CN203423656U - 一种Doherty功放 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种Doherty功放,所述Doherty功放中的至少一个功放管与其它功放管位于不同平面;所述Doherty功放的宽度小于所有功放管位于相同平面时的宽度。本实用新型能够有效减小Doherty功放的PCB平面的面积。

Description

一种Doherty功放
技术领域
本实用新型涉及通信领域,具体涉及一种Doherty功放。
背景技术
射频功率放大器(简称为功放)被广泛应用于各种无线通信发射设备中。线性功放在基站中的成本比例约占1/3,如何有效、低成本地解决功放的线性化问题显得非常重要。高效率高线性度的Doherty功放研究是一个热门课题。
目前采用数字预失真与Doherty功放相结合的设计,已经广泛运用于功放的设计,大大的提高功放的效率,有的功放效率甚至高达50%。
随着Doherty技术的不断成熟,对于Doherty的设计方案也日新月异,出现了多路Doherty,不对称Dohery,Doherty推Doherty等各种各样的设计方案。但是这些技术更新只是基于功放管的搭配,仍然沿用着传统的结构布局。传统的功放管布局如图1、2所示,Carrier路和Peaking路的功放管在同一平面,紧紧挨在一起。具体而言,传统的Doherty功放包含长度为L、宽度为W的印刷电路板(PCB)1,输入信号由功放输入口5进入Doherty功放,通过功分器6进入Carrier功放管和Peaking功放管,再进入合路器8以进行功率合成,最终到达功放输出口7。PCB1可以通过螺钉或者整版焊接的工艺紧贴散热的金属基板,可以将PCB1和金属基板总称为PCB。PCB底面到盖板底面的高度为H。传统的Doherty功放可以分为3层,其侧面如图2所示,包括PCB、包含功放管电路的腔体11、Doherty功放的盖板。
上述这种传统布局不但导致Doherty电路的使用PCB平面面积较大,同时Carrier路的功放管发热也会影响着Peaking路的功放管的性能。功放管越热导致功放的效率越低。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种Doherty功放,以减小Doherty功放的PCB平面的面积。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种Doherty功放,所述Doherty功放中的至少一个功放管与其它功放管位于不同平面;所述Doherty功放的宽度小于所有功放管位于相同平面时的宽度。
所述Doherty功放中的至少一个功放管与其它功放管位于不同层。
所述Doherty功放中至少有一个功放管与其它功放管中的至少一个纵向重叠设置。
所述Doherty功放包含至少一个Carrier功放管,还包含至少一个Peaking功放管。
所述Carrier功放管为两个或两个以上时,各Carrier功放管位于不同层;或,所有Carrier功放管中至少有两个Carrier功放管位于相同层;
和/或,
所述Peaking功放管为两个或两个以上时,各Peaking功放管位于不同层;或,所有Peaking功放管中至少有两个Peaking功放管位于相同层。
所述Doherty功放中的功放管设置于印刷电路板PCB上。
所述PCB为单面PCB;或,
所述PCB为双面PCB。
所述PCB与所述Doherty功放中的功分器相连,所述PCB还与所述Doherty功放中的合路器。
针对同一层的功放管,还设置有盖板,所述盖板与所述功放管所位于的PCB形成包围功放管的屏蔽腔。
所述Doherty功放包含至少一个功放管通道;每个功放管通道包含至少一个Carrier功放管,还包含至少一个Peaking功放管。
本实用新型与现有技术相比,其显著优点在于:(1)最大能够减小50%的Doherty功放的PCB平面的面积。(2)Carrier功放管与Peaking功放管分别单独散热,减少Carrier功放管对Peaking功放管的热影响,更加提高Peaking功放管的性能。(3)Carrier功放管与Peaking功放管分别设计于不同腔体中,减少彼此之间的影响。(4)Peaking功放管的散热材料可以选择更加廉价的材料,减少成本。
附图说明
图1为传统Doherty电路的Carrier路以及Peaking路的俯视图;
图2为传统Doherty电路的Carrier路以及Peaking路的侧面图;
图3为本实用新型Doherty功放俯视图;
图4为本实用新型Doherty功放布局方式1侧面图1;
图5为本实用新型Doherty功放布局方式2侧面图1;
图6为本实用新型Doherty功放布局方式1侧面图2;
图7为本实用新型Doherty功放布局方式2侧面图2;
图8为传统3路Doherty功放的Carrier路以及Peaking路的俯视图;
图9为本实用新型3路Doherty功放俯视图;
图10为本实用新型3路Doherty功放布局方式1侧面图;
图11为本实用新型3路Doherty功放布局方式2侧面图;
图12为传统2通道Doherty功放的Carrier路以及Peaking路的俯视图;
图13为本实用新型2通道Doherty功放俯视图;
图14为传统2级Doherty功放的Carrier路以及Peaking路的俯视图;
