强 一种无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件和电池板

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Denomination of utility model: Anti-PID crystalline silicon solar cell assembly

Effective date of registration: 20171219

Granted publication date: 20141001

Pledgee: Quzhou Development Zone Branch of the China Co truction Bank Corp

Pledgor: Zhejiang Zhengxin Photovoltaic Technology Co., Ltd.

Registration number: 2017330000308

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Granted publication date: 20141001

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