CN203567281U - 双银低辐射镀膜玻璃 - Google Patents
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Abstract
一种双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片及形成于玻璃基片上的膜层，所述膜层包括电介质层、形成于电介质层上的第一银层、形成于第一银层上的第一阻挡层、形成于第一阻挡层之上的第二银层、以及形成于第二银层之上的第二阻挡层，所述第一阻挡层、第二阻挡层为还原性大于银的金属或部分氧化的金属，利用阻挡层的高还原性在钢化过程中保护第一、第二银层不受损坏，维持镀膜玻璃的高反射性能，在生产中可以采用大板原片进行镀膜然后钢化、切割，可大大提高生产效率，降低生产能耗，降低生产成本，增加生产量，缩短交货期，补片也更及时。
Description
技术领域
本实用新型涉及玻璃，尤其涉及一种双银低辐射镀膜玻璃。
背景技术
双银低辐射（Low-Emissivity）镀膜玻璃是在玻璃表面上沉积多层膜材，在多层膜材中沉积两层以上的纯银基材的玻璃产品，具有高可将光透射率、极高的远红外线反射率，可将98%以上的远红外热辐射反射回去，是建材中使用最为广泛的材料之一，通常被用来制作玻璃幕墙、门窗、车窗等。
现有的双银低辐射玻璃制造工艺一般是：裁片--磨边--钢化--镀膜--中空，也就是说先根据客户需要的尺寸进行裁切、钢化处理，然后再镀膜，避免在钢化的过程中膜层中的银（Ag）原子受热迁移、凝聚、氧化，导致电阻升高、辐射率下降，严重时甚至导致Ag膜失效。然而，先切割钢化处理然后再镀膜会使得镀膜设备的生产效率低下，而且若出现破片后进行补片的时间也会延长，严重影响生产效率。
发明内容
有鉴于此，提供一种生产效率较高的双银低辐射镀膜玻璃。
一种双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片及形成于玻璃基片上的膜层，所述膜层包括电介质层、形成于电介质层上的第一银层、形成于第一银层上的第一阻挡层、形成于第一阻挡层之上的第二银层、以及形成于第二银层之上的第二阻挡层，所述第一阻挡层、第二阻挡层为还原性大于银的金属或部分氧化的金属。
相较于现有技术，本实用新型双银低辐射镀膜玻璃在其第一银层、第二银层之上分别形成第一、第二阻挡层，利用第一、第二阻挡层的高还原性在钢化过程中保护第一、第二银层不受损坏，维持镀膜玻璃的高反射性能，在生产中可以采用大板原片进行镀膜然后钢化、切割，可大大提高生产效率，降低生产能耗，降低生产成本，增加生产量，缩短交货期，补片也更及时。
附图说明
图1为本实用新型双银低辐射镀膜玻璃的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
如图1所示，本实用新型双银低辐射镀膜玻璃为多层镀膜结构，包括玻璃基片10、以及形成于玻璃基片10上的膜层30，具体地，所述膜层30包括顺序形成于玻璃基片10上的第一电介质层31、第二电介质层32、第一银层33、第一阻挡层330、第三电介质层34、第四电介质层35、第二银层36、第二阻挡层360、第五电介质层37、以及第六电介质层38。
其中，所述第一电介质层31直接形成于玻璃基片10的表面上，为金属氧化物或金属氮化物，如由ZrO2和/或SiNx组成，厚度为10-30nm。ZrO2和SiNx层可有效阻挡钢化或热弯时，玻璃基片10扩散出的Na离子。所述第二电介质层32形成于第一电介质层31之上，为金属氧化物层，如AZO或ZnO，其厚度为5-20nm，优选地为10-15nm。AZO和ZnO层有利于后续银层的择优取向生长，降低银层面电阻，降低膜层30的辐射率。所述第一、第二电介质层31、32形成ZrO2/AZO或ZrO2/ZnO的复合结构，有利于降低膜层30的反射率，调节玻面颜色。
所述第一银层33、第二银层36的厚度均为5-20nm，优选地为10-15nm，用于形成远红外反射，是整个双银低辐射镀膜玻璃形成远红外热辐射反射的根本。所述的第一阻挡层330、第二阻挡层360分别形成于第一银层33、第二银层36之上，其材料为还原性强于银的金属或部分氧化的金属材料，如NiCr、NiCrOx、或Ti，其厚度为0.5-5nm。第一、第二阻挡层330、360在钢化或热弯过程中，通过其高还原性保护第一、第二银层33、36，防止第一、第二银层33、36氧化，维持镀膜玻璃的高反射性能，在制作本实用新型双银低辐射镀膜玻璃时可以将玻璃原片先进行镀膜，然后钢化，最后再根据需要进行切割，可以在生产中采用大板原片进行镀膜然后钢化、切割，相较于切割后分别对每块玻璃基片10进行镀膜，可大大提高生产效率，降低生产能耗，降低生产成本，增加生产量，缩短交货期，补片也更及时。
所述第一阻挡层330与第二银层36之间还形成有第三、第四电介质层35，其中，第三电介质层34形成于第一阻挡层330之上，通常为TiO2/ZnSnOx/TiO2复合结构，厚度约为20-50nm，优选地为30-40nm，用于增加可见光透过率，通过调整所述第三电介质层34的厚度可调节透过颜色和反射颜色。所述第四电介质层35为金属氧化层，类似于第二电介质层32，可以为AZO或ZnO，其厚度为5-20nm，优选地为10-15nm。
在第二阻挡层360之外，还形成有第五、第六电介质层38，其中第五介质层为ZnSnOx或SnO2，其厚度为10-30nm，优选地为10-20nm，通过调节第五介质层的厚度可调节镀膜玻璃的颜色和透过率。所述第六介质层为SiNx，其厚度为10-30nm，优选地为10-20nm，用以保护整个膜层30，防止划伤缺陷的产生。
