CN203414243U - 真空密封件分压漏率测量装置 - Google Patents

真空密封件分压漏率测量装置 Download PDF

Info

Publication number
CN203414243U
CN203414243U CN201320390653.6U CN201320390653U CN203414243U CN 203414243 U CN203414243 U CN 203414243U CN 201320390653 U CN201320390653 U CN 201320390653U CN 203414243 U CN203414243 U CN 203414243U
Authority
CN
China
Prior art keywords
vacuum seal
chamber
potential drop
dividing potential
measurement device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320390653.6U
Other languages
English (en)
Inventor
王魁波
吴晓斌
王宇
陈进新
张罗莎
罗艳
谢婉露
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Microelectronics of CAS
Aerospace Information Research Institute of CAS
Original Assignee
Academy of Opto Electronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Academy of Opto Electronics of CAS filed Critical Academy of Opto Electronics of CAS
Priority to CN201320390653.6U priority Critical patent/CN203414243U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203414243U publication Critical patent/CN203414243U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Examining Or Testing Airtightness (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种真空密封件分压漏率测量装置,该测量装置包括超高真空室(2)、测试室(6)、样品室(7),超高真空室(2)与测试室(6)通过小孔(4)相连通,测试室(6)通过气体管道(14)与样品室(7)相连接。第一抽气泵组(1)从该超高真空室(2)中抽取气体;样品室(7)用于放置真空密封件(8)。第一质谱计(3)和第二质谱计(5)测量该超高真空室(2)和测试室(6)内的气体成分的分压。本实用新型通过两个质谱计在系统平衡状态下测量真空密封件在充气和真空两种状态下对于特定气体组分的分压,可以直接计算得到该真空密封件对该气体组分的分压漏率。

