CN203411603U - 磁控阴极溅射镀膜工艺室 - Google Patents
磁控阴极溅射镀膜工艺室 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203411603U CN203411603U CN201320412833.XU CN201320412833U CN203411603U CN 203411603 U CN203411603 U CN 203411603U CN 201320412833 U CN201320412833 U CN 201320412833U CN 203411603 U CN203411603 U CN 203411603U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- magnetron cathode
- magnetic control
- sputter coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及玻璃镀膜生产技术领域，公开一种磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室；本实用新型的磁控阴极溅射镀膜工艺室，在磁控阴极溅射镀膜真空腔室两端设置真空缓冲室和锁定室，可有效降低玻璃基片进出磁控阴极溅射镀膜真空腔室造成的气体泄漏，提高磁控阴极溅射镀膜真空腔室的真空度，并使其维持在稳定的水平，从而提高镀膜质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及玻璃镀膜生产技术领域，特别涉及一种玻璃溅射镀膜工艺室。
背景技术
磁控阴极溅射镀膜是在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场，借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射的过程，为了提高气体的离化率，需要更低的气压，而传统的玻璃溅射镀膜工艺室内真空度难以达到要求，容易造成镀膜质量不佳。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种磁控阴极溅射镀膜工艺室，可达到更高的真空度，提高镀膜质量。
本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题：
磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室。
进一步，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少32个溅射单元腔室。
进一步，每个入口气锁室或出口气锁室设置有至少1个旋片真空泵和1个罗茨真空泵。
进一步，每个缓冲单元腔室设置有至少1个旋片真空泵、1个罗茨真空泵和2个分子真空泵。
进一步，每个溅射单元腔室至少设置有1个旋片真空泵、1个罗茨真空泵和1个分子真空泵。
进一步，所述磁控阴极溅射镀膜真空腔室中设置有至少4个平面阴极，6个旋转阴极和6个备用阴极位。
本实用新型的有益效果：本实用新型的磁控阴极溅射镀膜工艺室，在磁控阴极溅射镀膜真空腔室两端设置真空缓冲室和锁定室，可有效降低玻璃基片进出磁控阴极溅射镀膜真空腔室造成的气体泄漏，提高磁控阴极溅射镀膜真空腔室的真空度，并使其维持在稳定的水平，从而提高镀膜质量；真空缓冲室和磁控阴极溅射镀膜真空腔室均采用单元化设计，可以使离子氛围更为均匀。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步描述。
图1为本实用新型磁控阴极溅射镀膜工艺室的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本实用新型进行详细说明。
如图1所示，本实施例的磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室、出口真空缓冲腔室和磁控阴极溅射镀膜真空腔室都采用单元化设计，所述入口真空缓冲腔室包括4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括32个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括4个缓冲单元腔室。
每个入口气锁室或出口气锁室设置有1个旋片真空泵和1个罗茨真空泵。每个缓冲单元腔室设置有1个旋片真空泵、1个罗茨真空泵和2个分子真空泵。每个溅射单元腔室至少设置有1个旋片真空泵、1个罗茨真空泵和1个分子真空泵。所述磁控阴极溅射镀膜真空腔室中设置有至少4个平面阴极，6个旋转阴极和6个备用阴极位。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (6)
1.磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于：包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室。
2.如权利要求1所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于：磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少32个溅射单元腔室。
3.如权利要求1或2所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于：每个入口气锁室或出口气锁室设置有至少1个旋片真空泵和1个罗茨真空泵。
4.如权利要求3所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于：每个缓冲单元腔室设置有至少1个旋片真空泵、1个罗茨真空泵和2个分子真空泵。
5.如权利要求4所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于：每个溅射单元腔室至少设置有1个旋片真空泵、1个罗茨真空泵和1个分子真空泵。
6.如权利要求1所述的磁控阴极溅射镀膜工艺室，其特征在于：所述磁控阴极溅射镀膜真空腔室中设置有至少4个平面阴极，6个旋转阴极和6个备用阴极位。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320412833.XU CN203411603U (zh) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | 磁控阴极溅射镀膜工艺室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320412833.XU CN203411603U (zh) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | 磁控阴极溅射镀膜工艺室 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203411603U true CN203411603U (zh) | 2014-01-29 |
Family
ID=49974507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320412833.XU Expired - Fee Related CN203411603U (zh) | 2013-07-11 | 2013-07-11 | 磁控阴极溅射镀膜工艺室 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203411603U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111852280A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-30 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种真空腔中器件的更换装置和方法 |
-
2013
- 2013-07-11 CN CN201320412833.XU patent/CN203411603U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111852280A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-30 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种真空腔中器件的更换装置和方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101776063B (zh) | 大型高真空抽气机组 | |
| CN101877372B (zh) | 薄膜太阳能电池的背电极膜层 | |
| CN201598329U (zh) | 一种配置气体离子源的对靶磁控溅射装置 | |
| CN201758134U (zh) | 制备太阳能电池背电极膜层的装置 | |
| CN209260195U (zh) | 一种卷对卷真空镀膜设备 | |
| CN203411603U (zh) | 磁控阴极溅射镀膜工艺室 | |
| CN203419978U (zh) | 玻璃镀膜生产系统 | |
| CN204898063U (zh) | 一种铌溅射泵及真空系统 | |
| CN101936278A (zh) | 一种电弧钛泵及包括该电弧钛泵的真空抽气机组 | |
| CN105506549A (zh) | 脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法 | |
| WO2013178040A1 (zh) | 一种抽气系统及工艺 | |
| CN202705451U (zh) | 一种用于真空镀膜的工艺气体二元布气装置 | |
| CN201891569U (zh) | 一种真空电弧钛泵 | |
| CN105449168A (zh) | 具有界面修饰层的金属基固态薄膜锂电池正极的制备方法 | |
| CN201620189U (zh) | 一种对靶磁控溅射装置 | |
| CN104091741B (zh) | 多功能离子枪 | |
| CN203855640U (zh) | 一种制备纳米多孔结构薄膜的装置及其应用 | |
| CN206858650U (zh) | 一种磁控溅射装置 | |
| CN102994963B (zh) | 连续式卷绕溅射镀膜机 | |
| CN204265829U (zh) | 真空离子镀膜机 | |
| CN205223339U (zh) | 具有增置阳极的镀膜系统 | |
| CN204570028U (zh) | 真空镀膜设备 | |
| CN203999803U (zh) | 一种镀膜机抽真空系统 | |
| CN203546138U (zh) | 一种提高靶材利用率的靶材结构 | |
| CN204834563U (zh) | 干法刻蚀设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140129 |
|
| CU01 | Correction of utility model | ||
| CU01 | Correction of utility model |
Correction item: Termination upon expiration of patent Correct: Revocation of Patent Expiration and Termination False: On July 28, 2023, the expiration and termination of the 39-volume 3002 patent Number: 30-02 Volume: 39 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140129 |