图15为本实用新型2级Doherty功放的Carrier路以及Peaking路的俯视图;
图16为本实用新型2级Doherty功放侧面图1;
图17为本实用新型2级Doherty功放侧面图2;
附图标记说明:
1、PCB;5、功放输入口;6、功分器;7、功放输出口;8、合路器;11、腔体;14、合路器;16、功分器;18、;20、功放输入口;21、功放输出口;22、Carrier功放管的腔体;23、Carrier功放管的PCB;25、Peaking功放管的腔体;26、盖板;28、Peaking功放管的腔体;29、Carrier功放管的腔体;32、合路器端PCB连线;35、功分器端PCB连线;36、合路器端PCB连线;38、功分器端PCB连线;40、PCB;41、功放输出口;44、功放输入口;46、PCB;47、合路器;48、功放输出口;51、;52、;54、功分器;55、功放输入口;59、Peaking功放管1的腔体;60、Carrier功放管的腔体;61、Peaking功放管2的腔体;62、功分器端PCB连线;63、合路器端PCB连线;64、功分器端PCB连线;65、Carrier功放管的腔体;67、PCB;68、功放输出口;69、合路器;70、功分器;71、功放输入口;72、合路器端PCB连线;74、功放输出口;77、功放输入口;78、功分器;79、功放输入口;80、合路器;81、功分器;82、合路器;85、功放输出口;86、功分器端PCB连线;87、Carrier功放管的腔体;88、Peaking功放管的腔体;89、Carrier功放管的腔体;90、Peaking功放管的腔体;91、合路器端PCB连线;95、功分器端PCB连线;98、合路器端PCB连线。
具体实施方式
在实际应用中,可以结合Dohery功放Carrier路和Peaking路工作的特点进行Doherty功放的设计,如图3、图4所示最大可以减小一半Doherty功放使用PCB23的平面面积。
小型化立体的Doherty功放布局相比传统的Doherty功放,长度为L,宽度变为传统的Doherty功放的二分之一,即W/2。输入信号由功放输入口20进入Doherty功放,通过功分器16进入Carrier功放管和Peaking功放管(Carrier功放管与Peaking功放管分别置于两面PCB上),再经过合路器14进行功率合成,最终到达功放输出口21。上下层的布局结构有两种方式,方式一的侧面如图4、6所示,分为5层结构,包括Carrier功放管的PCB,封闭Carrier功放管的腔体22,实现功放屏蔽的盖板26,封闭Peaking功放管的腔体25,Peaking功放管的PCB。Peaking功放管与Carrier功放管用于与功分器16相连的功分器端PCB连线35,以及Peaking功放管与Carrier功放管用于与合路器14相连的合路器端PCB连线32分别通过盖板的开孔实现相应功放管与相应功分器、合路器的连接(如:用射频线缆或者单独的微带方式连接)。方式二的侧面如图5、7所示,分为5层结构,包括双面PCB,封闭Carrier功放管的腔体29,盖板1,封闭Peaking功放管的腔体28,盖板2。Peaking功放管与Carrier功放管用于与功分器16相连的功分器端PCB连线38,以及Peaking功放管与Carrier功放管用于与合路器14相连的合路器端PCB连线36分别通过双面PCB的开孔实现相应功放管与相应功分器、合路器的连接(如:用射频线缆或者单独的微带方式连接)。
对于多路的Doherty功放而言,本实用新型的立体小型化设计使效果更加显著。以包括1个Carrier路、2个Peaking路的3路Doherty功放为例。传统的设计方案如图8所示,所述3路Doherty功放包括1个Carrier功放管,所述2个Peaking路为2个Peaking功放管:Peaking1功放管、Peaking2功放管,所述3路Doherty功放还包括四分之一波长微带线以及输入输出1分3(不一定是等功率的,现在很多设计都是不对称Doherty功放)的功分器和合路器,上述器件均放置在PCB40上。运用传统的Doherty功放布局的方法,设计的宽度为W。
采用立体小型化的布局能够将Dohery功放的布局宽度最小减小为W/3,如图9所示。具体的布局方式有多种,如:方式一、输入信号由功放输入口55进入Dohery功放,通过功分器54进入Carrier功放管和Peaking1功放管、Peaking2功放管(Carrier功放管与Peaking1功放管、Peaking2功放管分别置于3个PCB上),再经过合路器47进行功率合成,最终到达功放输出口48。图9的侧面如图10所示,分为7层结构,包括设置Carrier功放管的PCB,封闭Carrier功放管的腔体60,盖板,封闭Peaking1功放管的腔体59,设置Peaking1功放管的PCB1,封闭Peaking2功放管的腔体61,设置Peaking2功放管的PCB2。Peaking2功放管的设计与Peaking1功放管的设计相似。Carrier功放管、Peaking1功放管和Peaking2功放管用于与功分器54相连的功分器端PCB连线62,以及Carrier功放管、Peaking1功放管和Peaking2功放管用于与合路器47相连的合路器端PCB连线63分别通过盖板、PCB1的开孔实现相应功放管与相应功分器、合路器的连接(如:用射频线缆或者单独的微带方式连接)。
