CN203707097U - 用于加工半导体晶片的基座 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及用于加工半导体晶片的基座。本实用新型要解决的技术问题之一在于提供有助于减少半导体晶片上的缺陷的用于加工半导体晶片的基座。提供一种用于加工半导体晶片的基座，包括：所述基座的第一表面；所述基座的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；所述基座的外半径；所述基座的外侧边缘；晶片凹槽，其被形成为所述第一表面中的并向所述第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于所述外半径的凹槽半径并具有外边缘；以及流量控制结构，其被定位于所述第一表面中所述基座的所述外侧边缘与所述晶片凹槽的所述外边缘之间的一部分上。本实用新型的优越效果在于实现一种有助于减少半导体晶片上的缺陷的用于加工半导体晶片的基座。
Description
技术领域
本实用新型一般涉及半导体，且更具体地，涉及用于制造半导体晶片和器件的设备。
背景技术
在过去，半导体行业利用各种方法和设备制造半导体晶片，诸如在半导体晶片上制造电路。对于某些制造操作，将晶片放置在反应器或高温烘箱中进行一些制造操作。一般，将半导体晶片放置在晶片支架或晶片支座（通常称为晶片基座或基座）上。半导体晶片通常被放置在基座上并且基座被放置在反应器中以进行操作，诸如化学气相沉积(CVD)或反应性离子蚀刻(RIE)或外延层形成或其它制造过程。
通常在制造操作期间，在半导体晶片的某些区域上形成缺陷。这些缺陷降低半导体晶片上好的可用裸晶的数量。此类缺陷增加制造成本并降低半导体器件的可靠性。因此，期望具有用于加工半导体晶片和器件的设备，其有助于减少半导体晶片上的缺陷、有助于提高半导体晶片好裸晶的产量以及有助于降低制造成本。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题之一在于提供有助于减少半导体晶片上的缺陷的用于加工半导体晶片的基座。
根据本实用新型的一个方面，提供一种用于加工半导体晶片的基座，包括：所述基座的第一表面；所述基座的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；所述基座的外半径；所述基座的外侧边缘；晶片凹槽，其被形成为所述第一表面中的并向所述第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于所述外半径的凹槽半径并具有外边缘；以及流量控制结构，其被定位于所述第一表面中所述基座的所述外侧边缘与所述晶片凹槽的所述外边缘之间的一部分上。
在一个实施例中，所述流量控制结构包括多个凹部，所述多个凹部被形成在所述基座的所述第一表面中并延伸至所述基座中。
在一个实施例中，所述多个凹部包括与第二凹部隔开第一距离的第一凹部，其中所述第一表面的部分位于所述第一凹部和所述第二凹部之间。
在一个实施例中，所述第一距离约为0.1毫米至1.0毫米。
在一个实施例中，所述多个凹部中的一个凹部具有至所述基座内约一至五毫米的深度。
在一个实施例中，所述流量控制结构包括从所述第一表面延伸到所述基座内的凹部或以第一角度从所述第一表面向外延伸的突起中的一个。
在一个实施例中，所述流量控制结构包括多个突起，所述多个突起包括第一突起和第二突起，其中所述第一表面的部分位于所述第一突起和所述第二突起之间。
在一个实施例中，所述第一突起与所述第二突起相比具有离所述第一表面更高的高度。
在一个实施例中，所述流量控制结构包括多个突起，其中所述第一表面的部分位于所述第一突起和所述第二突起之间，且其中所述多个突起离所述第一表面的高度随着从所述晶片凹槽的所述外边缘的距离增加或从所述晶片凹槽的所述外边缘的距离减少中的一个而增加。
