CN203417774U - 一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置 - Google Patents

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罗燚
方红承
彭金鑫
李新欣
曹华俊
兰永平
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Hoshine Silicon Industry Co ltd
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ZHEJIANG HESHENG SILICON INDUSTRY Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置。所述的旋风分离装置有三级，分别为一级旋风分离装置、二级旋风分离装置和三级旋风分离装置。一级旋风分离装置上部出口与二级旋风分离装置上部入口连接，二级旋风分离装置上部出口与三级旋风分离装置上部入口连接。所述的旋风分离装置包括一个蜗壳式旋风装置和两个双筒式旋风装置。

Description

一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置
技术领域
本实用新型属于精细化工领域的生产装置，尤其是一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置。
背景技术
气相二氧化硅俗称气相法白炭黑，粒径微小（7~40nm），比表面积大（50-400m2/g），产品纯度高（SiO2≥99.8%），分为亲水型和疏水型产品。作为一种重要的纳米级无机化工原材料，该产品具有优越的表面化学性能以及良好的生理惰性，广泛应用于硅橡胶、胶粘剂、油漆、涂料、油墨、纸张、化妆品、医药、食品等领域，起到补强、增稠、触变、消光等作用，是高技术领域和国防工业必不可少的原材料。其年均增长率高达百分之十几，产品前途光明，属于朝阳行业。受原料紧张影响气相白炭黑价格自今年上半开始一路上涨，从原来的15000元/吨，上涨到目前的25000元/吨，以此趋势预计明年将涨到30000元/吨以上。
生产气相法白炭黑的硅烷卤化物原料目前主要有SiCl4和CH3SiCl3 两种，其中SiCl4为多晶硅原料HSiCl3中的最主要副产物，CH3SiCl3则为有机硅单体甲基氯硅烷生产过程中的主要副产物。目前，受多晶硅行业不景气的影响，四氯化硅的价格从过去的“白送”免费，上涨到4000多元/吨，并且市场上还买不到，严重限制了国内诸多企业白炭黑生产装置开工不足，结果也导致近两年内气相白炭黑的价格将近上涨了一倍左右。而国内有机硅单体生产规模及产能近年来逐年递增，产生了大量的副产物CH3SiCl3。因此，利用CH3SiCl3作为原料来代替SiCl4更具有成本优势。
传统的利用SiCl4通过气相法生产白炭黑的旋风分离装置，分离效果差，影响分离系统的通气能力，对尾气处理不完全。在用CH3SiCl3作为原料，用现有的气相法生产白炭黑的旋风分离装置，分离效果差，影响分离系统的通气能力，对尾气处理不完全问题同样存在。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置。
本实用新型解决的是现有气相法生产白炭黑产品分离效果差，影响分离系统的通气能力，对尾气处理不完全的问题。
本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：所述的旋风分离装置有三级，分别为一级旋风分离装置、二级旋风分离装置和三级旋风分离装置，一级旋风分离装置上部出口与二级旋风分离装置上部入口连接，二级旋风分离装置上部出口与三级旋风分离装置上部入口连接。
所述的一级旋风分离装置为蜗壳式旋风装置，包括物料进口、排气管、导流挡板、导流管和灰斗，物料进口位于装置上方，导流管位于装置内部的中上部，其上端与排气管相接，导流挡板水平位于导流管上，灰斗位于装置下方。
所述的二级旋风分离装置为双筒式旋风装置，包括内筒、粉尘挡板和灰斗，内筒位于装置内中上部，粉尘挡板水平位于内筒上方，灰斗位于装置下方。
所述的三级旋风分离装置为双筒式旋风装置，包括内筒、粉尘挡板、灰斗和气体出口，内筒位于装置内中上部，粉尘挡板水平位于内筒上方，灰斗位于装置下方，气体出口位于装置上方。
本实用新型的有益效果是：产品分离完全，产品回收率高和尾气处理完全。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图所示，旋风分离装置有三级，分别为一级旋风分离装置1、二级旋风分离装置2和三级旋风分离装置3，一级旋风分离装置1上部出口与二级旋风分离装置2上部入口连接，二级旋风分离装置2上部出口与三级旋风分离装置3上部入口连接；一级旋风分离装置1为蜗壳式旋风装置，包括物料进口5、排气管4、导流挡板7、导流管8和灰斗9，物料进口5位于装置1上方，导流管8位于装置1内部的中上部，其上端与排气管4相接，导流挡板7水平位于导流管8上，灰斗9位于装置1下方；二级旋风分离装置2为双筒式旋风装置，包括内筒10、粉尘挡板11和灰斗9，内筒10位于装置2内中上部，粉尘挡板11水平位于内筒10上方，灰斗9位于装置2下方；三级旋风分离装置3为双筒式旋风装置，包括内筒10、粉尘挡板11、灰斗9和气体出口6，内筒10位于装置3内中上部，粉尘挡板11水平位于内筒10上方，灰斗9位于装置3下方，气体出口6位于装置3上方。

Claims (4)

1.一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置，其特征在于旋风分离装置有三级，分别为一级旋风分离装置、二级旋风分离装置和三级旋风分离装置，一级旋风分离装置上部出口与二级旋风分离装置上部入口连接，二级旋风分离装置上部出口与三级旋风分离装置上部入口连接；所述的旋风分离装置包括一个蜗壳式旋风装置和两个双筒式旋风装置。
2.根据权利要求1所述的一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置，其特征在于所述的一级旋风分离装置包括物料进口、排气管、导流挡板、导流管和灰斗，物料进口位于装置上方，导流管位于装置内部的中上部，其上端与排气管相接，导流挡板水平位于导流管上，灰斗位于装置下方。
3.根据权利要求1所述的一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置，其特征在于所述的二级旋风分离装置包括内筒、粉尘挡板和灰斗，内筒位于装置内中上部，粉尘挡板水平位于内筒上方，灰斗位于装置下方。
4.根据权利要求1所述的一种利用甲基三氯硅烷生产气相法白炭黑的旋风分离装置，其特征在于所述的三级旋风分离装置包括内筒、粉尘挡板、灰斗和气体出口，内筒位于装置内中上部，粉尘挡板水平位于内筒上方，灰斗位于装置下方，气体出口位于装置上方。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104971830A (zh) * 2015-05-27 2015-10-14 上海理工大学 耦合式惯性旋流流体颗粒非均相分离装置及方法

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CP03 Change of name, title or address

Address after: Jiaxing City, Zhejiang province 314201 Zhapu Zhen Ya Mountain Road No. 530

Patentee after: HOSHINE SILICON INDUSTRY CO.,LTD.

Address before: Zhapu Zhen Ya Shan Xi Lu Pinghu, Jiaxing city of Zhejiang Province, No. 530 314200

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