CN203559119U - 一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，包括靶材基体和多个设置于靶材基体表面的磁铁片，每个磁铁片大小相同，靶材基体表面上、下两侧均形成有高阻区，靶材基体表面中部形成有低阻区，上、下两侧高阻区均包括一排靠近靶材基体短边且沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片以及相互平行的三排沿磁铁片短边方向依次等距分布的磁铁片，低阻区包括相互平行的三排沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片，上侧高阻区中的四排磁铁片与下侧高阻区中磁铁片对称，低阻区中的三排磁铁片长度相等。本实用新型通过改变靶材结构中磁铁片的排列方式，确保ITO膜层阻值的均匀性，提高了整体生产过程中的良品率，方法简便快捷，易于实现。
Description
技术领域
本实用新型涉及直流磁控溅射镀膜设备的靶材结构，更为具体地，涉及一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构。
背景技术
目前业界采用双面直流磁控溅射镀膜工艺生产的上、下两片ITO膜中，位于靶材上、下两部分对应的膜值为100Ω左右，位于靶材中间所对应的膜值为80Ω左右，不均匀性基本上在15%左右。当电容式触摸屏产品尺寸小于5英寸时，其基本上不会有影响；当产品尺寸达到7英寸以上时，较高的ITO膜不均匀性将会导致产品容抗值偏大或偏小，触摸时感应不灵或过于灵敏，因此导致的产品不良率高达10%以上，而镀膜机平面磁场不均匀是导致ITO膜阻值不均匀的主要原因，因此亟需对双面直流磁控溅射镀膜设备进行改进，从而提高ITO膜层的均匀性，从而保证整个触摸屏灵敏度的均匀。
发明内容
为解决上述问题，本实用新型提供了一种降低双面ITO膜层低电阻区磁场强度的靶材结构，通过改变靶材铁片的排列方式，从而降低低电阻区磁场强度，从而改善双面ITO膜层的均匀性。
为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，包括长方形靶材基体和多个设置于靶材基体表面的长方形磁铁片，每个磁铁片大小相同，所述靶材基体表面上、下两侧均形成有高阻区，靶材基体表面中部形成有低阻区，所述的上、下两侧高阻区均包括一排靠近靶材基体短边且沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片以及相互平行的三排沿磁铁片短边方向依次等距分布的磁铁片，低阻区包括相互平行的三排沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片。
所述上侧高阻区中的四排磁铁片与下侧高阻区中的四排磁铁片相互对称。
所述低阻区中的三排磁铁片长度相等。
有益效果：本实用新型通过改变靶材结构低阻区中磁铁片的排列方式和数量，提高了ITO膜层阻值的均匀性，从而提高了整体生产过程中的良品率，该方法简便快捷，易于实现。
附图说明
图1为一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构的结构示意。
图中，1-上侧高阻区、2-下侧高阻区、3-低阻区、4-磁铁片。
具体实施方式
如图1所示，一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，包括由长方形状的靶材基体及固定于靶材基体表面的磁铁片而形成的上侧高阻区1、下侧高阻区2及低阻区3，所述的上侧高阻区1和下侧高阻区2分别位于靶材基体的上侧和下侧，低阻区3位于靶材基体表面的中间位置，所述的靶材表面的每个磁铁片4为长方形状，且大小相同，所述的上侧高阻区1包括有一排靠近靶材基体短边且沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片以及相互平行的三排沿磁铁片短边方向依次等距分布的磁铁片，即靠近靶材基体短边的一排磁铁片的长边均与靶材基体的的短边相平行，而另外三排相互平行的磁铁片的短边与靶材基体的长边相平等，所述的下侧高阻区2中的磁铁片的排列方式与上侧高阻区1的磁铁片的排列方式相对称。所述的低阻区3包括相互平行的三排沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片，即低阻区3中磁铁片的长边与靶材基体的长边平行，并且低阻区3三排磁铁片长度相同，并且上下两端位于同一水平线。
由于传统的磁控溅射镀膜设备靶材结构包括三排相互平行的三排沿磁铁片短边方向依次等距分布的磁铁片，其磁铁片的短边均与靶材基体的长边相平行，由于镀膜时采用的是两片玻璃左右两边对齐，上下平行的方式放置，采用传统靶材结构容易造成靶材中间段所对应的玻璃的ITO膜层由于膜层较厚而膜电阻低的情况，采用传统靶材结构进行镀膜，上下两侧的膜阻往往较中间位置的的膜阻高20Ω左右，由此导致了整个ITO膜层的膜厚不一致，膜阻不一致，而通过改变靶材基体表面的磁铁片的排列方式，使整个靶材形成高、低、高电阻区域，以此该靶区的磁场强度，降低所对应的中间段膜层的厚度，提高ITO膜层的电阻，保证整人膜层的均匀性。
Claims (3)
1.一种降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，包括长方形靶材基体和多个设置于靶材基体表面的长方形磁铁片，每个磁铁片大小相同，所述靶材基体表面上、下两侧均形成有高阻区，靶材基体表面中部形成有低阻区，其特征在于：所述的上、下两侧高阻区均包括一排靠近靶材基体短边且沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片以及相互平行的三排沿磁铁片短边方向依次等距分布的磁铁片，低阻区包括相互平行的三排沿磁铁片长边方向依次等距分布的磁铁片。
2.根据权利要求1所述的降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，其特征在于：所述上侧高阻区中的四排磁铁片与下侧高阻区中的四排磁铁片相互对称。
3.根据权利要求1所述的降低磁场强度的磁控溅射镀膜设备靶材结构，其特征在于：所述低阻区中的三排磁铁片长度相等。
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