例如，本实用新型双银低辐射镀膜玻璃的一具体实施例，其膜层30为形成于玻璃基片10上的Si3N4-ZnO-Ag-NiCrOx-TiO2/ZnSnOx/TiO2-ZnO-Ag-NiCrOx-SnO2-Si3N4，其中：
玻璃基片10为6mm厚的建筑级透明浮法玻璃原片；
第一电介质层31为Si3N4，厚度为15nm，采用中频交流电源加双旋转阴极在氩气和氮气气氛下溅射沉积形成，真空磁控溅射设备功率为30-50kW，中频电源频率为40kHz；
第二电介质层32为ZnO，厚度为10nm，采用中频交流电压加双旋转阴极在氩气和氧气气氛下沉积形成，真空磁控溅射设备功率为20-40kW，中频电源频率为40kHz；
第一银层33的厚度为11nm，采用直流电源加平面阴极在氩气气氛下沉积的，真空磁控溅射设备功率为2-10kW，中频电源频率为40kHz；
第一阻挡层330为NiCrOx，厚度为1.5nm，采用直流电源加平面阴极在氩气和氧气气氛下沉积的，真空磁控溅射设备功率为2-10kW，中频电源频率为40kHz；
第三电介质层34为TiO2/ZnSnOx/TiO2，厚度为30nm，其中TiO2层是采用中频交流电源加旋转阴极在氩气和氧气气氛下沉积的，真空磁控溅射设备功率为10-20kW，中频电源频率为40kHz，ZnSnOx层是采用中频交流电压加双旋转阴极在氩气和氧气气氛下沉积的，真空磁控溅射设备功率为30-50kW，中频电源频率为40kHz；
第四电介质层35为ZnO，厚度为10nm，其形成方法与第二介电层相同；
第二银层36的厚度为12.5nm，其形成方法与第一银层33相同；
第二阻挡层360为NiCrOx，厚度为2nm，其形成方法与第一阻挡层330相同；
第五电介质层37为SnO2，厚度为15nm，采用中频交流电压加双旋转阴极在氩气和氧气气氛下沉积的，真空磁控溅射设备功率为20-50kW，中频电源频率为40kHz；
第六电介质层38为Si3N4，厚度为15nm，其形成方式与第一电介质层31相同。
由于本实用新型双银低辐射镀膜玻璃在第一、第二银层33、36上形成有第一、第二阻挡层330、360，所以在制造过程中是先将玻璃原片镀膜，然后钢化处理，最后根据预定大小切割，因此生产效率高，大幅提升产能，其所形成的双银低辐射镀膜玻璃性能优良，如本实施例的双银低辐射镀膜玻璃的辐射率ε≤0.05，中空产品（结构为6mm双银低辐射镀膜玻璃+12mm空气层+6mm普通白玻）的传热系数U值1.55W/m2K，遮阳系数0.3。透过颜色a*=-2~-1，b*=-1~0，反射颜色a*=-1~0，b*=-3~-2，性能优异，可以作为玻璃幕墙、玻璃门窗、车窗广泛应用。
需要说明的是，本实用新型并不局限于上述实施方式，根据本实用新型的创造精神，本领域技术人员还可以做出其他变化，这些依据本实用新型的创造精神所做的变化，都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片及形成于玻璃基片上的膜层，其特征在于，所述膜层包括电介质层、形成于电介质层上的第一银层、形成于第一银层上的第一阻挡层、形成于第一阻挡层之上的第二银层、以及形成于第二银层之上的第二阻挡层，所述第一阻挡层、第二阻挡层为还原性大于银的金属或部分氧化的金属。
2.如权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述的第一阻挡层为NiCr、NiCrOx或Ti，厚度为0.5-5nm。
3.如权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述的第二阻挡层为NiCr、NiCrOx或Ti，厚度为0.5-5nm。
4.如权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一银层和第二银层的厚度均为5-20nm。
5.如权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述电介质层包括直接形成于玻璃基片上的第一电介质层，由ZrO2和/或SiNx组成，厚度为10-30nm。
6.如权利要求5所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述电介质层还包括形成于第一电介质层之上的第二电介质层，所述第二电介质层为AZO或ZnO，厚度为5-20nm。
7.如权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，还包括形成于第一阻挡层与第二银层之间的第三电介质层，所述第三电介质层为TiO2/ZnSnOx/TiO2复合结构，其厚度为20-50nm。
8.如权利要求7所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，还包括形成于第三电介质层与第二银层之间的第四电介质层，所述的第四电介质层为AZO或ZnO，厚度为5-20nm。
9.如权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，还包括形成于第二银层上的第五电介质层，所述的第五电介质层为SnO2或ZnSnOx，厚度为10-30nm。
10.如权利要求9所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，还包括形成于第五电介质层上的第六电介质层，所述的第六电介质层为Si3N4，厚度为10-30nm。
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