在一个实施例中，所述流量控制结构包括所述第一表面的至少部分上的非均匀表面。
本实用新型用于制造半导体晶片。本实用新型的优越效果在于实现一种有助于减少半导体晶片上的缺陷的用于加工半导体晶片的基座。
附图说明
图1示出了相关技术基座的平面视图的实例；
图2示出了图1的基座的横截面视图；
图3示出了根据本实用新型基座的实施方案的一部分的实例的简化平面视图；
图4示出了根据本实用新型图3的基座的一部分的实例的简化横截面视图；
图5示出了根据本实用新型基座的实施方案的一部分的实例的简化横截面视图，所述基座为图3的基座的替代实施方案；
图6示出了根据本实用新型另一基座的实施方案的一部分的实例的简化横截面视图，所述另一基座为图3的基座的替代实施方案；
图7示出了根据本实用新型另一基座的实施方案的一部分的实例的简化横截面视图，所述另一基座为图3的基座的替代实施方案；
图8示出了根据本实用新型另一基座的实施方案的一部分的实例的简化横截面视图，所述另一基座为图3的基座的替代实施方案；和
图9示出了根据本实用新型基座的实施方案的一部分的实例的简化平面视图，所述基座为图3的基座的替代实施方案。
具体实施方式
为了简单和清楚地说明，图中的元件不一定按比例绘制，并且不同图中相同的参考数字表示相同的元件，除非另有说明。本文描述的附图只是示意性的，而非限制性的。尺寸和相对尺寸并不对应于实践本实用新型的实际尺寸。另外，众所周知的步骤和元件的描述和细节被省略以便简化描述。本领域那些技术人员将理解，本文使用的词语“期间”、“同时”和“当…时”在涉及电路工作时，不是意指在启动动作后即刻发生动作的精确术语，而是在由启动动作启动的反应之间可以有一些少量但合理的延迟，诸如各种传播延迟。另外，术语“同时”意指至少在启动动作的持续时间的某一部分内发生某动作。使用的词语“大约”或“大体上”意指元件的值具有预期接近叙述的值或位置的参数。然而，如本领域所共知，可能有阻碍所述值或位置像叙述的那样精确的小方差。在本领域中已经建立，相对于像所述的那样精确的理想目标，达到至少百分之十(10%)(且对于半导体掺杂浓度达到百分之二十(20%))的方差是合理的方差。权利要求或/和附图详述中用于元件名称的一部分的术语“第一”、“第二”、“第三”等，中用于在类似元件之间区分，而不一定用于描述时间上、空间上、排列上或任何其它方式上的顺序。应理解，这样使用的术语在适当的情况下可互换，并且本文描述的实施方案能够以不同于本文描述或示出的顺序操作。
如在下文中将进一步看到，除了其它特征外，本描述包括被形成具有非均匀表面（诸如表面上的非均匀高度和/或位于基座的晶片凹槽与基座的外侧边缘之间的基座部分的非平面表面）的晶片基座。
图1示出了相关技术晶片基座200的简化平面视图。
图2示出了基座200沿横截面线2-2的简化横截面视图。本描述参照图1和图2.基座200一般为具有顶部表面201、外边缘203和底部表面202的盘形材料。晶片凹部或晶片凹槽205一般形成于顶部表面201中，以形成在操作期间固定半导体晶片的位置，以形成半导体晶片上的电路。顶部表面的部分206一般位于凹槽205和基座200的外侧边缘203之间。部分206的表面201一般是平的，以允许气体流过基座到达插入凹槽205的晶片。
现在抛开相关技术，已经发现，在某些制造工艺中，缺陷可能在半导体晶片上形成。已经发现，这些缺陷通常在半导体晶片的外侧边缘比在晶片的内部部分更为普遍。例如，如果在半导体晶片上形成的器件具有在晶片中形成的沟槽，那么可能的是在氧化或外延形成或其它步骤期间，沟槽的顶部部分可能在沟槽位于晶片的外侧边缘附近时封闭但在沟槽在晶片内部时未封闭。封闭的沟槽代表缺陷，这会减少半导体晶片的好器件的产量。据信，这些外侧缺陷受接近晶片的最外侧部分的生长速度提高的影响。
图3示出了晶片基座或基座10的实施方案的一部分的实例的简化平面视图，基座10有助于减少半导体晶片上形成的缺陷、有助于提高半导体晶片的好裸晶的产量以及有助于降低制造成本。
