CN203444239U - 焦面调整装置 - Google Patents

焦面调整装置 Download PDF

Info

Publication number
CN203444239U
CN203444239U CN201320417821.6U CN201320417821U CN203444239U CN 203444239 U CN203444239 U CN 203444239U CN 201320417821 U CN201320417821 U CN 201320417821U CN 203444239 U CN203444239 U CN 203444239U
Authority
CN
China
Prior art keywords
focal plane
controllable optical
projection objective
optical device
catoptron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320417821.6U
Other languages
English (en)
Inventor
周静怡
马明英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd filed Critical Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201320417821.6U priority Critical patent/CN203444239U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203444239U publication Critical patent/CN203444239U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本实用新型提出一种焦面调整装置,包括工件台以及成像装置;成像装置设置在工件台上方;成像装置包括投影物镜、可控光学器件以及电控单元;可控光学器件设置在投影物镜内;可控光学器件与电控单元连接;添加可控光学器件在投影物镜与工件台之间,通过电控单元调整可控光学器件的光学特性改变投影物镜焦面的高阶形貌,使得投影物镜焦面产生特定的形貌起伏,并使焦面与硅片表面的高阶起伏重合,从而提高了光刻机的总体调焦精度,进而提高光刻工艺的成品率。

Description

焦面调整装置
技术领域
本实用新型涉及光刻领域,尤其涉及一种焦面调整装置。 
背景技术
光刻设备是一种应用于集成电路制造的装备,该装备的应用范围包括但不限于:集成电路制造光刻装置、液晶面板光刻装置、光掩模刻印装置、MEMS(微电子机械系统)/MOMS(微光机系统)光刻装置、先进封装光刻装置、印刷电路板光刻装置及印刷电路板加工装置等。 
在光刻设备的曝光过程中,需要对硅片进行对焦,由于硅片的厚度偏差、面形起伏以及投影物镜焦面的离焦、倾斜、场曲等因素,会造成硅片在曝光场内的局部区域垂向位置相对于物镜焦面存在偏差。如果该偏差大于有效焦深,将严重影响光刻设备的曝光,进而影响集成电路的质量和成品率。在当前的光刻工艺中,硅片的表面起伏以及投影物镜的场曲,硅片在曝光场内的局部区域垂向位置相对于物镜焦面存在的偏差已经非常接近光刻工艺的有效焦深。因此,必须采用调焦调平传感器测量出硅片表面的局部形貌相对于投影物镜焦平面的差异,并通过调焦的方法,使该差异尽可能小。 
传统的调焦方法是用工件台驱动硅片做垂向运动,调整硅片的高度和倾斜,使硅片局部区域的最佳拟合面与投影物镜焦面的最佳拟合面重合。由于工件台驱动硅片做垂向运动的控制方式只能调整硅片局部区域的离焦量和倾斜量,无法补偿曝光场内局部区域的高阶起伏,因此该方法无法完全补偿投影物镜视场范围内各个位置的离焦。 
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种焦面调整装置,以提高对焦精度。 
为了实现上述目的,本实用新型提出一种焦面调整装置,包括:工件台以 及成像装置;所述成像装置设置在所述工件台上方;所述成像装置包括投影物镜、可控光学器件以及电控单元;所述可控光学器件设置在所述投影物镜内;所述可控光学器件与所述电控单元连接。 
进一步的,所述可控光学器件包括三棱反射镜以及自适应光学器件,所述自适应光学器件设置在所述三棱反射镜的一侧。 
进一步的,,所述自适应光学器件为自适应凹形反射镜。 
进一步的,所述投影物镜中的光线经所述三棱反射镜的其中一表面反射至自适应光学器件,再经由所述自适应光学器件反射至所述三棱反射镜的另一面,最后经过投影物镜并照射在所述工件台上的晶圆表面。 
进一步的,所述可控光学器件为多电极驱动液晶透镜。 
进一步的,所述可控光学器件位于所述投影物镜的光瞳与像面之间。 
与现有技术相比,本实用新型的有益效果主要体现在:在投影物镜与工件台之间添加可控光学器件,通过电控单元调整可控光学器件的光学特性以改变投影物镜焦面的高阶形貌,使得投影物镜焦面产生特定的形貌起伏,并使焦面与硅片表面的高阶起伏重合,从而提高了光刻机的总体调焦精度,进而提高光刻工艺的成品率。 
附图说明
图1为实施例一中焦面调整装置的结构示意图; 
图2a至图2b为实施例一中焦面调整示意图; 
图3为实施例二中焦面调整装置的结构示意图。 
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的焦面调整装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。 
实施例一 
