CN203795014U - 保持热场水平的单晶炉筒 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种保持热场水平的单晶炉筒，其底部敷设碳毡层进行保温，还包括石墨底盘和石墨支撑柱，所述碳毡层上开孔安装所述石墨支撑柱，所述石墨底盘安装在所述石墨支撑柱上。本实用新型的优点是在单晶炉筒内热场底部采用石墨支撑柱支撑石墨底盘，在保证了炉内底部的热场水平的同时，相应的炉内上部的热场水平也得到了解决，保证了热场长久处于水平状态，改善了内部热循环；增加底部保温，减少了底部碳毡的老化；最终使硅棒内在品质得到改善，使硅片内在电阻分布更均匀。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能级单晶硅棒生产过程中使用的单晶炉，特别是单晶炉筒。
背景技术
在单晶硅棒生产过程中，拉晶步骤有两个重要的因素——真空和水平。水平问题主要包括两部分：一种是炉体本身的水平，这个完全可以由维修人员借助水平仪调整，满足拉晶时的需求；另一种是炉内热场自身的水平，热场是否处于水平状态直接影响到拉晶过程是否顺畅及硅棒内在品质是否能得到保证。如果热场底部不处于水平状态，那么最上端的热场水平会更差。由于目前拉晶行业所使用的单晶炉筒底部保温材料基本上是碳毡材料，其缺陷是多炉使用后容易塌陷及粉化，因此，新的热场在水平问题上不会有太大的差异，等到了中后期，热场水平问题就会突显出来。
实用新型内容
实用新型目的：针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种能够长久保持整个炉内热场处于较为理想的水平状态、改善热场内部热循环的单晶炉筒。
技术方案：一种保持热场水平的单晶炉筒，其底部敷设碳毡层进行保温，还包括石墨底盘和石墨支撑柱，所述碳毡层上开孔安装所述石墨支撑柱，所述石墨底盘安装在所述石墨支撑柱上。
所述石墨底盘底面与所述碳毡层上表面保持5mm距离。
所述石墨支撑柱至少为一个，在所述碳毡层上均布且保持在同一水平面上。
有益效果：与现有技术相比，本实用新型的优点是在单晶炉筒内热场底部采用石墨支撑柱支撑石墨底盘，在保证了炉内底部的热场水平的同时，相应的炉内上部的热场水平也得到了解决，保证了热场长久处于水平状态，改善了内部热循环；增加底部保温，减少了底部碳毡的老化；最终使硅棒内在品质得到改善，使硅片内在电阻分布更均匀。
附图说明
附图为本实用新型剖视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
如附图所示，一种保持热场水平的单晶炉筒，除炉筒外，还包括碳毡层1、石墨底盘2、石墨支撑柱3。
首先保证炉筒处于水平状态，把裁剪好的碳毡层1以中心向四周扩展均布开孔，然后将碳毡层1敷设在炉筒底部，石墨支撑柱3安装于碳毡层1的开孔内，保持多个石墨支撑柱3在同一水平面上，最后将石墨底盘2安装在石墨支撑柱3上，使石墨底盘2底面与碳毡层1上表面保持5mm距离。
Claims (3)
1.一种保持热场水平的单晶炉筒，其底部敷设碳毡层（1）进行保温，其特征在于：还包括石墨底盘（2）和石墨支撑柱（3），所述碳毡层（1）上开孔安装所述石墨支撑柱（3），所述石墨底盘（2）安装在所述石墨支撑柱（3）上。
2.根据权利要求1所述的保持热场水平的单晶炉筒，其特征在于：所述石墨底盘（2）底面与所述碳毡层（1）上表面保持5mm距离。
3.据权利要求1所述的保持热场水平的单晶炉筒，其特征在于：所述石墨支撑柱（3）至少为一个，在所述碳毡层（1）上均布且保持在同一水平面上。
Priority Applications (1)
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Country Status (1)
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140827 Termination date: 20190225 |
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