图4示出了基座10沿横截面线4-4的横截面视图。本描述参照图3和图4.基座10具有第一表面，例如通过箭头以一般方式示出的顶部表面11。晶片凹槽28用于在制造操作期间固定半导体晶片，半导体晶片通过晶片40以一般方式示出。凹槽28通常被形成为延伸到基座10的中心部分内的开口。通常，基座10是圆的，并且具有沿着基座10的外周的外侧边缘14。在其它实施方案中，基座10可以具有其它几何形状。基座10具有半径27(图3)，半径27大于凹槽28的半径26。
基座10也包括流量控制结构91(图4)，流量控制结构91有助于在半导体晶片（诸如晶片40）上形成更均匀的结构。流量控制结构91包括多个凹部16-20，多个凹部16-20在表面11上形成并延伸到基座10的材料内。凹部16-20一般朝着基座10的第二表面（例如后表面12）延伸。凹部16-20通常在表面11中位于凹槽28的外侧边缘29与基座10的外侧边缘14之间的部分中形成。凹部16-20具有自表面11的深度32和表面11上的宽度31。这使凹部16 20形成有侧壁41和42以及底部43。凹部16 20通常隔开一定距离或间距35，使得在相邻凹部之间形成各自的间隔21 24。间隔21 24一般具有宽度34，这在凹部16 20的相邻凹部之间形成相应的距离。外凸缘15通常在最外侧的凹部（诸如凹部16）和外侧边缘14之间形成。凸缘15一般具有与表面11共面的顶部表面。凸缘15可以具有宽度34或可以为不同宽度。基座10的内凸缘25一般位于凹槽28和最内侧的凹部（诸如凹部20）之间，并可以具有宽度34或可以具有不同宽度。在大多数实施方案中，但不一定是全部实施方案，凸缘15和凸缘25不是结构91的一部分。在一些实施方案中，最外侧的凹部可以重叠边缘14，这可能导致沿着边缘14的台阶。
通常，在制造过程中使用的气体沿从外侧边缘14朝向晶片凹槽28的方向流过基座10。在一些操作中，在气体和晶片40的外侧部分（诸如更靠近边缘29的部分）之间比在晶片40中更靠近凹槽28中心的部分可能有更高的反应性。据信，流量控制结构改变局部气体流动动力学和/或气体流过基座10的外侧部分的流线，这导致改变气体和晶片40中围绕晶片40的外侧边缘的部分之间的相互作用。例如，流量控制结构可以引起气流中的紊流，这可以改变气体扩散流在晶片40的外边缘的边界区域处的有效厚度。大约在晶片40的宽度的至少一部分上以及在一些实施方案中在晶片40的整个宽度上在气体和晶片40的材料之间，流量控制结构导致更均质的反应。流量控制结构在晶片边缘上的作用范围取决于流量控制结构设计，并可从晶片的外边缘向内的几毫米（诸如对于低效率）变化达到晶片表面的整个区域（诸如对于高效率）。也有可能的是，流量控制结构可以耗尽来自气流的一些种类的气体，以减缓或降低气体和晶片40的材料中更靠近流量控制结构的部分之间的反应。相对于不具有凹部16 20的基座的表面积，侧壁41 42的面积增加基座10中位于边缘14和凹槽28的边缘29之间的部分的有效表面积。据信，这增加的表面积可以影响气体和沿着半导体晶片的外侧边缘的材料之间的反应速度。在一个示例性实施方案中，流量控制结构91可使半导体晶片的器件产量增加百分之十至百分之十五(10% 15%)。
在另一个示例性应用中，沟槽在半导体晶片上的各个位置中形成。外延层被形成以均匀地填充沟槽。在约十至三十(10-30)托的压力下执行该过程。基座10被形成使得侧壁41 42、底部43和间隔21 4的表面11以及凸缘15和凸缘25的表面11产生的表面积约为二又二分之一至四(2.5-4)倍于没有凹部16 20的相同尺寸基座的表面积。对于该示例性实施方案，间距35为约一又十分之四(1.4)毫米，宽度31为约十分之七(0.7)毫米，且深度32为约二(2)毫米。半导体晶片的产量提高约百分之十五至百分之二十五(15%-25%)。在其它实施方案中，宽度34、间距35和深度32可以具有其它值。例如，深度32可在约一至五(1-5)毫米之间，且宽度34可在约0.1毫米和1.0毫米之间。