Description

真空密封件分压漏率测量装置
技术领域
本实用新型涉及一种真空密封件分压漏率测量装置,属于测量技术领域。
背景技术
极紫外光刻(EUVL)是目前国际上最具潜力、可以满足CD32/22/16nm等节点IC量产的光刻技术。由于大部分气体都吸收13.5nm的极紫外光,尤其是碳氢化合物、水蒸汽等对极紫外光具有强烈吸收作用,因此需要提供给光刻机清洁的真空环境。
光刻机内部具有大量的电子电路系统,其中的PCB板和电子元器件在真空环境下会释放出大量的污染性气体和微粒,严重破坏光刻机工作环境,因此需要为电子电路系统设计真空密封壳体,以防止其释放出的污染性气体和微粒直接进入光刻机内部工作环境。
对于极紫外光刻系统,真空密封壳体最重要的性能指标不是总漏率,而是碳氢化合物、水蒸汽等气体的分压漏率。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型所要解决的技术问题是动态、实时、准确测量真空密封件漏气组分及其分压漏率,以及总漏率,同时尽可能消除真空规x射线效应、电子激励脱附效应及化学效应等对测试过程的影响,以便准确、全面的测量和评价真空密封件的漏气性能。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本实用新型提出一种真空密封件分压漏率测量装置,包括一个超高真空室、一个测试室、一个样品室,以及一个第一质谱计和一个第二质谱计(。)其中,所述超高真空室与所述测试室通过一个小孔相连通,所述测试室通过一个气体管道与所述样品室相连接;所述超高真空室与一个第一抽气泵组相连接,该第一抽气泵组用于从该超高真空室中抽取气体;所述样品室用于放置所述真空密封件;所述第一质谱计和第二质谱计分别与所述超高真空室和所述测试室相连接,以测量该超高真空室和测试室内的气体成分的分压。
根据本发明的一种具体实施方式,真空密封件分压漏率测量装置还包括一个第二抽气泵组和一个气瓶,其中,所述第二抽气泵组用于对所述真空密封件进行抽气,所述气瓶用于对所述真空密封件进行充气。
根据本发明的一种具体实施方式,所述第二抽气泵组和气瓶分别通过第一截止阀和第二截止阀与所述真空密封件连接。
根据本发明的一种具体实施方式,该真空密封件分压漏率测量装置的各个部件的材料均采用316牌号不锈钢。
根据本发明的一种具体实施方式,该真空密封件分压漏率测量装置的焊接均采用氩弧自熔焊。
根据本发明的一种具体实施方式,该真空密封件分压漏率测量装置的部件间的法兰接口全部采用金属密封。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提出的分压漏率测量装置能够消除质谱计X射线效应、电子激励脱附效应及化学效应带来的负面影响,准确测量真空密封件漏气组分,并能动态、实时、准确地测量真空密封件的分压漏率和总漏率。
附图说明
图1为本实用新型的一个实施例的真空密封件分压漏率测量装置的结构示意图。
具体实施方式
为解决上述技术问题,本实用新型提出一种真空密封件分压漏率测量装置。该测量装置包括超高真室、测试室和样品室,超高真空室与测试室通过小孔相连通,测试室通过气体管道与样品室相连接。该装置以质谱计为测量仪器,通过动态流量法,实时测量真空密封件漏气组分及其漏气量,进而计算真空密封件的分压漏率和总漏率。
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本实用新型作进一步的详细说明。
图1为本实用新型的一个实施例的真空密封件分压漏率测量装置的结构示意图。如图1所示,该实施例的真空密封件分压漏率测量装置包括超高真空室2、测试室6和样品室7。超高真空室2与测试室6通过一个小孔4相连通,测试室6通过气体管道14与样品室7相连接。超高真空室2与一个第一抽气泵组1相连接,第一抽气泵组1用于从超高真空室2中抽取气体。样品室7用于放置真空密封件8,所述真空密封件8是能够被密闭的腔体,腔体中内置放气元件9,本实用新型的测量装置即用于测量该真空密封件8对于放气元件9放出的气体(尤其是污染性气体)的分压漏率。
所述真空密封件8可以通过第一截止阀10和第二截止阀12分别与一个第二抽气泵组11和一个气瓶13连接,第二抽气泵组11用于对该真空密封件8的空腔进行抽气,气瓶13用于对真空密封件8的空腔进行充气,由此,可以实现真空密封件8的充气和真空两种工况。所述第一截止阀10、第二截止阀12、第二抽气泵组11和气瓶13可以作为本实用新型的测量装置的一部分,也可以作为本实用新型的测量装置的外设部件。
此外,本实用新型的测量装置还包括两个质谱计,即图1中的第一质谱计3和第二质谱计5,其分别与超高真空室2和测试室6相连接,并分别用于测量小孔4两侧的超高真空室2和测试室6内的气体成分分压力。
构成本实用新型的测量装置的各个部件的材料均采用低放气率的金属加工而成,如316牌号不锈钢。测量装置的焊接均采用氩弧自熔焊。部件间的法兰接口可全部采用金属密封,耐高温烘烤,漏率极小,能够达到较高真空。
下面说明利用本实用新型的真空密封件分压漏率测量装置的测量方法。
步骤S1、将所要测试的真空密封件注入规定压力气体并放入样品室中,启动第一抽气泵组对超高真空室进行抽气,同时对整个测量装置进行烘烤除气。
该步骤是对真空密封件8进行预处理,并注入规定压力的气体。该气体可以是示漏气体,如He,或者是实际工作气体N2等。所充入的气体用于模拟实际工作环境,与待测的气体组分不同。对于极紫外光刻系统来说,待测气体组分主要是水蒸气、碳氢化合物等。规定压力通常可取实际工作压力,如1个大气压。所述真空密封件8中内置放气元件9,例如一个电子电路版。
接着,将真空密封件8放入样品室7内,启动第一抽气泵组1对超高真空室2进行抽气,同时对整个测量装置进行烘烤除气,以获得一个较小的本底。
步骤S2、当样品室、测试室和超高真空室的压力保持不变时,使用第一质谱计和第二质谱计分别测试超高真空室和测试室的气体组分i分压Pi,2和Pi,6
当样品室7、测试室6和超高真空室2的压力保持不变时,就形成了动态平衡;达到动态平衡后,利用第一质谱计3和第二质谱计5分别测量超高真空室2和测试室6内的气体组分i的分压,读数分别为Pi,2和Pi,6
