CN203659591U - 新型多相位耦合电感器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种新型多相位耦合电感器,包括磁芯本体,磁芯本体的两端部均具有第一缝隙。磁芯本体内设有若干个芯柱本体,芯柱本体上具有第二缝隙。每一个芯柱本体外围均设有一箔式绕组,箔式绕组设有两焊接部,两焊接部位置平行。本实用新型结构简单、体积小、重量轻、工作效率高,制作简单,适合平面贴件装配。

Description

新型多相位耦合电感器
技术领域
本实用新型涉及电感器技术领域,特别是涉及一种新型多相位耦合电感器。
背景技术
当前,电子设备不断朝着更小体积、更高功率密度和更高效率发展。耦合电感器作为电子设备中的关键元件之一,其体积变得更小、重量变得更轻、性能的提升一直是该技术领域人员所努力追求的方向。
传统的电感器多为分立式电感器,其结构复杂,生产成本高,且工作效率低,使得电路的瞬态响应速度慢。
实用新型内容
基于此,有必要针对现有技术的缺点的问题,提供一种新型多相位耦合电感器,结构简单、体积小、重量轻、工作效率高,制作简单,适合平面贴件装配。
一种新型多相位耦合电感器,包括磁芯本体,所述磁芯本体的两端部均具有第一缝隙;所述磁芯本体内设有若干个芯柱本体,所述芯柱本体上具有第二缝隙;每一个芯柱本体外围均设有一箔式绕组,所述箔式绕组设有两焊接部,所述两焊接部位置平行。
在其中一个实施例中,所述磁芯本体包括第一磁芯和第二磁芯,所述第一磁芯和第二磁芯均呈U形;所述第一磁芯的端部和第二磁芯端部对接形成所述第一缝隙。
在其中一个实施例中,所述芯柱本体包括第一芯柱和第二芯柱,所述第一芯柱和第二芯柱结构相同,所述第一芯柱和第二芯柱结合形成所述第二缝隙。
在其中一个实施例中,所述箔式绕组具有一容置腔体,所述芯柱本体位于所述容置腔体中。
在其中一个实施例中,所述箔式绕组为单层、单匝结构。
上述新型多相位耦合电感器,结构紧凑,体积小,重量轻,制作简单,适合平面贴件装配,实现开关电源的集成化、小型化、平面化和高效率。在电路中能取代多个分立式电感器,改善电气电路的性能,提高电路的瞬态响应速度等动态性能。
附图说明
图1为本实用新型去除箔式绕组后的结构示意图。
图2为本实用新型一角度立体结构示意图。
图3为本实用新型另一角度立体结构示意图。
图4为本实用新型的箔式绕组结构示意图。
以下是本实用新型零部件符号标记说明:
磁芯本体10、第一磁芯11、第二磁芯12、第一缝隙13、芯柱本体20、第一芯柱21、第二芯柱22、第二缝隙23、箔式绕组30、焊接部31、容置腔体32。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,解析本实用新型的优点与精神,藉由以下结合附图与具体实施方式对本实用新型的详述得到进一步的了解。
一种新型多相位耦合电感器,包括磁芯本体10,磁芯本体10由铁氧体材料、铁粉材料或其他磁性芯材构成。磁芯本体10的两端部均具有第一缝隙13。磁芯本体10包括第一磁芯11和第二磁芯12。第一磁芯11和第二磁芯12均呈U形;第一磁芯11的端部和第二磁芯12端部对接形成第一缝隙13。第一缝隙13具有的导磁率低于磁芯本体10的导磁率。在本实用新型正常运行期间,磁芯本体10产生饱和,使箔式绕组30具有非线性的漏电感值。第一缝隙13产生漏磁通是箔式绕组30的漏电感的主要来源。因此,通过改变第一缝隙13的距离可以改变箔式绕组30的漏电感。
磁芯本体10内设有若干个芯柱本体20,芯柱本体20上具有第二缝隙23。芯柱本体20包括第一芯柱21和第二芯柱22。第一芯柱21和第二芯柱22结构相同,第一芯柱21和第二芯柱22结合形成第二缝隙23。第一芯柱21和第二芯柱22通过胶水粘合成一个整体。
每一个芯柱本体20外围均设有一箔式绕组30,箔式绕组30设有两焊接部31,两焊接部31位置平行。箔式绕组30具有一容置腔体32,芯柱本体20位于容置腔体32中。箔式绕组30为单层、单匝结构。箔式绕组30绕在芯柱本体20上,且每个箔式绕组30引出焊接部31成H形,位于磁芯本体10的底部。
组装本实用新型时,首先把第一芯柱21和第二芯柱22通过胶水粘合成一整体,形成所述芯柱本体20;再将所述箔式绕组30绕在芯柱本体20上;然后合上所述第一磁芯11和第二磁芯12即可。
综上所述,上述新型多相位耦合电感器,结构紧凑,体积小,重量轻,制作简单,适合平面贴件装配,实现开关电源的集成化、小型化、平面化和高效率。在电路中能取代多个分立式电感器,改善电气电路的性能,提高电路的瞬态响应速度等动态性能。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种新型多相位耦合电感器,其特征在于,包括磁芯本体,所述磁芯本体的两端部均具有第一缝隙;所述磁芯本体内设有若干个芯柱本体,所述芯柱本体上具有第二缝隙;每一个芯柱本体外围均设有一箔式绕组,所述箔式绕组设有两焊接部,所述两焊接部位置平行。
2.根据权利要求1所述的新型多相位耦合电感器,其特征在于,所述磁芯本体包括第一磁芯和第二磁芯,所述第一磁芯和第二磁芯均呈U形;所述第一磁芯的端部和第二磁芯端部对接形成所述第一缝隙。
3.根据权利要求1所述的新型多相位耦合电感器,其特征在于,所述芯柱本体包括第一芯柱和第二芯柱,所述第一芯柱和第二芯柱结构相同,所述第一芯柱和第二芯柱结合形成所述第二缝隙。
4.根据权利要求1所述的新型多相位耦合电感器,其特征在于,所述箔式绕组具有一容置腔体,所述芯柱本体位于所述容置腔体中。
5.根据权利要求1所述的新型多相位耦合电感器,其特征在于,所述箔式绕组为单层、单匝结构。
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