请参考图1,本实施例中,提出一种焦面调整装置,包括:工件台100以及 成像装置;所述成像装置设置在所述工件台100上方;所述成像装置包括投影物镜200、可控光学器件300以及电控单元400;所述可控光学器件300设置在所述投影物镜200内部;所述可控光学器件300与所述电控单元400连接。进一步的,所述可控光学器件300位于所述投影物镜200光瞳与像面之间。 
本实施例中,所述可控光学器件300包括三棱反射镜310以及自适应光学器件,所述自适应光学器件为自适应凹形反射镜320,所述自适应凹形反射镜320设置在所述三棱反射镜310的一侧,并与所述电控单元400连接;所述投影物镜200包括多个透镜,具体地说,包括1个凹透镜以及7个凸透镜,从上至下依次为凸透镜201、202、凹透镜203、凸透镜204、205、206、207、208;所述三棱反射镜310位于凸透镜205和凸透镜206之间,自适应凹形反射镜320位于所述三棱反射镜310的一侧。光线可以通过凸透镜201、凸透镜202、凹透镜203、凸透镜204以及凸透镜205经过三棱反射镜310的其中一表面反射至自适应凹形反射镜320,再经由自适应凹形反射镜320反射至三棱反射镜310的另一面,最后分别经过凸透镜206、凸透镜207以及凸透镜208至放置在工件台100上的晶圆表面。 
请参考图2a以及图2b,焦面调整装置的具体使用方式:首先,将硅片500放置于所述工件台100上,使用现有的光刻设备先测量一组焦面与电压的关系曲线;接着,将焦面与电压的关系曲线信息输入电控单元400;然后由电控单元400将焦面与电压的关系曲线转化成信号控制量,并将产生的相应的信号控制量施加于所述自适应凹形反射镜320,使所述自适应凹形反射镜320的每一点产生不同的曲率,产生特定起伏的焦面,从而使得像面各点均处在该焦面处。也就是说,当所述投影物镜200出射的光线经过所述可控光学器件成像到放置在工件台100的硅片上时,通过之前输入的焦面与电压的关系曲线的信息,调节所述电控单元400的电压,使得投影物镜200焦面产生特定的形貌起伏,并使该形貌起伏与硅片500面形重合,从而使硅片500各个位置均可处在最佳焦面位。 
所述电控单元400将焦面与电压的关系曲线转化成信号控制量的流程如下: 
1、通过测量得到硅片面形与所述投影物镜200面形差的系数矢量:
Figure DEST_PATH_GDA0000403296570000031
2、将所述自适应凹形反射镜320的控制量适量化为一个矩阵
Figure DEST_PATH_GDA0000403296570000032
则面形系数差 Δ A → mn = M · E → ;
3、用光学设计软件计算出矩阵M: 
1)将
Figure DEST_PATH_GDA0000403296570000041
定义为单位对角矩阵; 
2)逐列放到光学设计软件中计算结果,可以直接得到矩阵M; 
4、 M - 1 · Δ A → mn = E → , 由此得出
Figure DEST_PATH_GDA0000403296570000043
5、将
Figure DEST_PATH_GDA0000403296570000044
经过计算处理转变成相应的信号控制量。 
对于不同面形的硅片,所述投影物镜200的理想焦面与硅片面形会存在偏差,也就是说,硅片500不同面形所对应的最佳焦面位置不同,如图2a中实线表示硅片500面形,虚线表示所述投影物镜200的理想焦面。按照上述方法计算出信号控制量,所述电控单元400将产生的相应的信号控制量施加于所述自适应凹形反射镜320中,使所述自适应凹形反射镜320每一点产生不同的曲率,从而使得硅片500各个位置均可处在最佳焦面位,如图2b中所示,经过电控单元400调节后,硅片500面形与所述投影物镜200的最佳焦面完全重合。 
实施例二 
请参考图3,在本实施例中,提出的焦面调整装置包括:工件台110以及成像装置;所述成像装置设置在所述工件台110上方;所述成像装置包括投影物镜210、可控光学器件510以及电控单元410;所述可控光学器件510设置在所述投影物镜210内部;所述可控光学器件510与所述电控单元410连接,本实施例中所述可控光学器件510为多电极驱动液晶透镜。所述投影物镜210包括多个透镜,具体地说,包括1个凹透镜以及7个凸透镜,从上至下依次为凸透镜211、212、凹透镜213、凸透镜214、215、216、217、218;所述可控光学器件310位于凸透镜205和凸透镜206之间。光线可以依次通过凸透镜211、凸透镜212、凹透镜213、凸透镜214、凸透镜215以及可控光学器件510,最后分别经过凸透镜206、凸透镜207以及凸透镜208至放置在工件台110上的晶圆表面。 
焦面调整装置的具体使用方式与实施例一相同,具体请参考实施例一,在此不再赘述。 
综上,在本实用新型实施例提供的焦面调整装置中,添加可控光学器件在投影物镜之内,通过电控单元调整可控光学器件的光学特性改变投影物镜焦面 的高阶形貌,使得投影物镜焦面产生特定的形貌起伏,并使焦面与硅片表面的高阶起伏重合,从而提高了光刻机的总体调焦精度,进而提高光刻工艺的成品率。 
上述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不对本实用新型起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本实用新型的技术方案的范围内,对本实用新型揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本实用新型的技术方案的内容,仍属于本实用新型的保护范围之内。 