本领域那些技术人员将理解，结构91可以具有各种替代实施方案。尽管结构91被示出具有五个凹部，但凹部的数量可以多于或少于五个。通常，凹部的数量和凹部的深度被配置以为流量控制结构提供期望的表面积。期望的表面积可根据反应器压力、气体流速和气体的种类来变化。另外，凹部16-20中的任一或所有凹部16-20可具有不同的形状，而不是图4所示的沟槽型形状。例如，凹部可以具有三角形状，或者可以具有喇叭形状，其中凹部开口的顶部或底部中的一个可以具有大于所述凹部顶部或底部中另一个的宽度。例如，凹部20的开口底部的距离可宽于开口顶部的距离。
在一些制造操作中，基座10在反应器内旋转。对于这些操作，结构91的实施方案可被形成为具有围绕基座10同心延伸的多重连通外形。术语“多重连通”意指其中具有一个空或多个孔的连通域。多重连通外形的一个实例为环形室。多重连通外形对应于基座10的几何形状。例如，凹槽28可以位于结构91的多重连通外形的孔内。在其它实施方案中，结构91可以被形成呈不围封凹槽28的开口几何图案。结构91可以被形成为一个短片段或多个不连续部分。例如，结构91被形成呈弧形，诸如图3所示的弧44，或呈不相交的几个弧。开口的几何形状可有助于基座10不旋转的操作。
本领域技术人员从以上可以理解，流量控制结构在基座10中位于凹槽28（特别是凹槽28的边缘29）与基座10的边缘14之间的部分上形成非均匀表面。
基座10一般由适于在半导体材料上制造电路并与半导体材料兼容的材料制成。在一些实施方案中，用于基座10的材料可以是石墨、石英或其它合适的材料。结构91在基座10的材料中形成。随后，防护材料（诸如碳化硅或其它材料）可用于覆盖包括结构91的基座10的材料的至少一部分。
图5示出了基座45的实施方案的一部分的实例的横截面视图，基座45为基座10的替代实施方案。基座45类似于基座，但包括流量控制结构92，流量控制结构92为在图3 图4的描述中所述的流量控制结构91的替代实施方案。结构92类似于结构91，但是，凹部16 20之间的间距可与间距35相同或可不同，诸如凹部18和凹部19之间示出的间距37。另外，结构92可以包括可选的附加凹部49。在其它实施方案中，结构92可以包括其它差异。例如，凹部1620和49中任何一个或所有凹部的宽度可以与宽度31不同，如虚线38示出的。此外，凹部16 20和49中一个或所有凹部的深度可以与深度32不同，如虚线36示出的。另外，每个凹部可以具有与结构92的其它凹部不同的深度。
图6示出了晶片基座55的实施方案的一部分的实例的横截面视图，晶片基座55为基座10和基座45的替代实施方案。基座55包括为结构91和/或结构92的替代实施方案的流量控制结构93。结构93类似于结构91和结构92，除了结构93包括位于各自凹部16 20之间的多个突起56 59外。突起56 59以与表面11成角度61从表面11向外延伸。尽管角度61示出为90°角度，但是角度61可具有各种其它角度。对于图6中示出的实施方案，突起56 59全部从表面11向外延伸高度或距离62，使得距离62的值变化，诸如随着从凹槽28减少的距离而增加。在其它实施方案中，距离62对于所有突起56-59可以相同。在另一实施方案中，突起56-59的数量可以小于或可以大于图6所示出的四(4)个。例如，在凹部16-20的一个或所有凹部之间可以没有突起。在另一实施方案中，沿外凸缘15和/或内凸缘25可以有额外突起。在另一实施方案中，凹部16-20中的一个或所有凹部可以被省去，如虚线63所示。
另外，突起56-59中的任何一个或所有突起可以具有不同的形状，而不是图6所示的矩形横截面型形状。例如，突起可以具有三角形形状，其中横截面宽度随着远离表面11的距离而减少或增加。正如所见，结构93被形成具有可变高度。