步骤S3、对真空密封件进行抽气,使真空密封件与样品室内的气体压力相等,并且,当样品室、测试室和超高真空室的压力保持不变时,使用第一质谱计和第二质谱计分别测试超高真空室和测试室的气体组分i分压
Figure BDA00003451812700041
Figure BDA00003451812700042
打开截止阀10,启动第二抽气泵组11对真空密封件8进行抽气,当真空密封件8与样品室7内的气体压力相等时,关闭截止阀10。当样品室7、测试室6和超高真空室2的压力保持不变时,就形成了动态平衡;达到动态平衡后,利用第一质谱计3和第二质谱计5分别测量超高真空室2和测试室6内的气体组分i的分压,读数分别为
Figure BDA00003451812700044
步骤S4、根据步骤S2和步骤S3测得的超高真空室和测试室的气体组分i分压计算真空密封件对气体组分i的分压漏率Qi,计算公式为: Q i = C i × [ ( P i , 6 - P i , 6 ′ ) - ( P i , 2 - P i , 2 ′ ) ] , 其中Ci为小孔对组分i的流导。
步骤S2得到第二质谱计5、测试室6、样品室7和真空密封件8对气体组分i的漏气和放气总量为:
Qi,0=Qi,1+Qi,2+Qi,3+Qi,4=Ci×(Pi,6-Pi,2)  ①
式中:Qi,0—真空密封件8内充气时,组分i漏放气总量,Pa·L/s;
Qi,1—第二质谱计5对组分i的漏放气量,Pa·L/s;
Qi,2—测试室6对组分i的漏放气量,Pa·L/s;
Qi,3—样品室7对组分i的漏放气量,Pa·L/s;
Qi,4—真空密封件8对组分i的漏放气量,Pa·L/s;
Ci—小孔4对组分i的流导,L/s;
Pi,2—真空密封件8内充气时,超高真空室2内气体组分i的分压,Pa;
Pi,6—真空密封件8内充气时,测试室6内气体组分i的分压,Pa。
步骤S3得到
Figure BDA00003451812700051
Figure BDA00003451812700052
则有如下关系式:
Q i , 0 ′ = Q i , 1 + Q i , 2 + Q i , 3 + Q i , 4 ′ = C i × ( P i , 6 ′ - P i , 2 ′ )
式中:—真空密封件8抽真空时,组分i漏放气总量,Pa·L/s;
Figure BDA00003451812700055
—真空密封件8对组分i的放气量,Pa·L/s;
Figure BDA00003451812700056
—真空密封件8抽真空时,超高真空室2内气体组分i的分压,Pa;
Figure BDA00003451812700057
—真空密封件8抽真空时,测试室6内气体组分i的分压,Pa;
由式①和式②相减,可得真空密封件8对组分i的分压漏率Qi为:
Q i = Q i , 0 - Q i , 0 ′ = Q i , 4 - Q i , 4 ′ = C i × [ ( P i , 6 - P i , 6 ′ ) - ( P i , 2 - P i , 2 ′ ) ]
式中:Qi为真空密封件8对组分i的分压漏率,Pa·L/s;
通过上述步骤S1~步骤S4,可以测得真空密封件8各漏气组分的分压漏率,各组分分压漏率之和就是总漏率,也即:
Q = Σ i = 1 n Q i
式中:Q—真空密封件8总漏率,Pa·L/s;
n—真空密封件8漏气组分种类数目。
由公式③可知,同一质谱计前后两次测试数据进行了相减,这就有效抵消了质谱计x射线效应、电子激励脱附效应及化学效应等带来的负面影响,进而能够准确测量真空密封件漏气组分。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种真空密封件分压漏率测量装置,其特征在于:包括一个超高真空室(2)、一个测试室(6)、一个样品室(7),以及一个第一质谱计(3)和一个第二质谱计(5),其中,
所述超高真空室(2)与所述测试室(6)通过一个小孔(4)相连通,所述测试室(6)通过一个气体管道(14)与所述样品室(7)相连接;
所述超高真空室(2)与一个第一抽气泵组(1)相连接,该第一抽气泵组(1)用于从该超高真空室(2)中抽取气体;
所述第一质谱计(3)和第二质谱计(5)分别与所述超高真空室(2)和所述测试室(6)相连接,用于测量该超高真空室(2)和测试室(6)内的气体成分的分压。
2.如权利要求1所述的真空密封件分压漏率测量装置,其特征在于,还包括一个第二抽气泵组(11)和一个气瓶(13),其中,所述第二抽气泵组(11)用于对所述真空密封件(8)进行抽气,所述气瓶(13)用于对所述真空密封件(8)进行充气。
3.如权利要求2所述的真空密封件分压漏率测量装置,其特征在于,所述第二抽气泵组(11)和气瓶(13)分别通过第一截止阀(10)和第二截止阀(12)与所述真空密封件(8)连接。
4.如权利要求1-3中任一项所述的真空密封件分压漏率测量装置,其特征在于,该真空密封件分压漏率测量装置的各个部件的材料均采用316牌号不锈钢。
5.如权利要求1-3中任一项所述的真空密封件分压漏率测量装置,其特征在于,该真空密封件分压漏率测量装置的焊接均采用氩弧自熔焊。
6.如权利要求1-3中任一项所述的真空密封件分压漏率测量装置,其特征在于,该真空密封件分压漏率测量装置的部件间的法兰接口全部采用金属密封。
CN201320390653.6U 2013-07-02 2013-07-02 真空密封件分压漏率测量装置 Expired - Lifetime CN203414243U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320390653.6U CN203414243U (zh) 2013-07-02 2013-07-02 真空密封件分压漏率测量装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201320390653.6U CN203414243U (zh) 2013-07-02 2013-07-02 真空密封件分压漏率测量装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203414243U true CN203414243U (zh) 2014-01-29