方式二、布局宽度减小为W’,该方式的侧面图如图11所示,采用双面PCB,一面上设置Peaking1功放管和Peaking2功放管,另一面上设置Carrier功放管。图11分为5层结构,包括:Carrier功放管的盖板1,封闭Carrier功放管的腔体65,设置Carrier功放管的双面PCB,封闭Peaking1功放管和Peaking2功放管的腔体,以及Peaking1功放管和Peaking2功放管的盖板2。Peaking1功放管与Carrier1功放管用于与功分器54相连的功分器端PCB连线64,以及Peaking2功放管与Carrier功放管用于与合路器47相连的合路器端PCB连线72分别通过双面PCB的开孔实现相应功放管与相应功分器、合路器的连接(如:用射频线缆或者单独的微带方式连接)。
当采用多个通道时,以2通道的方案举例,传统2通道的Doherty功放布局如图12所示,2路通道均布局于同一PCB67上。第1路通道工作时,输入信号由功放输入口71进入Doherty功放,通过功分器70进入Carrier1功放管以及Peaking1功放管,再经过合路器69进行功率合成,最终到达功放输出口68。第2路通道的工作方式与第1路通道的工作方式相似。
针对如图12所示的2通道,本实用新型立体小型化的Doherty布局结构如图13所示,第1路通道工作时,输入信号由功放输入口77进入Doherty功放,通过功分器78进入Carrier1功放管和Peaking1功放管(Carrier1功放管与Peaking1功放管分别置于两个PCB上),再经过合路器80进行功率合成,最终到达功放输出口74。第2路通道的工作方式与第1路通道的工作方式相似。每1路通道的侧面设计可以如图4、5所示。
对于多级Doherty功放,通常采用多个Peaking功放管、Carrier功放管。以2级的Doherty功放为例,传统的2级的Doherty功放如图14所示。输入信号由功放输入口79进入Dohery功放,通过功分器81进入Carrier1功放管、Carrier2功放管,以及Peaking1功放管、Peaking2功放管,再经过合路器82进行功率合成,最终到达功放输出口85。采用本实用新型的立体小型化布局时,如图15所示。
图15的侧面可以表现为两种方式,分为5层结构。其中,方式一如图16所示,包括设置Carrier1功放管、Carrier2功放管的PCB2,封闭Carrier1功放管、Carrier2功放管的腔体87,盖板,封闭Peaking1功放管、Peaking2功放管的腔体88,设置Peaking1功放管、Peaking2功放管的PCB1。Peaking1功放管与Carrier1功放管用于与功分器81相连的功分器端PCB连线86,以及Peaking2功放管与Carrier2功放管用于与合路器82相连的合路器端PCB连线91分别通过盖板的开孔实现相应功放管与相应功分器、合路器的连接(如:用射频线缆或者单独的微带方式连接)。方式二如图17所示,采用双面PCB,一面上设置Peaking1功放管和Peaking2功放管,另一面上设置Carrier1功放管和Carrier2功放管。具体而言,图17所示结构具体包括:盖板1,封闭Carrier1功放管、Carrier2功放管的腔体89,双面PCB,封闭Peaking1功放管、Peaking2功放管的腔体90,盖板2。Peaking1功放管与Carrier1功放管用于与功分器81相连的功分器端PCB连线95,以及Peaking2功放管与Carrier2功放管用于与合路器82相连的合路器端PCB连线98分别通过双面PCB的开孔实现相应功放管与相应功分器、合路器的连接(如:用射频线缆或者单独的微带方式连接)。
本实用新型与现有技术相比,其显著优点在于:(1)最大能够减小50%的Doherty功放的PCB平面的面积。(2)Carrier功放管与Peaking功放管分别单独散热,减少Carrier功放管对Peaking功放管的热影响,更加提高Peaking功放管的性能。(3)Carrier功放管与Peaking功放管分别设计于不同腔体中,减少彼此之间的影响。(4)Peaking功放管的散热材料可以选择更加廉价的材料,减少成本。
以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例而已,并非用于限定本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种Doherty功放,其特征在于,所述Doherty功放中的至少一个功放管与其它功放管位于不同平面;所述Doherty功放的宽度小于所有功放管位于相同平面时的宽度。
2.根据权利要求1所述的Doherty功放,其特征在于,所述Doherty功放中的至少一个功放管与其它功放管位于不同层。
3.根据权利要求2所述的Doherty功放,其特征在于,所述Doherty功放中至少有一个功放管与其它功放管中的至少一个纵向重叠设置。
4.根据权利要求3所述的Doherty功放,其特征在于,所述Doherty功放包含至少一个Carrier功放管,还包含至少一个Peaking功放管。
5.根据权利要求4所述的Doherty功放,其特征在于,
