CN203851288U - 扬声器 - Google Patents

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王泽�
蔡晓东
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Abstract

本实用新型公开了一种扬声器,包括:辅助系统,包括前盖和外壳;磁路系统,包括自上而下结合在一起的华司、磁铁和导磁板,磁路系统设置有磁间隙;振动系统,包括振膜和与振膜结合在一起的音圈,音圈设置于磁间隙内;并且:所述外壳与所述前盖的结合区域设置有凹槽,所述凹槽中填充胶体。本实用新型扬声器具有良好的防水性能。

Description

扬声器
技术领域
本实用新型涉及电声领域,尤其是涉及一种防水扬声器。
背景技术
随着消费类电子市场的扩大,大量手机、笔记本电脑等消费类电子产品得到广泛应用,作为消费类电子产品中重要的声学部件,扬声器具有广泛的需求。
扬声器,包括:辅助系统,包括前盖和外壳;磁路系统,包括自上而下结合在一起的华司和磁铁,磁路系统设置有磁间隙;振动系统,包括振膜和与振膜结合在一起的音圈,音圈设置于磁间隙内;设置于磁间隙内的音圈内的电流变化使音圈受磁场力作用产生振动,带动振膜振动发声。然而,现有技术中,扬声器很容易遇水影响性能,甚至导致功能失效。
因此,有必要提出一种改进,以克服现有技术扬声器缺陷。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题和提出的技术任务是对现有技术方案进行完善与改进,提供一种防水性能好的扬声器。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:本实用新型解决其问题所采用的技术方案是:扬声器,包括:辅助系统,包括前盖和外壳;磁路系统,包括自上而下结合在一起的华司、磁铁和导磁板,磁路系统设置有磁间隙;振动系统,包括振膜和与振膜结合在一起的音圈,音圈设置于磁间隙内;并且:所述外壳与所述前盖的结合区域设置有凹槽,所述凹槽中填充胶体。
作为一种改进,所述外壳与所述前盖均设置有台阶状边缘,围成凹槽,所述凹槽中填充胶体。
作为一种改进,所述外壳本体设置有凹槽,靠近扬声器本体一侧结合有所述前盖,所述凹槽中填充胶体。
作为进一步的一种改进,所述凹槽为环形。
由于采用了上述技术方案,本实用新型提供的扬声器的外壳与前盖的结合区域设置有凹槽,凹槽中填充具有防水性的胶体,使扬声器完全密封,具有良好的防水性能。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例的扬声器的立体结构示意图。
图2是本实用新型第一实施例的扬声器的剖面结构示意图。
图3是本实用新型第二实施例的扬声器的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
第一实施例
本实用新型扬声器,如图1、图2所示,包括由前盖11和外壳12构成的辅助系统,前盖11和外壳12围成空腔,空腔内收容固定有振动系统和磁路系统。振动系统包括振膜21,与振膜21固定设置的定心支片3、音圈22;磁路系统包括中心磁铁42,中心磁铁42靠近前盖11一侧固定设置有与中心磁铁42形状对应的中心华司41,围绕中心磁铁42设置有边磁铁52,边磁铁52靠近前盖11一侧固定设置有与边磁铁52形状对应的边华司51,中心磁铁42和边磁铁52远离前盖一侧固定设置有导磁板6,中心磁铁42与边磁铁52形成磁间隙,音圈21设置于磁间隙内。音圈22与定心支片3上的焊盘电结合,外部电路的电信号通过定心支片3的焊盘传至音圈22内,音圈22内电流变化使音圈22受磁场力而上下振动,音圈22振动带动振膜21振动发声。
外壳12与前盖11均设置有台阶状边缘,围成凹槽7,凹槽7中填充具有防水性的胶体,使扬声器完全密封,具有良好的防水性能。
第二实施例
如图3所示,该实施例与第一实施例基本相同,其不同之处在于:
外壳12本体设置有凹槽7,靠近扬声器本体一侧结合有前盖11,凹槽7中填充具有防水性的胶体,使扬声器完全密封,具有良好的防水性能。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.扬声器,包括:辅助系统,包括前盖和外壳;磁路系统,包括自上而下结合在一起的华司、磁铁和导磁板,磁路系统设置有磁间隙;振动系统,包括振膜和与振膜结合在一起的音圈,音圈设置于磁间隙内;其特征在于:所述外壳与所述前盖的结合区域设置有凹槽,所述凹槽中填充胶体。
2.根据权利要求1所述的扬声器,其特征在于:所述外壳与所述前盖均设置有台阶状边缘,围成凹槽,所述凹槽中填充胶体。
3.根据权利要求1所述的扬声器,其特征在于:所述外壳本体设置有凹槽,靠近扬声器本体一侧结合有所述前盖,所述凹槽中填充胶体。
4.根据权利要求1、2或者3所述的扬声器,其特征在于:所述凹槽为环形。
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Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Industrial Development Zone, Shandong, China, No. 268

Patentee after: GOERTEK Inc.

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Patentee before: Goertek Inc.

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