图7示出了晶片基座65的实施方案的一部分的实例的横截面视图，晶片基座65为基座10、基座45和基座55的替代实施方案。基座65类似于基座10、基座45和基座55，除了基座65包括为结构91 93的替代实施方案的流量控制结构94外。结构94类似于结构93，除了结构94具有多个突起66-69外。突起66-69全部从表面11向外延伸距离62，其中距离62的值变化，诸如随着从凹槽28增加的距离而增加。在其它实施方案中，距离62、凹部16-20的数量和突起66-69的数量可以变化，如图6的描述中对于突起56-59所解释的。正如所见，结构94被形成具有可变高度。
图8示出了晶片基座75的实施方案的实例的横截面视图，晶片基座75包括为结构91 94的替代实施方案的流量控制结构95。结构95包括类似于突起66 69和/或突起56 59的突起76 79。突起76-79中任何一个突起的距离62可以大于或小于突起76 79中邻近一个突起的值，诸如由突起79的距离62的高度相对于突起78的距离62的高度所示出。在其它实施方案中，距离62、凹部16-20的数量和突起66-69的数量可以变化，如图6的描述中对于突起56-59所解释的。6.正如所见，结构6595被形成具有可变高度。
图9示出了晶片基座80的实施方案的一部分的实例的简化平面视图，晶片基座80为基座10、基座45、基座55、基座65和/或基座75中任何基座的替代实施方案。基座80类似于基座10、基座45、基座55、基座65和/或基座75，除了基座80包括流量控制结构81和多个晶片凹槽105-107外。结构81通过多个箭头以一般方式识别。凹槽105-107中的每一个被配置以接纳半导体晶片诸如晶片40（图4）。
结构81包括流量控制元件82-90。结构81的外形可以类似于结构91-95中的任何结构。流量控制元件82-90可以是关于流量控制结构91-95所描述的流量控制元件（包括凹部16-20、间隔21-25和/或突起56-59、突起62-66和突起76-79的任何混合）中的任何流量控制元件。在其它实施方案中，只要基座80具有元件82-90中的至少一个，元件82-90中的任何元件就可以省去。在一个非限制性示例性实施方案中，元件88、元件90、元件82、元件84和元件86为凹部，元件89为间隔，且元件83、元件85和元件87为类似于凸缘25的凸缘。
结构81的外形被形成为具有流量控制元件的至少一部分，所述流量控制元件位于凹槽105-107中的一个凹槽与基座80的外边缘14之间。例如，所有的元件82位于凹槽105和边缘14之间。类似地，所有元件84和86位于各自的凹槽106和107与边缘14之间。在一些实施方案中，每个晶片凹槽具有围绕晶片凹槽的所有边缘的至少一个流量控制元件。在一些实施方案中，元件82-90中的一些元件可以交叉，如元件90和元件82、元件84和元件86交叉所示。在其它实施方案中，元件82-90中可以没有元件交叉或有一些元件交叉。在另一实施方案中，元件88和/或90中的任何一个或所有元件可以省去。
本领域那些技术人员将理解，流量控制结构可以具有各种其它形状，只要流量控制结构位于晶片凹槽的边缘（诸如边缘29）与晶片基座的外边缘（诸如边缘14）之间。例如，结构81的替代实施方案可以具有流量控制元件52，流量控制元件52被形成沉入凹槽106和凹槽107之间，但不一定必须完全环绕凹槽106和/或凹槽107。元件52可以是凹部或突起、或其两者、或多个一者或两者。尽管图9只示出一个元件52，但流量控制结构可以包括位于凹槽105与凹槽106之间和/或凹槽105与凹槽107之间的其它类似元件。
流量控制元件的另一替代形状通过流量控制元件53和54示出。元件53和元件54被形成呈被定位能够阻止气体流向凹槽105的人字纹形状。例如，流量控制元件可以被形成为部分凹部或突起，部分凹部或突起被定位为沿基座的旋转方向朝向气流的前缘。在另一实例中，人字纹可以被定位为大体垂直于气流或相对于气流成某个其它角度，只要所述角度导致基座在气流路径上的面积增加。尽管图9只示出了两个人字纹，但流量控制结构可以包括位于凹槽105与凹槽106之间和/或凹槽106与凹槽107之间的其它类似元件。