所述Carrier功放管为两个或两个以上时,各Carrier功放管位于不同层;或,所有Carrier功放管中至少有两个Carrier功放管位于相同层;
和/或,
所述Peaking功放管为两个或两个以上时,各Peaking功放管位于不同层;或,所有Peaking功放管中至少有两个Peaking功放管位于相同层。
6.根据权利要求1至5任一项所述的Doherty功放,其特征在于,所述Doherty功放中的功放管设置于印刷电路板PCB上。
7.根据权利要求6所述的Doherty功放,其特征在于,
所述PCB为单面PCB;或,
所述PCB为双面PCB。
8.根据权利要求6所述的Doherty功放,其特征在于,所述PCB与所述Doherty功放中的功分器相连,所述PCB还与所述Doherty功放中的合路器。
9.根据权利要求6所述的Doherty功放,其特征在于,针对同一层的功放管,还设置有盖板,所述盖板与所述功放管所位于的PCB形成包围功放管的屏蔽腔。
10.根据权利要求1所述的Doherty功放,其特征在于,所述Doherty功放包含至少一个功放管通道;每个功放管通道包含至少一个Carrier功放管,还包含至少一个Peaking功放管。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425251A (zh) * 2017-07-17 2017-12-01 湖南智领通信科技有限公司 一种基于平面电路板的镜像功率合成方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10833634B2 (en) 2018-04-04 2020-11-10 City University Of Hong Kong Doherty power amplifier circuit
US11088661B2 (en) 2019-07-19 2021-08-10 Nxp Usa, Inc. Power amplifier devices containing inverted power transistor dies and methods for the fabrication thereof
US11387169B2 (en) 2020-08-04 2022-07-12 Nxp Usa, Inc. Transistor with I/O ports in an active area of the transistor
US11587852B2 (en) 2020-10-12 2023-02-21 Nxp Usa, Inc. Power amplifier modules with flip-chip and non-flip-chip power transistor dies
US11502026B2 (en) 2020-10-12 2022-11-15 Nxp Usa, Inc. Transistor with flip-chip topology and power amplifier containing same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053718B2 (en) * 2003-09-25 2006-05-30 Silicon Laboratories Inc. Stacked RF power amplifier
JP2007259253A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Sharp Corp 電力増幅器
KR100760519B1 (ko) * 2006-07-28 2007-09-20 김종헌 2단 도허티 전력 증폭 장치
WO2009151973A2 (en) * 2008-05-28 2009-12-17 Rayspan Corporation Power amplifier architectures
DE102011075312A1 (de) * 2011-05-05 2012-11-08 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Quasi-breitbandiger Doherty-Verstärker und diesbezügliche Kondensatorschaltung
CN202535311U (zh) * 2012-02-21 2012-11-14 武汉正维电子技术有限公司 一种功率放大器的装配结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425251A (zh) * 2017-07-17 2017-12-01 湖南智领通信科技有限公司 一种基于平面电路板的镜像功率合成方法
CN107425251B (zh) * 2017-07-17 2021-01-29 湖南智领通信科技有限公司 一种基于平面电路板的镜像功率合成方法

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US9800209B2 (en) 2017-10-24
US20160164473A1 (en) 2016-06-09

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