Claims (6)

1.一种焦面调整装置,其特征在于,包括:工件台以及成像装置;所述成像装置设置在所述工件台上方;所述成像装置包括投影物镜、可控光学器件以及电控单元;所述可控光学器件设置在所述投影物镜内;所述可控光学器件与所述电控单元连接。
2.如权利要求1所述的焦面调整装置,其特征在于,所述可控光学器件包括三棱反射镜以及自适应光学器件,所述自适应光学器件设置在所述三棱反射镜的一侧。
3.如权利要求2所述的焦面调整装置,其特征在于,所述自适应光学器件为自适应凹形反射镜。
4.如权利要求2所述的焦面调整装置,其特征在于,所述投影物镜中的光线经所述三棱反射镜的其中一表面反射至自适应光学器件,再经由所述自适应光学器件反射至所述三棱反射镜的另一面,最后经过投影物镜并照射在所述工件台上的晶圆表面。
5.如权利要求1所述的焦面调整装置,其特征在于,所述可控光学器件为多电极驱动液晶透镜。
6.如权利要求1所述的焦面调整装置,其特征在于,所述可控光学器件位于所述投影物镜的光瞳与像面之间。
CN201320417821.6U 2013-07-12 2013-07-12 焦面调整装置 Expired - Lifetime CN203444239U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320417821.6U CN203444239U (zh) 2013-07-12 2013-07-12 焦面调整装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320417821.6U CN203444239U (zh) 2013-07-12 2013-07-12 焦面调整装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203444239U true CN203444239U (zh) 2014-02-19

Family

ID=50095273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320417821.6U Expired - Lifetime CN203444239U (zh) 2013-07-12 2013-07-12 焦面调整装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203444239U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106292188A (zh) * 2015-05-24 2017-01-04 上海微电子装备有限公司 曝光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106292188A (zh) * 2015-05-24 2017-01-04 上海微电子装备有限公司 曝光装置
US10197921B2 (en) 2015-05-24 2019-02-05 Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. Exposure device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101349871B (zh) 光刻照明装置
EP2735905B1 (en) Double-surface manufacturing method and exposure apparatus
CN103926683B (zh) 一种变焦光学系统
CN1595300B (zh) 衬底曝光方法和光刻投影设备
WO2010046410A3 (en) Method of compensation for bleaching of resist during three-dimensional exposure of resist
CN110673238B (zh) 微透镜阵列的制作方法
CN103529654A (zh) 一种直写式光刻系统中内层对位的方法
CN105573064B (zh) 曝光方法、曝光装置和物品制造方法
CN109270804A (zh) 倾斜直写曝光机镜头倍率以及偏转角度的标定调整方法
CN203444239U (zh) 焦面调整装置
Huang et al. Flexible fabrication of biomimetic compound eye array via two-step thermal reflow of simply pre-modeled hierarchic microstructures
CN201897692U (zh) 带对准标记的掩模版
CN104220931A (zh) 补偿微光刻投射曝光系统的通道缺陷的设备及方法
CN102645730B (zh) 一种实验型浸没式投影光刻物镜
JP2004062096A5 (zh)
CN103383531A (zh) 掩模对准装置及使用该装置的光刻设备
CN204028439U (zh) 傅里叶变换物镜
CN203811868U (zh) 采用psd的光电定心仪
CN103353669B (zh) 一种高数值孔径浸没投影物镜
CN103364927B (zh) 光刻机照明系统偏振测量用光学系统
CN208999760U (zh) 一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组
CN103926677A (zh) 用于光刻照明系统光瞳测量的傅里叶变换物镜
CN101109711A (zh) 布图的检查装置、检查方法以及半导体装置的制造方法
CN102854758A (zh) 光刻投影物镜中光学元件x-y微动调整装置
CN109656105A (zh) 一种大行程超精密二维运动平台位置精度补偿的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 201203 Pudong New Area East Road, No. 1525, Shanghai

Patentee after: SHANGHAI MICRO ELECTRONICS EQUIPMENT (GROUP) Co.,Ltd.

Address before: 201203 Pudong New Area East Road, No. 1525, Shanghai

Patentee before: SHANGHAI MICRO ELECTRONICS EQUIPMENT Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140219

CX01 Expiry of patent term