本领域那些技术人员将理解，在一个实施方案中，用于加工半导体晶片的基座可以包括基座的第一表面，例如表面11；基座中与第一表面相对的第二表面；基座的外半径，例如半径27；基座的外侧边缘；
晶片凹槽，例如晶片凹槽28，被形成为第一表面中的并向第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于外半径的凹槽半径（诸如例如半径26）并具有外边缘；以及
流量控制结构，诸如结构91或结构92-95中的任何结构或其替代结构，其被定位于第一表面中基座的外侧边缘与晶片凹槽的外边缘之间的部分上。
在另一实施方案中，基座可以包括多个凹部，例如凹部16-20中的任何一个凹部，其形成在基座的第一表面中并延伸到基座中。
基座的另一实施方案也可以包括多个凹部，多个凹部包括与第二凹部隔开第一距离（例如距离34或39中的任何距离及其替代距离）的第一凹部，其中第一表面的部分（诸如间隔21-24中的任何间隔）位于第一凹部和第二凹部之间。
基座的又一实施方案可以包括流量控制结构，流量控制结构包括从第一表面延伸到基座中的凹部或以第一角度从第一表面向外延伸的突起（诸如突起56-59、突起66-69、突起76-79中的任何突起及其替代突起）中的一个。
基座的其它实施方案可以包括流量控制结构，流量控制结构包括多个突起，所述多个突起包括第一突起和第二突起，其中第一表面的部分（诸如包括间隔21-24的部分中的任何部分）位于第一和第二突起之间。
在另一实施方案中，第一突起可以比第二突起具有离第一表面更高的高度，诸如距离62。
基座可以具有另一实施方案，其中多个突起离第一表面的高度以从晶片凹槽的外边缘（诸如从边缘29）的增加距离或以从晶片凹槽的外边缘的减少距离中的一个距离而增加。
基座的另一实施方案可以包括流量控制结构，流量控制结构包括至少一个凹部和至少一个突起。
在又一实施方案中，基座的流量控制结构可以包括具有可变高度的多个突起。
本领域那些技术人员也将理解，形成用于加工半导体晶片的基座的方法可以包括：提供基座，所述基座具有第一表面（例如表面11）、与第一表面相对的第二表面，其中基座具有外半径（诸如例如半径27）和外侧边缘（诸如例如边缘14）；基座也可以具有被形成为第一表面中的并向第二表面延伸的凹部的晶片凹槽，所述晶片凹槽具有小于外半径的凹槽半径（例如半径26）并具有外边缘（例如边缘29）；以及
在第一表面中被定位于基座外侧边缘与晶片凹槽外边缘之间的至少一部分（例如表面11中位于边缘29与边缘14之间的一部分)上形成非均匀表面。
所述方法的另一实施方案可以包括从第一表面延伸到基座中的凹部（例如凹部16-20中的任何一个）或以第一角度从第一表面向外延伸的突起（诸如例如突起56-59、突起66-69和突起76-79中的任何一个）中的一个。
所述方法的另一实施方案可以包括形成多个凹部，所述多个凹部延伸到基座中并且彼此隔开第一距离。
该方法也可以包括另一实施方案，其包括形成多个突起，所述多个突起从第一表面向外延伸并且彼此隔开第一距离。
在另一实施方案中，所述方法也可以包括提供具有多个晶片凹槽的基座，且其中形成非均匀表面包括在多个晶片凹槽中的每一个与基座的外侧边缘之间形成非均匀表面。
所述方法的其它实施方案可以包括在每个晶片凹槽的所有边缘（诸如边缘29）周围形成非均匀表面。
所述方法的另一实施方案可以包括形成延伸到基座中的至少一个凹部和从第一表面向外延伸的至少一个突起。
在另一实施方案中，所述方法可以包括形成具有可变高度的多个突起。
所述方法可以具有另一实施方案，另一实施方案包括形成多个突起中的至少一个突起，以具有比多个突起中的另一个突起的高度更高的高度。