Family

ID=49977125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201320390653.6U Expired - Lifetime CN203414243U (zh) 2013-07-02 2013-07-02 真空密封件分压漏率测量装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203414243U (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103335795A (zh) * 2013-07-02 2013-10-02 中国科学院光电研究院 真空密封件分压漏率测量系统及其测量方法
CN105784297A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 北京有色金属研究总院 一种储氢器氢气泄漏率测试集气装置及其方法
CN107741303A (zh) * 2017-08-30 2018-02-27 鞍山海望真空系统有限公司 模具真空测漏装置及测漏方法
CN110376272A (zh) * 2019-06-12 2019-10-25 中国科学院微电子研究所 气体分压的在线测量装置及其在线测量方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103335795A (zh) * 2013-07-02 2013-10-02 中国科学院光电研究院 真空密封件分压漏率测量系统及其测量方法
CN105784297A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 北京有色金属研究总院 一种储氢器氢气泄漏率测试集气装置及其方法
CN107741303A (zh) * 2017-08-30 2018-02-27 鞍山海望真空系统有限公司 模具真空测漏装置及测漏方法
CN110376272A (zh) * 2019-06-12 2019-10-25 中国科学院微电子研究所 气体分压的在线测量装置及其在线测量方法
CN110376272B (zh) * 2019-06-12 2022-02-08 中国科学院微电子研究所 气体分压的在线测量装置及其在线测量方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103335795B (zh) 真空密封件分压漏率测量系统及其测量方法
CN106017819B (zh) 一种分压漏率测量装置及方法
CN203414243U (zh) 真空密封件分压漏率测量装置
CN106226000A (zh) 一种真空密封性能测量装置及方法
CN101373162B (zh) 一种在密封品检漏中绘制压差与泄漏量关系曲线的方法
CN103759906B (zh) 基于静态膨胀法真空标准校准真空漏孔的装置及方法
CN103207050B (zh) 一种可延长密封器件候检时间的质谱检漏预充氦法
CN105021494A (zh) 一种材料分压放气率测试装置及方法
CN102564892B (zh) 吸阻标准棒压降减少值的测量方法以及该值用于检测吸阻仪抽吸管路设计是否合理的方法
CN103234860B (zh) 一种二氧化碳吸附等温线精确测试方法
CN103267705A (zh) 材料分压放气率测量系统及其测量方法
CN104006929A (zh) 基于限压-分流法的大气环境下的质谱单点检漏系统及方法
CN205826240U (zh) 一种真空密封件分压漏率测量装置
CN101373163B (zh) 一种用漏孔法绘制压差与泄漏量关系曲线的方法
CN204314023U (zh) 一种真空式氦检设备
CN103487495A (zh) 材料分压放气测量系统及其测量方法
CN102829933B (zh) 光电仪器气密性检测仪
CN203881640U (zh) 一种材料分压放气率测量装置
CN104764862B (zh) 一种气体浓度现场测试方法
CN103454050A (zh) 一种氮氢检漏仪的快速检漏装置
CN202853862U (zh) 一种将气体微流量校准下限延伸至10-14Pam3/s的系统
CN202814667U (zh) 光电仪器气密性检测仪
CN104807603A (zh) 氩粗漏氦细漏组合检测方法
CN103149137A (zh) 一种定压稳态气测渗透率仪
CN108398369A (zh) 一种gis橡胶密封材料选型方法及系统

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200826

Address after: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3

Patentee after: Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences

Address before: 100190, No. 19 West Fourth Ring Road, Beijing, Haidian District

Patentee before: Aerospace Information Research Institute,Chinese Academy of Sciences

Effective date of registration: 20200826

Address after: 100190, No. 19 West Fourth Ring Road, Beijing, Haidian District

Patentee after: Aerospace Information Research Institute,Chinese Academy of Sciences

Address before: 9 Dengzhuang South Road, Haidian District, Beijing 100094

Patentee before: Academy of Opto-Electronics, Chinese Academy of Sciences

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140129

CX01 Expiry of patent term