基于上述所有内容，很明显，公开了一种新颖的器件和方法。除其它特征外，包括形成晶片基座以具有非均匀表面和/或非平面表面作为位于基座中基座的晶片凹槽与基座的外边缘之间的一部分。在一个实施方案中，非均匀表面可以是非平面表面。在另一个实施方案中，非均匀表面可以包括表面内的凹部或从表面向外延伸的突起或两者的组合。
尽管本描述的主题利用具体优选实施方案和示例性实施方案进行了描述，但前述附图及其描述只描绘了本主题典型的和示例性实施方案，并因而不应认为限制其范围，很明显，许多改变和变化对于本领域那些技术人员将是明显的。如本领域那些技术人员将理解的，基座的实例形式被用作载体来解释基座的非均匀表面和/或非平面表面。除了图3-9中示出的实施方案外，基座可被配置具有各种其它实施方案，只要流量控制结构改变可能置于基座中的半导体晶片的外侧部分附近的气体流动动力学。
如下文的权利要求书所反映，创造性方面可能处于少于单一前述公开的实施方案的所有特征。因此，下文表达的权利要求在此明确并入此附图详述中，其中每项权利要求依其本身作为本实用新型独立的实施方案。此外，如本领域那些技术人员应理解的，虽然本文描述的一些实施方案包括一些特征但不是其它实施方案中包括的其它特征，但不同实施方案的特征的组合意在本实用新型的范围内，并形成不同的实施方案。
Claims (10)
1.一种用于加工半导体晶片的基座，其特征在于包括：
所述基座的第一表面；
所述基座的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；
所述基座的外半径；
所述基座的外侧边缘；
晶片凹槽，被形成为所述第一表面中的并向所述第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于所述外半径的凹槽半径并具有外边缘；以及
流量控制结构，被定位于所述第一表面中所述基座的所述外侧边缘与所述晶片凹槽的所述外边缘之间的一部分上。
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制结构包括多个凹部，所述多个凹部被形成在所述基座的所述第一表面中并延伸至所述基座中。
3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于所述多个凹部包括与第二凹部隔开第一距离的第一凹部，其中所述第一表面的一部分位于所述第一凹部和所述第二凹部之间。
4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于所述第一距离约为0.1毫米至1.0毫米。
5.根据权利要求2所述的基座，其特征在于所述多个凹部中的一个凹部具有至所述基座内约一至五毫米的深度。
6.根据权利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制结构包括从所述第一表面延伸到所述基座内的凹部或以第一角度从所述第一表面向外延伸的突起中的一个。
7.根据权利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制结构包括多个突起，所述多个突起包括第一突起和第二突起，其中所述第一表面的一部分位于所述第一突起和所述第二突起之间。
8.根据权利要求7所述的基座，其特征在于所述第一突起与所述第二突起相比具有离所述第一表面更高的高度。
9.根据权利要求7所述的基座，其特征在于所述流量控制结构包括多个突起，其中所述第一表面的一部分位于所述第一突起和所述第二突起之间，且其中所述多个突起离所述第一表面的高度随着从所述晶片凹槽的所述外边缘的距离增加或从所述晶片凹槽的所述外边缘的距离减少中的一个而增加。
10.根据权利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制结构包括所述第一表面的至少一部分上的非均匀表面。
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